近年來，微流控技術已經成為在分析、生物醫學和臨床應用中開發微全分析系統（μTAS）和護理點（POC）醫療器件的基石。基于數字微鏡器件（DMD）的無掩模光刻技術憑借其自定義圖案生成能力、快速的制造速度和相對較低的初始成本，在低成本、高分辨率微流控器件的制造中顯示出良好的前景。由于通常需要在光刻膠薄層中實現，這種制造方法一般需要利用刻蝕或深反應離子刻蝕（DRIE）工藝來進一步加工襯底，然后才能制造出厚度為納米到亞毫米尺度的微流控器件。因此，原位無掩模光刻技術在微流控器件的一步快速成型中發揮著重要的作用。

原位無掩模光刻工藝中的聚合反應取決于預聚物溶液中使用的材料、局部光化學環境和紫外線（UV）強度分布。無論是在陽離子聚合反應還是自由基聚合反應中，反應物質都會從激發區向外呈放射狀擴散。此外，基于數字微鏡器件的照明通常存在光不均勻性。當附近有曝光區存在時，自由基擴散和光不均勻性的共同作用會造成特征結構展寬、過度固化和特征結構之間的分散性連接。因此，減少特征結構之間的距離被證明比減少特征尺寸更具挑戰性。當制造載細胞結構時，由于細胞的光散射增加，這個問題會變得更加突出，從而導致打印時缺乏分辨率和精度。這一現象通常被稱為“鄰近效應”，該效應可以歸因于聚合物鏈生長、光的不均勻性、光的散射、熱或分子擴散，以及在隨后的曝光工藝中曝光劑量的增加。

解決鄰近效應并制造高保真特征結構的最常見方法包括通過線性光柵、振蕩、曝光劑量調制來操縱入射光，或者通過與光抑制劑混合來操縱預聚合物溶液本身。然而，線性光柵的有效性僅限于薄光刻膠層，而操縱預聚物溶液的方法主要能夠提高3D打印中的垂直而不是水平空間分辨率。近年來，為了解決這一問題，眾多研究人員做出了巨大的努力。負投影光刻技術（NPL）是一種提高基于聚乙二醇二丙烯酸酯（PEGDA）的無掩模光刻技術空間分辨率的方法。該方法可以在20 μm ~ 50μm厚的微流控器件中制造邊長為25 μm、相互距離為100 μm的正方形結構。然而，負投影光刻技術是一個多步驟的聚合工藝，需要復雜的材料合成。閃光光聚合被提出用于控制光引發劑自由基擴散和減少鄰近效應。但減少曝光時間和增加曝光強度會對結構均勻性產生負面影響。因此，需要在無掩模光刻過程中更好地控制曝光和圖案生長。由于攝像頭和人工智能（AI）集成技術的進步，基于圖像分析的控制在生產中越來越受歡迎。目前，圖像輔助的閉環控制已經被用于基于激光的增材制造方法及其質量控制。

據麥姆斯咨詢報道，為了克服上述挑戰，近期，來自美國理海大學（Lehigh University）的研究人員提出了一種基于原位圖像分析和間歇流量控制的確定性制造工藝方法，名為圖像引導原位無掩模光刻（IGIs-ML）方法。通過使用動態圖像分析和集成流量控制，圖像引導原位無掩模光刻法實現了大面積和多器件制造的密集特征的優異的可重復性和保真度。這種通用而強大的方法可以用于制造各種微流控器件，并解決快速原型制造中關鍵的鄰近效應和尺寸限制問題。圖像引導原位無掩模光刻法的經濟性和可靠性使其成為探索超越傳統快速原型制造方法的強大工具。相關研究成果以“Rapid prototyping of high-resolution large format microfluidic devicethrough maskless image guided in-situ photopolymerization”為題發表在NatureCommunications期刊上。

圖1 基于原位圖像引導的微流控原型器件制造示意圖

具體而言，研究人員提出了一種一步原位原型制作的系統性方法來制造各種微流控器件，并首次將基于圖像的反饋系統用于投影圖案的精確控制、紫外線的高速觸發和無掩模光刻的流量控制。該方法可以實現靈活的工藝控制，并且不受材料、紫外線功率、光均勻性和器件厚度或器件類型的影響。

圖2 無掩模光刻的原位跟蹤和動態投影

圖3 模擬自由基擴散和光不均勻性對器件制造的影響

圖4 光固化過程中的動態形狀校正

通過制造大型確定性側向位移（DLD）器件，該方法展示了優越的空間圖案保真度和可重復性。此外，研究人員通過成功地對各種光敏材料（包括PEGDA 700、PEGDA 250、商業樹脂和明膠甲基丙烯酰（GelMA））進行圖案化，證明了該方法的通用性。

圖5 所提出的大規模制造方法的可重復性

最后，該研究通過直接從CAD文件中以最少的工藝步驟制造出兩個脈管網絡狀結構，以及生成具有可調參數的均勻凹微柱用于細胞球體培養，進一步證明了該方法的可行性。

圖6 自動化原位微脈管和載細胞水凝膠制造

總體而言，該研究建立了一個對材料、實驗裝置和技術人員依賴度最小的系統性方法，其可以制造出與目前的快速成型平臺相比具有更高空間分辨率的各種微流控器件。

審核編輯：劉清