近日，森國科亮相“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”，重點(diǎn)介紹了新一代1200V SiC MOSFET與模塊新品。

據(jù)了解，這些SiC MOSFET新產(chǎn)品在Rds（on）等多項(xiàng)參數(shù)上，均優(yōu)于多家國際大廠，并且采用15V柵極驅(qū)動(dòng)，易用性大幅提升，目前這些產(chǎn)品已經(jīng)通過了多家下游廠商的測試，并批量出貨中。

1200V SiC MOS亮相多項(xiàng)性能媲美國際大廠

活動(dòng)上，森國科重點(diǎn)介紹了新一代1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品。

據(jù)介紹，他們的新一代產(chǎn)品是基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開發(fā)，主要有4款新產(chǎn)品（K3M040120-R、K3M040120-R4、K3M080120-R以及K3M080120-R4），導(dǎo)通電阻有80mΩ和40mΩ可選，封裝方式有TO-247-3L、TO-247-4L，工作結(jié)溫高達(dá)175℃。

森國科在2021年就投入SiC MOSFET的研發(fā)，采用了最新的第三代平面柵SiC MOSFET芯片技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，這次新產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色，完美滿足大功率充電模塊、光伏逆變器以及大功率儲(chǔ)能等中高壓系統(tǒng)的需求。

森國科表示，他們的1200V SiC MOSFET具有更好的BV & Rdson trade off，在降低Rds（on）方面做了很多工作。

相對而言，平面柵SiC MOSFET工藝相對簡單，可靠性更高，然而受溝道電阻和JFET電阻影響Rds（on）較大。在SiC MOSFET的通態(tài)損耗中，Rds（on）占比約達(dá)42.5%，尤其是在高頻工作頻率下，Rds（on）是SiC MOSFET性能好壞的關(guān)鍵因素，直接決定芯片的開關(guān)效率，進(jìn)而影響系統(tǒng)效率。

為了降低SiC MOSFET的Rds（on），縮小元胞尺寸，森國科主要采用3種領(lǐng)先技術(shù)，包括：通過溝道自對準(zhǔn)工藝，縮短溝道長度，降低溝道電阻；優(yōu)化芯片工藝制程、優(yōu)化歐姆接觸工藝來降低Rds（on）；通過超薄晶圓技術(shù)降低襯底厚度，降低Rds（on），并且提升浪涌能力。

數(shù)據(jù)對比顯示，森國科1200V/80mΩ SiC MOSFET的Rds（on）典型值為72mΩ，IDSS和IGSS等參數(shù)也遠(yuǎn)低于其他國際大廠，達(dá)到國際一流水平。

森國科第三代SiC MOSFET與國際大廠的對比

此外，在可靠性方面，森國科SiC MOSFET嚴(yán)格按照工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)的可靠性測試要求進(jìn)行，順利通過了1000小時(shí)的可靠性測試。

同時(shí)，森國科SiC MOSFET在易用性方面也進(jìn)行了優(yōu)化，可以在更大的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍內(nèi)工作，能夠滿足工程師對15V柵極驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)需求。

相較于其他的20V柵壓SiC MOSFET產(chǎn)品，15V的產(chǎn)品具有更好的兼容性，能夠更好地兼容硅基IGBT驅(qū)動(dòng)電路，而且也有利于采用國產(chǎn)15V驅(qū)動(dòng)芯片，擴(kuò)大驅(qū)動(dòng)器件的選擇面，有助于降低系統(tǒng)成本。

新款SiC MOSFET模塊簡單、易用、更高效

此外，森國科還重點(diǎn)介紹了新的SiC MOSFET模塊。

為了更好地滿足客戶需求，在上一代原有封裝產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，森國科新增了3款碳化硅模塊（KC006F12W2M1、KC011F12W1M1以及KC017Z12J1M1），其導(dǎo)通電阻分別為6mΩ、11mΩ、17mΩ，工作結(jié)溫高達(dá)175℃。

并且新的碳化硅模塊采用了典型的Easy 1B、Easy 2B以及SOT-227封裝，可在簡單易用的封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)效率最佳化，有助于工程師開發(fā)出更小更緊湊的外形尺寸、擴(kuò)展性更好的電源系統(tǒng)，并向最終用戶提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠、高功率密度的解決方案。

Easy1B/2B封裝通過改善引腳位置，可確保短且無干擾的換流回路，以減少模塊雜散電感，也提高了芯片的熱傳導(dǎo)性能。SOT-227介于單管和模塊之間，是功率半導(dǎo)體開發(fā)方向之一，優(yōu)勢包括小體積、設(shè)計(jì)靈活度等，在應(yīng)用于空間要求高或結(jié)構(gòu)布局特殊的拓?fù)鋾r(shí)特別有優(yōu)勢。

2大工廠、4大優(yōu)勢：森國科獲300+客戶青睞

憑借在碳化硅功率器件領(lǐng)域的積累，同時(shí)秉承著“做最合適的功率器件”的理念，森國科已經(jīng)在碳化硅行業(yè)脫穎而出。截止到目前，森國科合作的客戶超過300多家，碳化硅產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變器、儲(chǔ)能逆變器、礦機(jī)電源、通信設(shè)備電源、5G微基站電源、服務(wù)器電源、工業(yè)電源、快充電源、軌道交通電源、充電樁電源模塊等多個(gè)領(lǐng)域。

前段時(shí)間，森國科實(shí)現(xiàn)了半年新增百余家客戶的成績，這主要得益于他們在多個(gè)方面的不懈努力和默默耕耘。

首先，森國科專注碳化硅精品研發(fā)。據(jù)介紹，他們團(tuán)隊(duì)一直以來遵循研發(fā)創(chuàng)新的長期主義，以拙勁鉆研產(chǎn)品和技術(shù)，突破關(guān)鍵技術(shù)后，就能迅速將產(chǎn)品系列化。而且他們也非常注重研發(fā)投入。據(jù)透露，森國科的研發(fā)人員占比超過70%，研究生以上學(xué)歷占比50%。

其次，充足的產(chǎn)能供應(yīng)能力。在代工流片上，森國科已與國內(nèi)外多家著名的FAB廠達(dá)成緊密的合作關(guān)系，例如X-FAB6吋線和積塔半導(dǎo)體6吋線，這些合作FAB廠在碳化硅晶圓制造領(lǐng)域擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)，工藝穩(wěn)定，代工的器件良率較高，可以給客戶提供更好的產(chǎn)能和品質(zhì)保障。

第三，森國科還建立了完善且嚴(yán)格的質(zhì)量管理體系。

森國科致力于為客戶提供最可靠的碳化硅MOSFET、模塊產(chǎn)品，他們在碳化硅芯片的生產(chǎn)過程中實(shí)施了嚴(yán)格的質(zhì)量控制措施。失效分析、可靠性驗(yàn)證等環(huán)節(jié)貫穿整個(gè)生產(chǎn)過程；在產(chǎn)品驗(yàn)證環(huán)節(jié)，確保通過GMW3172/VW8000等認(rèn)證測試，獲得車廠等客戶的認(rèn)可。

此外，在提升產(chǎn)品可靠性方面，森國科還加強(qiáng)了實(shí)驗(yàn)室的建設(shè)，在內(nèi)部實(shí)驗(yàn)室就可以參照J(rèn)EDEC 標(biāo)準(zhǔn)完成所有的測試驗(yàn)證，包括雙85的測試驗(yàn)證。

森國科SiC完善的品控流程

再者，森國科還建立了快速的市場響應(yīng)及服務(wù)機(jī)制。

森國科在繼續(xù)深耕國產(chǎn)SiC市場的過程中，不僅專注為客戶提供多樣化的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，還始終致力于推行以客戶為中心的營銷服務(wù)體系，通過打造“產(chǎn)品+服務(wù)”的模式，快速響應(yīng)市場及客戶需求。

森國科在技術(shù)開發(fā)、生產(chǎn)制造、質(zhì)量管控以及客戶服務(wù)環(huán)節(jié)都建立了客戶反饋響應(yīng)機(jī)制，目標(biāo)是持續(xù)關(guān)注客戶核心訴求，為客戶打造“最合適的功率器件”。

森國科快速的市場響應(yīng)及服務(wù)

接下來，森國科會(huì)致力于將SiC MOSFET的系列化，包括650V系列、1200V系列、1700V系列，并針對客戶需求推出更多的碳化硅模塊產(chǎn)品。未來，森國科也將持續(xù)加強(qiáng)自主創(chuàng)新，加速產(chǎn)品迭代升級(jí)，開發(fā)更多符合市場需求的產(chǎn)品，為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與服務(wù)。