SiC內卷和洗牌加速，目前國產SiC器件性能與國際大廠相比是否還有差距？車載SiC國產化何時才能實現？SiC產業未來的方向又在哪里？

2024年10月22日，由EEVIA主辦的第12屆中國硬科技產業鏈創新趨勢峰會暨百家媒體論壇在深圳灣萬怡酒店隆重舉行，Big-Bit資訊記者受邀親臨現場，見證了這場科技盛宴的精彩瞬間。

第12屆中國硬科技產業鏈創新趨勢峰會暨百家媒體論壇現場

艾邁斯歐司朗、Qorvo、RAMXEED（原富士通半導體）、飛凌微、安謀科技、清純半導體等6家知名企業詳細展示了車載LED、傳感器、高性能存儲器、端側SoC芯片，AI圖像圖處理芯片和車載SiC芯片等場景的最新SiC產品。

Big-Bit資訊將通過論壇演講內容，帶大家一起了解上述企業究竟有哪些“科技與狠活”。

艾邁斯歐司朗：智能駕駛中的光與智

艾邁斯歐司朗深耕光源市場已有百余年，在汽車光源領域也已經超過四十年的歷史，是名副其實的汽車照明龍頭企業，在汽車照明光源市場有著無可比擬的優勢。此次論壇，艾邁斯歐司朗高級市場經理羅理為與會聽眾介紹了3款艾邁斯歐司朗人車互動方面的創新光源。

艾邁斯歐司朗高級市場經理 羅理

首款光電結合的車載LED。艾邁斯歐司朗最新推出的25600像素EVIYOS? 2.0，是業界第一款光與電子相結合的LED，底部集成了CMOS電路控制LED的亮和滅，25600個像素點壓縮到40平方毫米的曲光面上，每個像素點粗細僅50微米，且都可以獨立尋址開關，為汽車照明工程師設計提供了更多可能性和想象空間。

艾邁斯歐司朗車載LED應用示例

首款智能RGB LED。OSIRE?E3731i這款產品是業界首個推出基于OSP開放架構的、把LED和驅動集成在一個封裝的SiC產品，是艾邁斯歐司朗為應對新能源汽車信息顯示越來越豐富，逐漸成為人車互動載體而推出的SiC產品，解決了當前汽車LED使用顆粒數增加、保障RGB混色均勻等痛點問題，并實現成本和數量的平衡。通過OSP開放協議，免除了MCU廠家的限制，只需要雙絞線和高低電頻，一個SPI接口就可串聯高達1,000顆的RGBi，且可預埋在SiC主控域控制器上，通過OTA升級更新，大大簡化了架構布局，提高了整車的通用性。

360°輻射側發光LED。SYNIOS? P1515的封裝是1.5×1.5mm2，通過創新性的SiC封裝設計，把整個尾燈信號燈面發光源的結構壓縮到5毫米甚至更低，其均勻地分布在側面、360°環繞的出光方式，可以為工程師帶來更多結構上的創新，如替代傳統頂發光LED，使得整體結構更加簡單；或者用于實現類似于OLED的超薄均勻性面發光。

隨著新能源汽車市場的快速發展，中國汽車市場正逐漸脫離跟隨者的角色，艾邁斯歐司朗也緊跟步伐，扎根于中國，在技術創新實現降本增效的基礎上，不斷追求解放SiC技術設計師的思路和思維，增加SiC產品工程師架構設計的可塑性，從而為SiC業界和SiC市場提供更多的選擇。

Qorvo：從突破射頻到UWB和應用于下一代移動設備的傳感器

Qorvo是一家全球領先的的連接和電源解決方案供應商，作為首個將ACS TUNER天線方案帶到中國市場的品牌，經過二十多年的深耕，目前Qorvo產品已廣泛應用于互聯移動、電源、AI服務器和汽車。Qorvo中國高級銷售總監江雄詳細介紹了目前Qorvo應用于各個領域的最新SiC產品。

Qorvo中國高級銷售總監 江雄

基于人機交互的Sensor Fusion（傳感器融合），關于Force Sensor部分，今年最熱的就是iPhone16采用了融合壓力傳感器單獨拍攝鍵，這個按鍵被業界定義為AI鍵，未來會集成更多的功能和用途。Force Sensor在很多領域例如智能穿戴、筆記本、智能家電等，尤其是汽車上，從車外到車內、車門、方向盤、控制面板，已有多家知名整車廠商使用Qorvo的MEMS Sensor方案，最多的一款用了28顆Sensor了，可以讓人機交互體驗更加流暢，界面更加時尚，也可以增加更多的方式。

此外，江雄還詳細介紹了Qorvo的Phase 8射頻前端模組、濾波器、Wi-Fi芯片、功率器件等相關SiC新產品及其應用進展，致力于通過技術為用戶提供更好的performance、更創新的SiC技術方案、更小SiC產品尺寸和更高的集成度。

RAMXEED：高可靠性和無遲延應用首選

RAMXEED（原富士通半導體）總經理馮逸新為與會嘉賓詳細介紹了富士通集團的發展歷程。

RAMXEED（原富士通半導體）總經理 馮逸新

富士通從1956年開始研發半導體，80年代成長為頂級的半導體公司，是IDM的典型代表，并將于2025年1月1日正式撤出半導體市場，以全新面貌——RAMXEED回歸大眾視野。

目前RAMXEED只專注于高性能存儲器FeRAM、ReRAM和以FeRAM、ReRAM為基礎的SiC定制產品，SiC產品生產銷量主要在日本，以定制芯片ASIC為主；其次就是亞太，主要是在中國和中國臺灣，中國臺灣主要是FA和醫療電子標簽，大陸主要是表計、FA、新能源汽車充電樁、PV（光伏發電的設備）逆變器和儲能應用。

本屆論壇，RAMXEED帶來新產品鐵電隨機存儲器（FeRAM），是為數不多實現ReRAM量產的半導體供應商，目前最大容量12Mbit，能耐高溫（125°C），傳輸速度快（50MHz、108MHz），功耗低（1.65V），且尺寸小（DFN封裝），在智能電網、汽車、充電樁、工廠和樓宇自動化、船舶、工程機械、醫療電子、云計算、游戲等方面均有成熟應用，并詳細介紹了其未來SiC技術迭代路徑，并可根據SiC市場需求把速度做得更快。

飛凌微：端側SoC與感知融合 助力車載智能視覺升級

思特威副總裁、飛凌微首席執行官邵科主要從端側AI處理優勢及主要SiC技術應用場景、飛凌微M1智能視覺處理系列芯片及其在車載視覺中的SiC技術應用三個方面進行了分享。

思特威副總裁、飛凌微首席執行官 邵科

邵科提到，最近十年中視覺系統有兩大方面發展非常迅速，一是圖像傳感器、視覺類的SiC產品用得越來越多，從原來安防監控到現在的手機，再到門鈴、掃地器、人臉支付等日常生活的方方面面，視覺應用越來越寬泛；

二是神經網絡，像AI算法發展越來越快速、應用越來越多，會催生大量的視覺應用需求，主要包括三大類：

第一類是在端側采集數據，在云端做處理，時效性要求相對較低；

第二類是在端側采集數據，同時在本地中央計算來處理AI數據；

第三類是直接在端側采集數據，同時在端側處理，挑戰相對較大。

這種發展趨勢要求視覺處理對圖像性能要求越來越高，對圖像處理芯片的性能要求也越來越高。

飛凌微今年推出的M1系列三款SiC產品，均是SiC業內最小的封裝尺寸（BGA 7mm*7mm封裝）。

飛凌微M1系列芯片

M1是一款高性能ISP芯片，能夠接收800萬像素的圖像數據或同時接收兩張300萬像素的圖像數據；

M1 Pro基于高性能ISP加入了輕量級CPU、NPU算力，可處理人臉識別、姿態識別等輕量級AI應用；

M1 Max算力是M1 Pro的兩倍，能夠在端側處理更多的數據。

M1系列芯片在車載ADAS、影像類產品和后視鏡等方面都有SiC技術應用落地。

安謀科技：“芯”機遇 NPU加速終端算力升級

安謀科技產品總監鮑敏祺主要分享了端側AI應用的新機遇，尤其是新的AIGC大模型帶來算力的提升，在圖像識別、信息總結、智能提示等方面展現出強大的SiC技術應用功能，提升了使用SiC產品效率和用戶體驗，使得端側AI應用得到更多的關注和認可。

安謀科技產品總監 鮑敏祺

但目前這種新興SiC技術應用仍面臨不小的挑戰：

一是算力限制：由于memory帶寬的限制，端側模型的大小通常在1-3B之間，高帶寬場景下可達7B。

二是成本與功耗：存儲介質、計算資源的成本和功耗是端側AI面臨的主要挑戰；

三是軟件成熟度：需要不斷迭代優化，以抓住最重要的目標客戶。

安謀科技周易NPU針對智能汽車、手機PC、AIOT等場景分別采用了不一樣的SiC技術應對策略。

智能汽車策略：安謀科技針對智能汽車領域提供了全面的SiC技術解決方案應對智艙一體化趨勢，涵蓋了GPU渲染、前級攝像頭處理、以及安全性相關的SPU和VPU需求。

AI加速卡策略：設計注重安全性，支持高效的圖像和視頻輸入處理，以及JPEG解碼能力。根據SiC技術應用場景的不同（如NVME存儲、車載、手機等），加速卡的功耗和尺寸受到嚴格控制，保證足夠的算力輸出和整體SiC技術方案的多樣性，支持未來多模態模型的SiC技術需求。

AIOT場景策略：由于面積和功耗的限制，算力需求相對較低，但對安全性的要求更高。安謀科技的SiC技術解決方案側重于提供低功耗、高安全性的AI加速能力，適用于聲音和圖像檢測等輕量級任務

周易NPU能夠根據需求裁剪IP，支持從20 TOPS到320 TOPS的算力范圍，以適應不同的SiC技術應用場景。

鮑敏祺還提到，針對下一代周易NPU，安謀科技已布局Wenxin、Llama、GPT等模型，在端側可覆蓋Pad、PC、Mobile，可以從實際場景匹配相應的算力和模型需求，匹配最合適的SiC產品形態。

清純半導體：車載SiC技術最新發展趨勢

清純半導體(寧波)有限公司市場經理詹旭標在演講中回顧了新能源汽車行業的快速增長，分析了目前SiC在主驅應用中的市場接受度。

清純半導體(寧波)有限公司市場經理 詹旭標

SiC技術因其低導通電阻、低開關損耗等優勢，整個電機控制系統有望能降低70%損耗，從而增加5%的行駛里程，已成為提升續航里程和解決補能焦慮的關鍵，詹旭標指出SiC產品上車已成為行業共識。

詹旭標還詳細分析了SiC產業及技術現狀，對比了國內外主流SiC MOSFET技術的平面柵與溝槽柵結構優缺點，以及國際廠家的SiC技術迭代路線。

目前整個SiC產品市場仍然是以國外企業占主導地位。頭部5家外資企業市場份額合計高達91.9%，按Top 10算市場份額更高，國內企業的SiC產品占比非常小。

不管外資還是內資廠商，均在大力擴充產能，Wolfspeed規劃投入64億美元，英飛凌總投資達到50億歐元，國內企業產能規劃大概是1000億，但過于分散。

大面積的擴產，也導致SiC產業逐步開始內卷。根據預測，2026年國內襯底的規劃產能約460萬片，能滿足約3000萬輛新能源汽車的需求，產能將嚴重過剩，而目前SiC器件的價格已在快速下降的過程中。比如從2023年9月份到2024年4月份，SiC市場熱賣的1200V/40mΩ SiC MOS管，平均價格從約35元跌到23元左右，下降幅度約35%，僅為硅基IGBT價格的1.5-2倍，即將抵達觸發SiC市場變革的臨界點。

從SiC技術路線角度看，主要分為兩種技術流派。

第一種是平面柵結構的SiC器件，以Wolfspeed、ST、Onsemi等廠商為代表，特點是工藝成熟，可靠性高，平面柵結構的MOSFET目前也是新能源汽車、光伏、儲能等領域出貨量最大的；

第二種是溝槽柵結構的SiC器件，ROHM、英飛凌、博世為代表，相比于平面柵結構，其特點是比導通電阻（Rsp）更低。

從最近十年的SiC技術發展歷史看，每隔3-6年就會迭代一次，每次迭代導通電阻大概下降20%-25%，目前主流國際大廠的技術水平，如1200V SiC的Rsp約2.3~2.8mΩ，國內廠商約2.8~3.3mΩ。

清純半導體基本上是以1年1代的節奏快速迭代，第一代SiC產品Rsp約3.3mΩ，2023年第二代SiC產品已到2.8mΩ左右，今年會發布第三代SiC產品，Rsp可以做到2.4mΩ，可完全對齊國際巨頭最先進的SiC技術水平，且針對主驅領域推出了24/25/27/30平方毫米等多個尺寸的SiC產品。

詹旭標最后總結到，目前SiC產業發展非常迅猛，SiC功率器件在光儲充的國產替代已經大批量應用，部分企業已率先完成100%國產替代，車規級SiC MOSFET技術與產能已對標國際水平，主驅芯片國產替代已經起步，但由于種種原因，乘用車主驅SiC MOSFET仍依賴進口。

國內在SiC材料、器件領域已進入內卷和洗牌快車道，激烈的競爭促使國內SiC產品價格快速下降、質量不斷提高、SiC產能持續擴大，相信未來2~3年后局面肯定會大幅改善，并最終主導全球供應鏈。

結語

本次年度論壇，一眾企業為我們展示了其最新的SiC產品和SiC技術，一起為半導體SiC產業貢獻了一場科技盛宴，同時也描繪了各類芯片產品在新能源汽車、AI大數據、光儲、消費電子等領域應用潛力，尤其是SiC產業的快速發展和進步令人印象深刻，也讓從業者倍感振奮。

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審核編輯 黃宇