2 納米成為半導(dǎo)體先進制程的決戰(zhàn)點，臺積電、三星、英特爾相繼喊出量產(chǎn)時程，也持續(xù)往再下世代的埃米 （angstorm） 時代布局，High-NA（高數(shù)值孔徑） EUV 則為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵，臺積電除先前傳出取得 High-NA 研發(fā)型 EUV 曝光機外，也首度談及引進量產(chǎn)型機臺時程，持續(xù)掌握埃米時代話語權(quán)。

目前 ASML 推出的三代 EUV 曝光設(shè)備，生產(chǎn)芯片精度最多 2 納米，一旦進入 2 納米以下的埃米時代，就得以更高精準度曝光設(shè)備生產(chǎn)，透過最先進的 High-NA EUV 微影設(shè)備，才能推進半導(dǎo)體技術(shù)下個重大創(chuàng)新，成為先進制程決勝關(guān)鍵。

英特爾今年初宣布已率先向 ASML 購買業(yè)界首臺 High-NA 量產(chǎn)型 EUV 設(shè)備 EXE:5200，其為首款具備 High-NA 的 EUV 大量生產(chǎn)系統(tǒng)，每小時晶圓曝光產(chǎn)能超過 200 片，英特爾并宣布將于 2025 年開始以 High-NA EUV 進行生產(chǎn)。

由于英特爾為當時首家宣布取得 High-NA 量產(chǎn)型 EUV 設(shè)備的半導(dǎo)體廠，格外引發(fā)市場關(guān)注，甚至有研調(diào)機構(gòu)分析師認為，若英特爾可搶先采用該設(shè)備，在摩爾定律競賽中，有機會超車臺積電。

不過，臺積電在日前的北美技術(shù)論壇上，首度談及引進相關(guān)設(shè)備時程，宣布將于 2024 年引入 EXE:5200，以滿足客戶需求并推動創(chuàng)新，但并未透露該設(shè)備大規(guī)模量產(chǎn)時間點，僅表示 2024 年還不準備用新的 High-NA EUV 設(shè)備生產(chǎn)，主要用于與合作伙伴的研究。

然而，在英特爾下訂業(yè)界首臺 High-NA 量產(chǎn)型 EUV 設(shè)備 EXE:5200 前，業(yè)界就傳出臺積電早已向 ASML 采購 High-NA 研發(fā)型 EUV 曝光機 EXE： 5000，除搶下大部分機臺外，相關(guān)設(shè)備今年就能開始供貨，且每小時生產(chǎn)的晶圓片數(shù)為 182 片，與量產(chǎn)型機臺差異不大。

也因此，業(yè)界認為，即便英特爾率先取得量產(chǎn)型機臺 EXE：5200，但對產(chǎn)能幫助可能有限，要在埃米時代拿下市場霸主地位，恐怕還是充滿挑戰(zhàn)。