隨著物聯(lián)網(wǎng)時代的到來，人類的生存環(huán)境即將被智能電子產(chǎn)品包圍，生活也將更加的便利，作為絕大多數(shù)電子產(chǎn)品核心組件的芯片，地位也越來越高，已成為大國之間展開較量的新戰(zhàn)場。

芯片被譽為現(xiàn)代工業(yè)的糧食，體積雖然之后指甲蓋大小，卻隨著制程工藝的更新迭代，已經(jīng)能夠集成幾百億個晶體管，性能有了質(zhì)的提升。

各國頂級半導體科學家在2021年召開的“IEEE國際芯片導線技術(shù)會議”經(jīng)過長時間的交流，終于確定了延續(xù)未來摩爾定律的異質(zhì)整合方法，采用通孔混合異端金屬布線、半鑲嵌制程、零通孔結(jié)構(gòu)方案，解決因硅基晶體管數(shù)量增多而產(chǎn)生的布線擁塞、訊號遲緩等問題，并將導電性、導熱性更好的石墨烯定為2nm及以下制程工藝芯片的關(guān)鍵材料。

臺積電將在2nm節(jié)點使用全新的nanosheet/nanowire（納米片/納米線）晶體管結(jié)構(gòu)取代目前主流的FinFET工藝。

用一個簡單的例子來描述新結(jié)構(gòu)：在最早的Planar工藝下，半導體材料如同一張2D平面的白紙；到了FinFET時代，這張白紙被折成了3D的鰭（Fin）狀，縮小了閘長。而如今為了放下更多晶體管，半導體材料像積木一樣被堆疊起來，就如同高樓大廈一樣立體，最終可以容下更多晶體管。

除了解決晶體管密度問題以外，新工藝另一個目的是為了解決高溫以及漏電（leakage）現(xiàn)象。

來源：鎂客網(wǎng)，科技大表姐綜合整理

審核編輯 ：李倩