臺積電正式公布了其 N2（2 納米級）制造技術，該技術計劃于 2025 年某個時間投入生產，并將成為臺積電第一個使用其基于納米片的柵極全方位場效應的節點晶體管（GAAFET）。新節點將使芯片設計人員能夠顯著降低其產品的功耗，但速度和晶體管密度的改進似乎不太明顯。

從功能集的角度來看，臺積電的 N2 看起來是一項非常有前途的技術。至于實際數字，臺積電承諾 N2 將讓芯片設計人員在相同功率和晶體管數量下將性能提升 10% 至 15%，或者在相同頻率和復雜度下將功耗降低 25% 至 30%，同時，與N3E 節點相比，芯片密度增加了 1.1 倍以上。

臺積電3nm（N3）工藝將于2022年內量產，而臺積電首度推出采用納米片晶體管（GAAFET）架構的2nm（N2）制程工藝，將于2025年量產。

臺積電的第一家2nm工廠位于臺灣北部新竹縣寶山附近的工廠。就在今年6月 5日臺積電宣布將投資1 萬億新臺幣擴大2nm工藝芯片的產量。配合臺積電2納米建廠計劃，中科臺中園區擴建二期開發計劃如火如荼展開。臺積電供應鏈透露，臺積電在中科除了規劃2納米廠，后續的1納米廠也可能落腳此處。

目前，臺積電的2nm開發已經走上正軌，魏哲家表示，臺積電2納米技術去年已經進入技術開發階段，著重于測試載具的設計與實作、光罩制作、以及硅試產。總的來說，臺積電采用新工藝技術的速度越來越慢。傳統上，臺積電每兩年使用一個全新節點開始生產。臺積電的 N7于 2018 年 4 月開始爬坡，N5 于 2020 年 4 月進入 HVM，但 N3 僅在 2022 年下半年用于商業生產。對于N2，我們顯然看到了更長的節奏，這也說明了工藝節點越來越難研發和攻克。

來源：鈦媒體，半導體行業觀察綜合整理

審核編輯 ：李倩