盲源分離和盲辨識(shí)是盲信號(hào)處理的兩大類(lèi)型。盲源分離的目的是求得源信號(hào)的最佳估計(jì)，本文重點(diǎn)講述了轉(zhuǎn)子振動(dòng)盲源分離。
2012-01-02 13:07:36
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挑戰(zhàn)： 設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)并制造一種能夠檢測(cè)和分離循環(huán)腫瘤細(xì)胞（CTC）或母血中的胎兒細(xì)胞的工具，前者的目的是研究腫瘤學(xué)中的個(gè)體化治療，后者是為了實(shí)現(xiàn)無(wú)創(chuàng)性產(chǎn)前診斷。
2021-04-19 11:38:002291 本文匯集了 SiC MOSFET 最新結(jié)果的特定方面，涉及由于應(yīng)用交流柵極偏置應(yīng)力（也稱(chēng)為柵極開(kāi)關(guān)應(yīng)力）導(dǎo)致的閾值電壓 (VT) 退化及其影響溝槽幾何器件對(duì)負(fù)偏壓過(guò)應(yīng)力 (NBO) 效應(yīng)的強(qiáng)烈依賴(lài)
2023-12-22 09:37:02300 
通過(guò)使用TO-247-4L封裝，驅(qū)動(dòng)器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。
2020-08-27 17:44:171005 /10 結(jié)果12345 再12345%10 結(jié)果是5就把第二位分離出來(lái)了3、進(jìn)行這樣的循環(huán) 這個(gè)數(shù)是6位就循環(huán)6次，把結(jié)果存放在一組變量中，這樣就把這個(gè)數(shù)的各位都進(jìn)行分離出來(lái)了4、數(shù)字首位為0，數(shù)碼管不顯
2015-02-20 21:02:02
剖析線(xiàn)纜與連接器技術(shù)的測(cè)試要點(diǎn)
2021-05-11 07:17:13
在大約1000次循環(huán)之后，我無(wú)法可靠地從閃存中寫(xiě)入和讀取數(shù)據(jù)，我想知道我備份和恢復(fù)數(shù)據(jù)的方式是否會(huì)導(dǎo)致該問(wèn)題。第一次對(duì)微控制器編程后，我可以將數(shù)據(jù)保存到閃存中，但是在許多循環(huán)之后，數(shù)據(jù)讀取是一個(gè)很大
2020-05-05 12:43:19
C語(yǔ)言深度剖析
2017-08-25 09:08:28
C語(yǔ)言深度剖析[完整版].pdfC語(yǔ)言深度剖析[完整版].pdf (919.58 KB )
2019-03-19 05:11:41
EEPROM擦寫(xiě)頻率EEPROM擦寫(xiě)頻率怎么理解？怎么根據(jù)擦寫(xiě)頻率選擇EEPROM還是flash？比如如下這個(gè)案列每100ms采集一次數(shù)據(jù)，每秒存20個(gè)字節(jié)（實(shí)際使用清空EEPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是每周
2022-11-09 18:56:36
STM32f0301. FLASH擦寫(xiě)時(shí)間2. FLASH擦寫(xiě)次數(shù)和數(shù)據(jù)保存年限只能擦寫(xiě)1000次，有點(diǎn)少。非必要，不要擦寫(xiě)。比如記憶流水號(hào)之類(lèi)，經(jīng)常變動(dòng)的數(shù)據(jù)，最好使用EEPROM
2021-08-05 06:46:03
應(yīng)用程序提供一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)作為輸入。數(shù)據(jù)應(yīng)存儲(chǔ)在SPI Flash中。然后固件使用該值進(jìn)行計(jì)算，然后與FPGA進(jìn)行I2C通信，將結(jié)果發(fā)送到FPGA。我應(yīng)該如何分離SPI閃存以滿(mǎn)足我的要求？在固件和引導(dǎo)
2018-11-29 11:50:35
能有著重要的影響。 河北工業(yè)大學(xué)省部共建電工裝備可靠性與智能化國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的研究人員，針對(duì)現(xiàn)階段仍存在的問(wèn)題，對(duì)于不同功率循環(huán)下的IGBT的熱退化特性進(jìn)行了研究。設(shè)計(jì)了動(dòng)態(tài)實(shí)驗(yàn)，對(duì)不同的工作模式下IGBT模塊的退化
2020-12-10 15:06:03
最近在用Labview做三相電流不平衡度以及諧波的相關(guān)問(wèn)題，其中用到了FFT模塊，用以輸出各次諧波的幅值和相位，然后用For循環(huán)編寫(xiě)各次諧波正負(fù)零序分量的計(jì)算，我用負(fù)序分量來(lái)說(shuō)明問(wèn)題，程序如下1.
2013-10-14 17:30:46
急求：在labview中如何去直流分量
2017-04-24 18:41:48
STM32f030內(nèi)部的FLASH擦寫(xiě)時(shí)間是多少？STM32f030內(nèi)部的FLASH擦寫(xiě)次數(shù)是多少？STM32f030內(nèi)部的FLASH擦寫(xiě)電流是多少？
2021-10-22 06:23:26
做了一個(gè)串口讀取并分離的程序，但是目前只能進(jìn)行實(shí)時(shí)分離，但是實(shí)時(shí)分離的話(huà)，整個(gè)程序運(yùn)行很慢，分離速度也很慢。如果不進(jìn)行實(shí)時(shí)分離的話(huà)，串口接收并存儲(chǔ)數(shù)據(jù)很快，想法是把保存的數(shù)據(jù)打開(kāi)另外進(jìn)行分離，想問(wèn)問(wèn)各位大神怎么做到打開(kāi)文件（格式是dat）進(jìn)行分離。
2017-05-23 22:29:02
信號(hào)頻譜零點(diǎn)處有很大的幅值是不是說(shuō)明信號(hào)有直流分量，LabVIEW里怎么實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)直流分量的去除呢？
2013-11-13 09:30:45
【作者】：李璠;曾晨暉;【來(lái)源】：《測(cè)控技術(shù)》2010年03期【摘要】：后驅(qū)動(dòng)技術(shù)作為故障注入的有效方法,適用于數(shù)字電路在線(xiàn)故障注入,然而后驅(qū)動(dòng)技術(shù)對(duì)器件產(chǎn)生的加速退化作用不容忽視。在分析后驅(qū)動(dòng)技術(shù)
2010-04-22 11:29:19
基于labview的頻譜細(xì)化分析方法
2012-05-06 11:35:33
概述有些應(yīng)用有著嚴(yán)格實(shí)時(shí)需求，需要在操作閃存擦除/編程時(shí)保證程序仍然能運(yùn)行及響應(yīng)一些關(guān)鍵信息來(lái)保證整個(gè)系統(tǒng)的正常。但是一般存儲(chǔ)執(zhí)行擦寫(xiě)操作時(shí)CPU會(huì)停止運(yùn)行，并且花費(fèi)時(shí)間較長(zhǎng)，這就會(huì)導(dǎo)致一些異常情況
2022-02-14 07:39:42
解決方案要貴得多。差異化的多晶硅浮柵嵌入式閃存多年來(lái)，大多數(shù) IDM 都在為需要嵌入式閃存的應(yīng)用使用類(lèi)似的 1T 多晶硅浮柵堆疊解決方案。在過(guò)去二十年間，創(chuàng)新型分離柵極 SuperFlash?技術(shù)憑借其
2020-08-14 09:31:37
本文采用恒定溫度應(yīng)力加速壽命試驗(yàn)對(duì)功率VDMOS的可靠性進(jìn)行了研究，得到較為完整的可靠性數(shù)據(jù)，并分析得到引起其漏源電流IDS退化的主要失效機(jī)理是柵極擊穿，從而為功率VDMOS類(lèi)型器件的加工制造及應(yīng)用等方面提供有價(jià)值的數(shù)據(jù)。
2021-04-14 06:37:09
搜索相關(guān)資料，得知處理器的老化并不會(huì)影響計(jì)算規(guī)格和速度，那么它主要的退化指標(biāo)（方便監(jiān)測(cè)的）是什么呢？或者故障前會(huì)有哪些征兆？求大神解答~
2015-04-03 09:16:14
EEPROM通常擦寫(xiě)次數(shù)都在百萬(wàn)次以下，如果每秒寫(xiě)一次，幾天就廢了，有沒(méi)有擦寫(xiě)次數(shù)無(wú)限制的類(lèi)似產(chǎn)品？
2023-11-08 06:15:04
求xc886的Flash的擦寫(xiě)例程
2018-12-18 09:37:47
求大神詳細(xì)剖析GM的VOLT車(chē)
2021-05-18 06:14:30
感性設(shè)備運(yùn)行中，感性電流分量建立交變磁場(chǎng)，這種感性電流分量產(chǎn)生磁場(chǎng)能和電能相互轉(zhuǎn)化，不轉(zhuǎn)變成其它能量(如熱能、機(jī)械能、化學(xué)能等)，感性電流分量產(chǎn)生的功率在負(fù)載和之間往返，沒(méi)有被消耗，稱(chēng)為無(wú)功功率;同樣地對(duì)于容性負(fù)載，容性電壓分量建立交變電場(chǎng)，電場(chǎng)能和
2021-09-10 06:20:41
“表觀功率”。今天，我打算提出一個(gè)相關(guān)的比喻來(lái)解釋柵極驅(qū)動(dòng)器在PFC設(shè)計(jì)中的作用。首先，讓我們來(lái)簡(jiǎn)單介紹一下PFC電路的分類(lèi)。PFC電路整體上分為無(wú)源（被動(dòng)式）或有源（主動(dòng)式）電路。創(chuàng)建無(wú)源PFC電路，需要
2022-11-15 07:41:41
使用簡(jiǎn)化的SVPWM算法，直軸分量很小，使用經(jīng)典的SVPWM算法，直流分量很大，這是為什么呢？
2017-11-02 14:59:32
大家好間接編程閃存有問(wèn)題。該工具為ISE 14.7，閃存部分為s25fl512。FPGA部分為xc7k410t-2ffg900。我的主板上有兩個(gè)FPGA，一個(gè)jtag菊花鏈。我使用4x spi配置
2020-06-05 10:17:49
大屏是數(shù)據(jù)可視化分析的一個(gè)展示方式，和pc（電腦）端、手機(jī)移動(dòng)端一樣都需要在pc端進(jìn)行規(guī)劃和設(shè)計(jì)。那么，怎么在pc端快速制作一張大屏數(shù)據(jù)可視化分析報(bào)表？需要注意些什么問(wèn)題？我們接著往下看。一、報(bào)表
2020-09-08 16:58:47
以獨(dú)立分量分析為主要對(duì)象, 描述了盲信號(hào)源分離技術(shù)的基本模型，介紹了盲分離的主要方法和數(shù)學(xué)原理, 分析了盲信號(hào)源的可辨識(shí)性。提出基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)無(wú)監(jiān)督學(xué)習(xí)的盲分離方法
2009-03-10 20:46:08
19 Xicro公司生產(chǎn)的X25Fxx 系列非易失性快速擦寫(xiě)串行 RAM 具有功耗低, 擦寫(xiě)速度快的特點(diǎn) ,它采用 SPI 三總線(xiàn)接口,可與各種單片機(jī)連接,且具有很完善的數(shù)據(jù)保護(hù)功能。本文從應(yīng)用角度出發(fā)
2009-04-25 16:01:3518 在實(shí)際的工作中，我們經(jīng)常要用某種圖像恢復(fù)算法對(duì)退化圖像進(jìn)行恢復(fù)。本文根據(jù)退化圖像的特點(diǎn)，分析和研究了幾種常用恢復(fù)算法的特點(diǎn)及適用情況，并在VC++.net 環(huán)境下對(duì)這些恢
2009-08-24 08:44:1713 該文以α 穩(wěn)定分布作為噪聲模型，研究了脈沖噪聲環(huán)境下循環(huán)平穩(wěn)信號(hào)的波達(dá)方向估計(jì)問(wèn)題。針對(duì)在脈沖噪聲環(huán)境中基于傳統(tǒng)2 階循環(huán)相關(guān)的算法效果顯著退化的問(wèn)題，該文提出了基
2009-11-09 11:49:427 本文在盲信號(hào)處理的背景下介紹了獨(dú)立分量分析算法的原理及特點(diǎn)。針對(duì)語(yǔ)音信號(hào)復(fù)雜多變、但源信號(hào)保持相互獨(dú)立的特點(diǎn)，采用了改進(jìn)后的FICA 方法對(duì)混合語(yǔ)音信號(hào)進(jìn)行分離，
2009-12-07 13:36:5810 圖像人工退化即通過(guò)可逆的方式人為降低圖像的視覺(jué)質(zhì)量，主要應(yīng)用于商用多媒體領(lǐng)域。本文提出了一種基于乘性噪聲和混沌流密碼的快速圖像人工退化的算法，得到了此算模型
2009-12-22 11:51:1323 介紹兩臺(tái)35t/h 循環(huán)流化床鍋爐存在的旋風(fēng)分離器磨損情況，對(duì)其磨損原因進(jìn)行了分析，并采取了改造，取得了良好的效果。
2010-02-04 14:22:429 鞍山市第二熱電廠是與國(guó)家節(jié)能投資公司共同投資興建的熱電廠，一期工程采用由清華大學(xué)與四川鍋爐廠聯(lián)合研究試制的三臺(tái)75T／H次高壓平面流化分離循環(huán)流化床鍋爐和引進(jìn)奧
2010-02-04 14:45:1418 開(kāi)發(fā)了一個(gè)基于閃存平臺(tái)的嵌入式文件系統(tǒng)。為保證閃存扇區(qū)的平均使用率和均衡擦寫(xiě)次數(shù)，引入了損壞管理策略，在這種策略中采用了動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)空間管理模式和先入先出（FIFO）策
2010-09-30 16:24:5721 色差分量接口色差分量（Component）接口采用YPbPr和YCbCr兩種標(biāo)識(shí)，前者表示逐行掃描色差輸出，后者表示隔行掃描色差輸出。色差分量接口一般利用3根信號(hào)線(xiàn)
2008-06-30 17:20:323923 V分量逐行倒相原理
2009-07-31 11:38:391300
圖像信號(hào)中的直流分量
2009-07-31 12:21:544463
圖像信號(hào)中的直流分量的影響
2009-07-31 12:22:421616 獨(dú)立分量分析在心電信號(hào)處理中的應(yīng)用
獨(dú)立分量分析ICA(Independent Component Analysis)是近來(lái)發(fā)展起來(lái)的一種新的盲源分離方法BSS(Blind Source Separation)[1]。ICA處理的對(duì)象是一組
2009-11-07 09:58:371395 
正確選擇閃存寫(xiě)入緩沖區(qū)大小，優(yōu)化擦寫(xiě)速度
在各種電子技術(shù)快速發(fā)展和電子市場(chǎng)高速擴(kuò)大的今天，存儲(chǔ)器的需求量迅猛增長(zhǎng)。在眾多存儲(chǔ)器類(lèi)型中，NOR型閃存由于具有隨
2009-11-23 10:00:04966 恒憶閃存抗X射線(xiàn)
恒憶閃存基于浮柵技術(shù)。閃存晶體管的絕緣柵極（浮柵）捕獲（或排除）電子，因此，晶體管的閾值電壓被修改（偏離原始電壓值）。在附加的編程和
2010-04-12 14:12:16641 
恒憶閃存基于浮柵技術(shù)。閃存晶體管的絕緣柵極(浮柵)捕獲(或排除)電子，因此，晶體管的閾值電壓被修改(偏離原始
2010-10-18 09:54:481629 簡(jiǎn)介
嵌入式微控制器越來(lái)越多樣化，可以滿(mǎn)足嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)的應(yīng)用需求，而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫(xiě)的非易失性只讀存儲(chǔ)器)的閃
2010-11-17 10:08:28683 
圖像由于受到如模糊、失真、噪聲等的影響，會(huì)造成圖像質(zhì)量的下降，形成退化的數(shù)字圖像
2011-05-05 15:10:140 電力系統(tǒng)不對(duì)稱(chēng)運(yùn)行分析方法 —對(duì)稱(chēng)分量法
2015-11-02 11:20:340 什么是閃存？閃存的存儲(chǔ)單元為三端器件，與場(chǎng)效應(yīng)管有相同的名稱(chēng)：源極、漏極和柵極。柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層，用來(lái)保護(hù)浮置柵極中的電荷不會(huì)泄漏。
2016-11-01 17:18:4224156 
針對(duì)現(xiàn)有的NAND閃存垃圾回收算法對(duì)磨損均衡考慮不足的問(wèn)題，提出了一種基于邏輯頁(yè)冷熱分離的NAND閃存磨損均衡算法。算法同時(shí)考慮了無(wú)效頁(yè)的年齡、物理塊的擦除次數(shù)以及物理塊更新的頻率，采用混合模式選擇
2017-12-19 10:37:590 針對(duì)遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)中管道磁導(dǎo)率不均勻嚴(yán)重影響缺陷信號(hào)檢測(cè)的問(wèn)題，本文提出一種新的基于獨(dú)立分量分析的遠(yuǎn)場(chǎng)渦流缺陷信號(hào)盲分離技術(shù)。首先利用有限元仿真對(duì)獨(dú)立分量分析在缺陷分離中的適用性進(jìn)行了詳細(xì)分析，證實(shí)
2018-01-17 11:46:530 廣泛的應(yīng)用前景，因此目前關(guān)于盲源分離的理論研究及實(shí)際應(yīng)用快速發(fā)展，已成為信號(hào)處理領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。 當(dāng)源信號(hào)各分量差異較大或全局矩陣為非行元素優(yōu)勢(shì)矩陣時(shí)，基于串音誤差的變步長(zhǎng)等變自適應(yīng)分離（ EASI）算法難以正確評(píng)價(jià)分離效果，導(dǎo)致步長(zhǎng)選取錯(cuò)誤。針對(duì)該問(wèn)
2018-01-29 15:04:250 針對(duì)如何提取紙幣圖像特征和提高識(shí)別率的問(wèn)題，綜合利用退化四元小波變換具有的相位特性，提出一種基于退化四元小波變換的紙幣識(shí)別方法。該方法首先對(duì)采集的紙幣圖像進(jìn)行傾斜校正和邊緣檢測(cè)，然后運(yùn)用退化
2018-03-14 10:43:050 。SST25VF020B SPI
串行閃存采用 SST 專(zhuān)有的高性能 CMOS SuperFlash? 技術(shù)制造。與其他方法相比，分離柵極單元設(shè)計(jì)
和厚氧化層隧穿注入器可實(shí)現(xiàn)更高的可靠性和可制造性。
2018-06-29 15:23:0010 CMOS SuperFlash? 技術(shù)
制造。與其他方法相比，分離柵極單元設(shè)計(jì)和厚氧化層隧穿注入器可實(shí)現(xiàn)更高的可靠性和可制造性。
2018-06-29 15:23:0021 “耐擦寫(xiě)能力 （Endurance）”（指 EEPROM）的定義中包含一些需要明確定義和理解的詞語(yǔ)和短語(yǔ)。從以下段落可以看出，不同廠商使用不同的標(biāo)準(zhǔn)。“耐擦寫(xiě)循環(huán)（Endurance Cycling
2018-06-20 09:26:006 閃存塊（Block）具有一定的壽命，不是長(zhǎng)生不老的。前面提到，當(dāng)一個(gè)閃存塊接近或者超出其最大擦寫(xiě)次數(shù)時(shí)，可能導(dǎo)致存儲(chǔ)單元的永久性損傷，不能再使用。隨著閃存工藝不斷向前，這個(gè)擦寫(xiě)次數(shù)也變得越來(lái)越小。
2018-07-25 11:09:164521 
不過(guò)，也不全是好消息，因?yàn)槿碌?b class="flag-6" style="color: red">閃存是QLC，比TLC閃存擦寫(xiě)壽命更短，更別說(shuō)和MLC相比了，目前TLC閃存的可擦寫(xiě)壽命為3000PE，而QLC的可擦寫(xiě)壽命為1000PE。但是QLC閃存容量大，價(jià)格
2018-09-05 15:29:504714 在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次，而NOR的擦寫(xiě)次數(shù)是十萬(wàn)次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì)，典型的NAND塊尺寸為NOR器件的八分之一，每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
2018-10-07 15:37:0012471 細(xì)胞辨識(shí)、觀察、計(jì)數(shù)與純化分離是生物醫(yī)療領(lǐng)域中不可或缺的基礎(chǔ)技術(shù)。20世紀(jì)中葉，一種通過(guò)連續(xù)高壓流體牽引大量細(xì)胞通過(guò)特定訊號(hào)辨識(shí)系統(tǒng)的概念被提出，并發(fā)展為目前生物醫(yī)療研究常用的一項(xiàng)設(shè)備－流式細(xì)胞分選儀。
2018-12-05 14:25:083716 如今市面上的SSD固態(tài)硬盤(pán)閃存以TLC、QLC閃存為主，而長(zhǎng)壽命、高可靠的SLC、MLC已經(jīng)退出消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)，只能在企業(yè)級(jí)、工業(yè)級(jí)、嵌入式等一些特殊領(lǐng)域找到，尤其是最早的SLC幾乎絕跡。
2019-12-25 08:52:522824 基于溫度步進(jìn)應(yīng)力實(shí)驗(yàn)，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同溫度應(yīng)力下的退化規(guī)律及退化機(jī)理。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)： 在結(jié)溫為 139 ～ 200 ℃ 時(shí)，AlGaN /GaN HEMT 器件
2020-06-23 08:00:002 得益于容量大、價(jià)格低的優(yōu)勢(shì)，如今越來(lái)越多的SSD硬盤(pán)轉(zhuǎn)向QLC閃存，大家擔(dān)心的主要是QLC閃存的壽命，具體來(lái)說(shuō)就是P/E擦寫(xiě)次數(shù)，通常在1000次左右，而IBM現(xiàn)在解決了QLC壽命問(wèn)題，做到了史無(wú)前例的16000次擦寫(xiě)壽命，壽命比SLC還強(qiáng)。
2020-12-08 09:40:034096 本應(yīng)用筆記旨在提供有關(guān)如何防止閃存意外擦寫(xiě)操作（可能導(dǎo)致輕微到災(zāi)難性現(xiàn)場(chǎng)故障）的指南和最佳實(shí)踐。在固件中添加閃存編程保護(hù)功能有助于降低發(fā)生問(wèn)題的風(fēng)險(xiǎn)，確保穩(wěn)健的現(xiàn)場(chǎng)更新。以下內(nèi)容通過(guò)了解潛在問(wèn)題來(lái)提高固件的穩(wěn)健性，并提供了避免這些問(wèn)題的方法。
2021-03-30 14:19:078 “耐擦寫(xiě)能力 （Endurance）”（指 EEPROM）的定義中包含一些需要明確定義和理解的詞語(yǔ)和短語(yǔ)。從以下段落可以看出，不同廠商使用不同的標(biāo)準(zhǔn)。“耐擦寫(xiě)循環(huán)（Endurance Cycling
2021-05-11 09:41:488 生化分析儀又叫生化儀，作為各級(jí)醫(yī)院醫(yī)學(xué)檢驗(yàn)科中基本的診斷分析儀器，從研發(fā)到現(xiàn)在，經(jīng)歷了分光光度計(jì)、半自動(dòng)生化分析儀、全自動(dòng)生化分析儀三個(gè)階段。工作原理也從手工操作發(fā)展為自動(dòng)化分析，從有限的常規(guī)檢測(cè)
2021-10-18 16:27:122856 剖析N930X可編程重復(fù)擦寫(xiě)語(yǔ)音芯片
2021-10-29 17:35:012 STM32f0301. FLASH擦寫(xiě)時(shí)間2. FLASH擦寫(xiě)次數(shù)和數(shù)據(jù)保存年限只能擦寫(xiě)1000次，有點(diǎn)少。非必要，不要擦寫(xiě)。比如記憶流水號(hào)之類(lèi)，經(jīng)常變動(dòng)的數(shù)據(jù)，最好使用EEPROM
2021-12-01 20:36:1314 APM32F103RCT6_Flash_擦寫(xiě)失敗
2022-11-09 21:03:240 日前在Tech Field Day 2022技術(shù)峰會(huì)預(yù)覽下一代192層3D閃存芯片時(shí)，Solidigm明確指出，這是QLC顆粒（4bits/cell）。
2022-11-10 10:39:34700 AN5507_STM32H7 系列閃存接口中的循環(huán)冗余校驗(yàn)
2022-11-21 08:11:130 本文介紹了在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中為功率級(jí)選擇隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，您有多種選擇。柵極驅(qū)動(dòng)器可簡(jiǎn)單可復(fù)雜，具有集成米勒箝位、分離輸出或絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 發(fā)射極的欠壓 （UVLO） 鎖定參考等功能。
2022-11-30 09:58:211105 
參考圖中 spring 解決循環(huán)依賴(lài) 的過(guò)程可知，spring 利用三級(jí)緩中的 objectFactory 生成并返回一個(gè) early 對(duì)象，提前暴露這個(gè) early 地址，供其他對(duì)象依賴(lài)注入使用，以此解決循環(huán)依賴(lài)問(wèn)題。
2022-12-22 10:34:01328 近年來(lái)，隨著微流控芯片技術(shù)的不斷發(fā)展，其在生化分析、臨床醫(yī)學(xué)和環(huán)境檢測(cè)等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。微粒或細(xì)胞的分離是微流控芯片的一項(xiàng)重要應(yīng)用。微流控芯片與磁泳結(jié)合的分離技術(shù)以其低成本、高選擇性和高生物相容性等優(yōu)勢(shì)為生化分析、臨床醫(yī)學(xué)和環(huán)境工程等領(lǐng)域開(kāi)辟了新的發(fā)展方向。
2022-12-27 14:37:25871 在FreeRTOS環(huán)境下，如果外部擦寫(xiě) Flash，禁用指令緩存以避免在多個(gè)任務(wù)中使用來(lái)自Flash 的分支預(yù)測(cè)和應(yīng)用程序同步操作 Flash的緩存預(yù)加載指令。因?yàn)榇a是XIP，所以向量
2023-01-30 09:18:311198 熱穩(wěn)定性，Ir鉗形配合物在輕微苛刻的反應(yīng)條件下就會(huì)分解，導(dǎo)致催化劑失活。同時(shí)，催化劑分離和循環(huán)利用問(wèn)題也限制了均相催化劑的發(fā)展。因此，設(shè)計(jì)熱穩(wěn)定、高活性的單位點(diǎn)Ir脫氫催化劑仍然是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。? 近日，中科院金屬所沈陽(yáng)材料科學(xué)
2023-05-23 11:33:02470 
語(yǔ)音芯片因其具有功耗低，抗干擾能力強(qiáng)，外圍器件少，控制簡(jiǎn)單，語(yǔ)音保存時(shí)間久，掉電不丟失語(yǔ)音，部分芯片還可以重復(fù)擦寫(xiě)語(yǔ)音內(nèi)容的特點(diǎn)，那么哪些語(yǔ)音芯片是可以重復(fù)擦寫(xiě)的呢？下面請(qǐng)跟著九芯電子小編的步伐往下
2022-10-17 10:17:39451 
NOR和NAND是目前市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)，其中NANDFlash存儲(chǔ)器具有容量較大，擦寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)。它們的廣泛應(yīng)用就不用小編敲黑板了吧？然而，市場(chǎng)上流行的NANDFlash產(chǎn)品，尤其是
2023-03-31 10:34:54383 
HTMD線(xiàn)束在不良環(huán)境下使用，如灰塵、潮濕、腐蝕性氣體等，會(huì)導(dǎo)致其性能退化。灰塵和污垢會(huì)進(jìn)入HTMD線(xiàn)束內(nèi)部，影響接觸件的接觸效果，導(dǎo)致傳輸信號(hào)不穩(wěn)定。
2023-06-15 18:26:57386 
高壓連接器的材料退化是指其關(guān)鍵部件在受到環(huán)境因素、電應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力的作用后，性能逐漸下降的現(xiàn)象。
2023-07-05 17:26:29367 
語(yǔ)音芯片的型號(hào)有哪些？為什么強(qiáng)烈推薦使用flash型可擦寫(xiě)的芯片。這里我們簡(jiǎn)單描述一下如下常見(jiàn)類(lèi)容：
1、他們都有什么特點(diǎn)？以及發(fā)展的歷程簡(jiǎn)介
2、常見(jiàn)的語(yǔ)音芯片有哪些？
3、為什么推薦使用flash型可以重復(fù)擦寫(xiě)的
2023-08-14 11:05:24397 
一、正序、負(fù)序和零序分量 電力系統(tǒng)的正序、負(fù)序和零序分量是根據(jù)A、B、C三相的順序來(lái)確定的。 1、正序分量 A相領(lǐng)先B相120°，B相領(lǐng)先C相120°，C相領(lǐng)先A相120°。 2、負(fù)序分量 A相落后
2023-09-19 09:43:054042 為什么源極退化電阻會(huì)使共源級(jí)的增益變小呢？? 共源級(jí)放大電路是最常用的放大電路之一，其具有簡(jiǎn)單的電路結(jié)構(gòu)、高輸入電阻、低輸出阻抗等優(yōu)點(diǎn)。其常用的場(chǎng)合，如工業(yè)、農(nóng)業(yè)、醫(yī)療等領(lǐng)域，均要求放大電路具有
2023-09-21 15:52:211385 一、在三相電路中，由于負(fù)載的不平衡，往往會(huì)使電路中的電壓、電流不對(duì)稱(chēng)。要對(duì)這種不對(duì)稱(chēng)電壓或電流進(jìn)行分析，可以把它們分解成三組分量：正序分量、負(fù)序分量、零序分量。設(shè)電源的相序?yàn)锳BC
2023-09-24 16:14:464495 針對(duì)當(dāng)前飛機(jī)健康管理研究中缺乏壽命及可靠性基礎(chǔ)數(shù)據(jù)的問(wèn)題，以飛機(jī)液壓系統(tǒng)為具體研究對(duì)象，分析了飛機(jī)液壓系統(tǒng)中關(guān)鍵部件——液壓泵的性能退化原因和機(jī)理，并構(gòu)建了液壓泵的性能退化模型。基于所建立的性能退化
2023-10-30 16:04:18551 
服役狀態(tài)下的 IGBT 模塊處于亞穩(wěn)定狀態(tài)，其材料和結(jié)構(gòu)會(huì)隨著時(shí)間的推移發(fā)生狀態(tài)改變或退化。IGBT 模塊在整個(gè)壽命周期內(nèi)，會(huì)經(jīng)歷數(shù)萬(wàn)至數(shù)百萬(wàn)次的溫度循環(huán)沖擊，這期間熱應(yīng)力的反復(fù)作用會(huì)使材料發(fā)生疲勞，造成模塊封裝結(jié)構(gòu)的逐漸退化。
2023-11-19 10:03:53303 
深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
2023-11-24 14:48:25220 
什么是可重復(fù)擦寫(xiě)（Flash型）語(yǔ)音芯片？可重復(fù)擦寫(xiě)（Flash型）語(yǔ)音芯片是一種嵌入式語(yǔ)音存儲(chǔ)解決方案，采用了Flash存儲(chǔ)技術(shù)，使得語(yǔ)音內(nèi)容能夠被多次擦寫(xiě)、更新，為各種嵌入式系統(tǒng)提供了靈活的語(yǔ)音
2023-12-14 10:08:54185 
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