由武漢船舶設(shè)計(jì)研究院設(shè)計(jì)的長(zhǎng)江葛洲壩浮式船閘檢修閘門選型使用武漢瑩佳靜磁柵水位傳感器。 浮式檢修門各壓載水艙進(jìn)排水、小圍堰進(jìn)排水等都采用電動(dòng)控制蝶閥控制。主排水泵采用變頻控制。小圍堰排水泵采用
2018-10-24 11:38:35
電容開(kāi)關(guān)的外觀結(jié)構(gòu)相對(duì)緊湊簡(jiǎn)單，體積小，相比之下浮球開(kāi)關(guān)的體積較大。這使得電容開(kāi)關(guān)更適合在空間有限的情況下使用，尤其是對(duì)于一些小型設(shè)備或者需要集成在其他系統(tǒng)中的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，電容開(kāi)關(guān)更具優(yōu)勢(shì)。
浮球開(kāi)關(guān)
2023-09-07 13:21:18
`工作原理：浮球式液位計(jì)是利用液體對(duì)磁性浮球的浮力原理，磁性浮球隨液位變化的位移量轉(zhuǎn)化成模擬線性的4～20mA標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)輸出，變送器電源24VDC，二線制工作形式。具有工作穩(wěn)定可靠，無(wú)須調(diào)整等特點(diǎn)
2013-07-10 16:24:10
`KZ/FQ型浮球液位傳感器，廣泛應(yīng)用于各種液位的測(cè)量，如油，水，污水，酸，堿等介質(zhì)的液體。采用隔爆接線盒和本安放大電路，導(dǎo)桿和浮球不銹鋼材料。 應(yīng)用范圍廣，可靠性高。北京昆侖中大工控，咨詢熱線400-661-3026`
2013-05-13 13:33:37
浮球液位計(jì)如何正確選擇 浮球液位計(jì)是根據(jù)阿基米德浮力原理設(shè)計(jì)和工作的，由于其在食品、石化、環(huán)保等行業(yè)有著非常廣泛的應(yīng)用，而這些場(chǎng)合的工況復(fù)雜多樣，如果選擇不當(dāng)，就難以準(zhǔn)確甚至無(wú)法用于液位的測(cè)量
2020-06-19 14:15:19
所需的ECC糾錯(cuò)能力讓系統(tǒng)人員越來(lái)越難以應(yīng)付。 過(guò)去，ECC一直被用于提高NAND閃存子系統(tǒng)的整體數(shù)據(jù)可靠性。但是，隨著NAND單元不斷縮小，每個(gè)浮柵內(nèi)貯存的電子數(shù)量越來(lái)越少。因此，為彌補(bǔ)更小的存儲(chǔ)單元所產(chǎn)生的更高的位誤碼率，我們必須大幅提高ECC糾錯(cuò)能力，以維持所需的系統(tǒng)可靠性。
2019-11-11 07:52:28
HM-95VH 浮球液位開(kāi)關(guān)HM-95VH 浮球液位開(kāi)關(guān) HM-95VH 浮球液位開(kāi)關(guān)供應(yīng)韓國(guó)HITROL浮球液位開(kāi)關(guān)吳經(jīng)理：132.4667.5433 / 0755-26998458工作Q
2019-04-24 17:26:27
LTC4020三段式充電，使用電子負(fù)載器對(duì)量產(chǎn)板測(cè)試充電曲線，發(fā)覺(jué)有些板恒壓充轉(zhuǎn)不了浮充，電流已降至0，就是轉(zhuǎn)不到浮充電壓
2024-01-05 14:20:06
對(duì)于自動(dòng)化儀表，最常見(jiàn)的防爆形式有MTL安全柵、隔爆型和增安型。由于電子技術(shù)的飛速發(fā)展和低功耗電子器件的不斷誕生，使本安防爆技術(shù)的推廣和應(yīng)用有了更為廣闊的空間。特別是由于本質(zhì)安全型（也稱“本安型
2018-07-04 14:23:34
之間具有額外的電絕緣浮柵。由于浮柵是電隔離的，所以即使在去除電壓之后，到達(dá)柵極的電子也會(huì)被捕獲。這就是閃存非易失性的原理所在。另外，采用FG浮柵技術(shù)的3D NAND的存儲(chǔ)單元相互獨(dú)立，而采用CTF電荷
2020-11-19 09:09:58
位變動(dòng)和增加了對(duì)模擬電路的感應(yīng)干擾。一個(gè)折衷方案是在浮地與公共地之間跨接一個(gè)阻值很大的泄放電阻，用以釋放所積累的電荷。注意控制釋放電阻的阻抗，太低的電阻會(huì)影響設(shè)備泄漏電流的合格性。1：浮地技術(shù)的應(yīng)用a
2019-01-22 15:12:36
本文通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無(wú)損。隨著
2021-01-22 06:45:02
什么是接地信號(hào)，什么是浮地信號(hào)？在數(shù)據(jù)采集卡的接線中，信號(hào)源分接地信號(hào)和浮地信號(hào)，然后接線的終端模式又差分，單端，非參考單端，那么什么是接地信號(hào)，什么是浮地信號(hào)？
2015-03-11 14:44:29
昆山浮球開(kāi)關(guān)是一種構(gòu)造簡(jiǎn)樸，運(yùn)用起來(lái)非常利便的液位控制零件，實(shí)在它設(shè)有非常復(fù)雜的電路，不會(huì)會(huì)遭到干擾，只要材料選擇的正確，對(duì)于任何性質(zhì)的液體好和溫度皆可運(yùn)用。浮球開(kāi)關(guān)哪家好http://www.ksoufeiya.com市場(chǎng)上來(lái)說(shuō)產(chǎn)品的種類是良多的，在名稱上也會(huì)有良多叫法。
2012-07-26 10:21:52
代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求存儲(chǔ)器的隨機(jī)訪存速度更快。經(jīng)過(guò)研究人員對(duì)浮柵存儲(chǔ)技術(shù)的堅(jiān)持不懈的研究，現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應(yīng)該有所提升，盡管如此，現(xiàn)在人們?cè)絹?lái)越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級(jí)到更小
2019-06-26 07:11:05
低壓共源共柵結(jié)構(gòu)是什么？具有最小余度電壓的共源共柵電流源是什么？
2021-09-29 06:47:22
模擬市場(chǎng)上通用的雙柵場(chǎng)效應(yīng)管 BF988MS庫(kù)里面的BF988有零件但是沒(méi)有仿真模型我查閱BF904 發(fā)現(xiàn)技術(shù)參數(shù)相當(dāng)可以替代
2017-12-21 14:57:33
分離式液位傳感器是一種新型的液位檢測(cè)設(shè)備，它可以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的浮球傳感器。相比于浮球傳感器，分離式液位傳感器具有以下優(yōu)勢(shì)：
精度高：分離式液位傳感器采用先進(jìn)的電容式檢測(cè)技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)高精度的液位檢測(cè)
2023-06-20 14:02:25
臺(tái)面刻蝕深度對(duì)埋
柵SITH
柵陰擊穿的影響針對(duì)臺(tái)面刻蝕深度對(duì)埋
柵型靜電感應(yīng)晶閘管（ＳＩＴＨ）
柵陰擊穿特性的影響做了實(shí)驗(yàn)研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，隨著臺(tái)面刻蝕深度的增大，器件
柵陰擊穿由原來(lái)的軟擊穿變?yōu)橛矒舸?/div>
2009-10-06 09:30:24
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應(yīng)用呢？如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設(shè)計(jì)呢？
2022-01-14 07:02:41
我想學(xué)習(xí)磁柵尺在STM32里的設(shè)計(jì)與應(yīng)用 能指點(diǎn)嗎？
2018-10-29 10:09:19
層層環(huán)節(jié)，成本大，銷售價(jià)格高，大大地限制了國(guó)內(nèi)各機(jī)床廠的使用和該項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展。 高性能的抗干擾能力，可靠耐用，減少維修，無(wú)需拼接便可直接實(shí)現(xiàn)最長(zhǎng)為8米的整體尺。拼接可達(dá)30米，球柵尺有效長(zhǎng)度從0.5米
2021-11-19 15:25:42
顯尺經(jīng)過(guò)層層環(huán)節(jié)，成本大，銷售價(jià)格高，大大地限制了國(guó)內(nèi)各機(jī)床廠的使用和該項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展。 高性能的抗干擾能力，可靠耐用，減少維修，無(wú)需拼接便可直接實(shí)現(xiàn)最長(zhǎng)為8米的整體尺。拼接可達(dá)30米，球柵尺有效長(zhǎng)度從
2021-12-06 15:11:58
球柵尺簡(jiǎn)介：球柵尺適應(yīng)環(huán)境性強(qiáng)，有效保證加工尺寸精度。安裝簡(jiǎn)便，對(duì)安裝面無(wú)加工要求，不需日常維護(hù)。模擬量或數(shù)字量輸出，數(shù)控?cái)?shù)顯均可使用。球柵數(shù)顯進(jìn)入中國(guó)以來(lái)，該產(chǎn)品越來(lái)越為廣大機(jī)床客戶所認(rèn)同，國(guó)內(nèi)
2021-11-18 16:16:09
磁柵尺是在非導(dǎo)磁材料上涂一層10～20 μm的磁膠 。這種磁膠多是鎳-鈷合金高導(dǎo)磁性材料與樹(shù)膠相混合制成的 ,其抗拉強(qiáng)度要高一些,不易變形。然后在這條磁性帶上記錄磁極,N極和S極相間變化 ,在磁帶
2021-12-02 15:22:38
球柵尺簡(jiǎn)介：球柵尺適應(yīng)環(huán)境性強(qiáng)，有效保證加工尺寸精度。安裝簡(jiǎn)便，對(duì)安裝面無(wú)加工要求，不需日常維護(hù)。模擬量或數(shù)字量輸出，數(shù)控?cái)?shù)顯均可使用。球柵數(shù)顯進(jìn)入中國(guó)以來(lái)，該產(chǎn)品越來(lái)越為廣大機(jī)床客戶所認(rèn)同，國(guó)內(nèi)
2021-11-20 15:31:09
威海三豐磁柵尺，質(zhì)量的磁柵尺，膠州山東威海濰坊青島磁柵尺，最久的磁柵尺供應(yīng)商，磁柵尺生產(chǎn)商的磁柵尺供應(yīng)商質(zhì)量，磁柵尺磁柵尺 德國(guó)SIKO磁柵尺 磁柵數(shù)顯 磁柵電子尺 長(zhǎng)磁尺磁柵尺 30年不退磁 品質(zhì)
2021-12-20 15:43:07
球柵尺安裝 球柵尺的安裝是十分簡(jiǎn)單的，一般是將球柵尺兩端用專用支架固定在機(jī)床上。讀數(shù)頭固定在機(jī)床的走刀架上，與球柵尺做相對(duì)運(yùn)動(dòng)。有時(shí)小機(jī)床也可把讀數(shù)頭固定、球柵尺做運(yùn)動(dòng)。 3米以上的球柵尺（含
2021-12-21 15:44:48
的線脹系數(shù)與鋼鐵相同，對(duì)車間溫度變化不敏感。（5）球柵尺能在強(qiáng)磁場(chǎng)和強(qiáng)幅射條件下工作，可用于原子反應(yīng)堆。（6）球柵尺耐振動(dòng)、安裝簡(jiǎn)便、不用日常維護(hù)等優(yōu)點(diǎn)。球柵尺技術(shù)指標(biāo)：球柵尺技術(shù)參數(shù)球柵尺
2021-11-25 15:21:24
球柵尺安裝 球柵尺的安裝是十分簡(jiǎn)單的，一般是將球柵尺兩端用專用支架固定在機(jī)床上。讀數(shù)頭固定在機(jī)床的走刀架上，與球柵尺做相對(duì)運(yùn)動(dòng)。有時(shí)小機(jī)床也可把讀數(shù)頭固定、球柵尺做運(yùn)動(dòng)。 3米以上的球柵尺（含
2021-11-24 15:08:26
顯尺經(jīng)過(guò)層層環(huán)節(jié)，成本大，銷售價(jià)格高，大大地限制了國(guó)內(nèi)各機(jī)床廠的使用和該項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展。 高性能的抗干擾能力，可靠耐用，減少維修，無(wú)需拼接便可直接實(shí)現(xiàn)最長(zhǎng)為8米的整體尺。拼接可達(dá)30米，球柵尺有效長(zhǎng)度從
2022-02-15 15:37:41
球柵尺簡(jiǎn)介：球柵尺適應(yīng)環(huán)境性強(qiáng)，有效保證加工尺寸精度。安裝簡(jiǎn)便，對(duì)安裝面無(wú)加工要求，不需日常維護(hù)。模擬量或數(shù)字量輸出，數(shù)控?cái)?shù)顯均可使用。球柵數(shù)顯進(jìn)入中國(guó)以來(lái)，該產(chǎn)品越來(lái)越為廣大機(jī)床客戶所認(rèn)同，國(guó)內(nèi)
2022-02-22 14:37:29
球柵尺簡(jiǎn)介：球柵尺適應(yīng)環(huán)境性強(qiáng)，有效保證加工尺寸精度。安裝簡(jiǎn)便，對(duì)安裝面無(wú)加工要求，不需日常維護(hù)。模擬量或數(shù)字量輸出，數(shù)控?cái)?shù)顯均可使用。球柵數(shù)顯進(jìn)入中國(guó)以來(lái)，該產(chǎn)品越來(lái)越為廣大機(jī)床客戶所認(rèn)同，國(guó)內(nèi)
2022-01-19 15:50:50
顯尺經(jīng)過(guò)層層環(huán)節(jié)，成本大，銷售價(jià)格高，大大地限制了國(guó)內(nèi)各機(jī)床廠的使用和該項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展。 高性能的抗干擾能力，可靠耐用，減少維修，無(wú)需拼接便可直接實(shí)現(xiàn)最長(zhǎng)為8米的整體尺。拼接可達(dá)30米，球柵尺有效長(zhǎng)度從
2022-01-21 15:59:06
球柵尺簡(jiǎn)介：球柵尺適應(yīng)環(huán)境性強(qiáng)，有效保證加工尺寸精度。安裝簡(jiǎn)便，對(duì)安裝面無(wú)加工要求，不需日常維護(hù)。模擬量或數(shù)字量輸出，數(shù)控?cái)?shù)顯均可使用。球柵數(shù)顯進(jìn)入中國(guó)以來(lái)，該產(chǎn)品越來(lái)越為廣大機(jī)床客戶所認(rèn)同，國(guó)內(nèi)
2021-12-07 15:42:43
球柵尺簡(jiǎn)介：球柵尺適應(yīng)環(huán)境性強(qiáng)，有效保證加工尺寸精度。安裝簡(jiǎn)便，對(duì)安裝面無(wú)加工要求，不需日常維護(hù)。模擬量或數(shù)字量輸出，數(shù)控?cái)?shù)顯均可使用。球柵數(shù)顯進(jìn)入中國(guó)以來(lái)，該產(chǎn)品越來(lái)越為廣大機(jī)床客戶所認(rèn)同，國(guó)內(nèi)
2022-01-17 15:41:39
磁柵尺的作用與錄磁原理 利用與錄音技術(shù)相似的方法，通過(guò)錄磁頭在磁性尺（或盤）上錄制出間隔嚴(yán)格相等的磁波這一過(guò)程稱為錄磁。已錄制好磁波的磁性尺稱為磁柵尺。磁柵尺上相鄰柵波的間隔距離稱為磁柵的波長(zhǎng)
2022-01-11 15:44:15
球柵尺簡(jiǎn)介：球柵尺適應(yīng)環(huán)境性強(qiáng)，有效保證加工尺寸精度。安裝簡(jiǎn)便，對(duì)安裝面無(wú)加工要求，不需日常維護(hù)。模擬量或數(shù)字量輸出，數(shù)控?cái)?shù)顯均可使用。球柵數(shù)顯進(jìn)入中國(guó)以來(lái)，該產(chǎn)品越來(lái)越為廣大機(jī)床客戶所認(rèn)同，國(guó)內(nèi)
2022-02-14 15:34:53
安全柵：限制進(jìn)入現(xiàn)場(chǎng)的能量，即限壓限流，使現(xiàn)場(chǎng)線路無(wú)論在何種狀態(tài)下都不會(huì)產(chǎn)生火花，從而不會(huì)引發(fā)爆炸，這種防爆方式就叫本質(zhì)安全。隔離柵：1。隔離式安全柵，即在安全柵的基礎(chǔ)上加入了隔離功能，可以防止地環(huán)
2018-07-19 14:32:47
現(xiàn)在我們來(lái)看看什么是浮球液位開(kāi)關(guān)優(yōu)勢(shì)又在哪里呢 浮球開(kāi)關(guān)不含導(dǎo)致故障發(fā)生和波紋管、彈簧、密封等部件。而是采用直浮子驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)內(nèi)部磁鐵，浮球開(kāi)關(guān)的簡(jiǎn)捷的杠桿使開(kāi)關(guān)瞬間動(dòng)作。浮子懸臂角限位設(shè)計(jì)，防止浮子
2021-06-30 07:22:03
大多數(shù)汽車 MCU 具有片上嵌入式閃存，其中包含復(fù)雜而詳盡的指令代碼。盡管基于多晶硅浮柵的嵌入式閃存廣泛部署在汽車、工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用領(lǐng)域的一系列產(chǎn)品中，并且是非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的典范，但關(guān)于嵌入式
2020-08-14 09:31:37
要的是查看應(yīng)用結(jié)構(gòu)并對(duì)每個(gè)功能塊的規(guī)格進(jìn)行預(yù)估。例如在大多數(shù)應(yīng)用中，NVM的復(fù)雜技術(shù)可能有助于使整個(gè)芯片的面積減少三分之一。對(duì)諸如16或32閃存與8kB的電可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)之類
2019-04-08 09:36:15
嵌入式閃存技術(shù)認(rèn)知誤區(qū)
2021-01-12 06:30:12
康華光主編的模電中講到N型的增強(qiáng)型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問(wèn)題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時(shí)候，而增強(qiáng)型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
至 2015 年之間， NAND的市場(chǎng)復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到 7%。技術(shù)方面，內(nèi)存密度因采用 25nm 及以下制程技術(shù)，讓制造商能進(jìn)一步擴(kuò)大優(yōu)勢(shì)。領(lǐng)先的 NAND 閃存制造商開(kāi)始用 20-30nm 范圍
2014-04-22 16:29:09
快速浮_定點(diǎn)PID控制器FPGA的研究與實(shí)現(xiàn)提出了基于 的快速 控制器技術(shù)，采用流水線運(yùn)算方法，具有高速 穩(wěn)定精確的實(shí)時(shí)控制性能，實(shí)現(xiàn)了速度和資源的優(yōu)化匹配研究并分析了位置式 不同算式的特點(diǎn)，完成
2012-08-11 15:58:43
共源共柵電感的工作機(jī)理是什么？怎么實(shí)現(xiàn)共源共柵CMOS功率放大器的設(shè)計(jì)？
2021-06-18 06:53:41
主要的IGBT寄生電容有哪些？怎樣去設(shè)計(jì)單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT？單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT有什么長(zhǎng)處？
2021-04-20 06:43:15
電流的合格性。1：浮地技術(shù)的應(yīng)用a交流電源地與直流電源地分開(kāi)一般交流電源的零線是接地的。但由于存在接地電阻和其上流過(guò)的電流（回路電流），導(dǎo)致電源的零線電位并非為大地的零電位。另外，交流電源的零線上往往
2013-08-14 17:50:29
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無(wú)損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
存儲(chǔ)器又稱閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器；即掉電數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。閃存基本存儲(chǔ)單元是一種NMOS的雙層浮柵（Floating Gate）MOS管。如下圖：在源極（Source）和漏記（Drain）之間的電流
2019-09-18 09:05:09
液位浮球開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)主要基于浮力和靜磁場(chǎng)原理設(shè)計(jì)生產(chǎn)的。帶有磁體的浮球（簡(jiǎn)稱浮球）在被測(cè)介質(zhì)中的位置受浮力作用影響：液位的變化導(dǎo)致磁性浮子位置的變化。浮球中的磁體和傳感器（磁簧開(kāi)關(guān)）作用，產(chǎn)生開(kāi)關(guān)信號(hào)。
2019-10-24 09:01:11
` 您了解過(guò)示波器在測(cè)量過(guò)程中的危害嗎？ 示波器在浮地測(cè)量有何危害，接下來(lái)請(qǐng)您認(rèn)真看完本文！ 很多工程師有這樣的一個(gè)習(xí)慣：當(dāng)要測(cè)量高壓信號(hào)時(shí)，習(xí)慣性的把電源插頭的保護(hù)地?cái)嚅_(kāi)，使用普通無(wú)源探頭直接進(jìn)行
2016-06-06 15:27:26
示波器浮地測(cè)量的危害是什么？電源插頭的保護(hù)地?cái)嚅_(kāi)后會(huì)有什么樣的影響？
2021-05-08 07:24:09
老師們好：我想學(xué)習(xí)磁柵尺在STM32里的設(shè)計(jì)與應(yīng)用 能指點(diǎn)嗎？
2018-10-23 08:42:45
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:49 編輯
實(shí)際應(yīng)用中，信號(hào)的基本接地方式有三種：浮地、單點(diǎn)接地和多點(diǎn)接地 請(qǐng)問(wèn) 浮地指的是什么？和公共地 GND有什么聯(lián)系？ 是個(gè)孤島類型的地嗎？？
2011-10-20 23:36:59
閃速存儲(chǔ)器的基本存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。一眼看上去就是n溝道的MOSFET那樣的東西，但又與普通的FET不同，特點(diǎn)是在柵極（控制柵）與漏極／源極之間存在浮置柵，閃速存儲(chǔ)器利用該浮置柵存儲(chǔ)
2018-04-10 10:52:59
轉(zhuǎn)載自中儀在線工況條件下，經(jīng)常會(huì)遇到電路中包含本安型防爆電磁閥、本安型防爆行程開(kāi)關(guān)、防爆控制箱和安全柵，在這種情況下安全柵應(yīng)該怎么接入呢，是放在電磁閥的控制箱內(nèi)還是別的區(qū)域，下面是本人的一點(diǎn)見(jiàn)解：1
2017-12-25 15:14:51
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01
183 三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程N(yùn)AND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:04
713 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 恒憶閃存抗X射線
恒憶閃存基于浮柵技術(shù)。閃存晶體管的絕緣柵極（浮柵）捕獲（或排除）電子，因此，晶體管的閾值電壓被修改（偏離原始電壓值）。在附加的編程和
2010-04-12 14:12:16641 
STM32F2技術(shù)培訓(xùn)_片上閃存Flash
2015-12-03 17:35:410 前天，首個(gè)華為手機(jī)開(kāi)放日在深圳召開(kāi)。華為消費(fèi)者業(yè)務(wù)CEO余承東與媒體分享了華為的奮斗歷史，并透露：“此前華為P10兩種規(guī)格的閃存采購(gòu)差價(jià)非常小，是為了保證供貨而不是省錢。”2010年底，華為手機(jī)
2017-05-18 11:12:422490 隨著USB技術(shù)和閃存技術(shù)的飛速發(fā)展，移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備的速度和容量日新月異，但在工業(yè)控制的上位機(jī)和下位機(jī)之間，數(shù)據(jù)傳輸依然采用傳統(tǒng)的串并口技術(shù)，特別對(duì)一些前端的便攜式采集系統(tǒng)，需要采集后臨時(shí)存儲(chǔ)，再拿回來(lái)
2017-11-06 14:48:260 的10倍增長(zhǎng)，“閃存存儲(chǔ)技術(shù)，如LSI的Nytro應(yīng)用加速產(chǎn)品組合，可以用來(lái)加速關(guān)鍵業(yè)務(wù)應(yīng)用，如SQL Server 2012”，Lorenson在一份公司的聲明中表示“隨著微軟將在Windows Server 8中提供的增強(qiáng)，這些技術(shù)的重要性將繼續(xù)增長(zhǎng)。
2017-12-18 09:31:4810643 功耗管理模式：
? 運(yùn)行：CPU 工作，外設(shè)打開(kāi)
? 空閑：CPU 不工作，外設(shè)打開(kāi)
? 休眠：CPU 不工作，外設(shè)關(guān)閉
? 空閑模式時(shí)電流可降至 2.5 μA （典型值）
? 休眠模式時(shí)電流可降至 100 nA （典型值）
? Timer1 振蕩器：1.8 μA， 32 kHz， 2V
? 看門狗定時(shí)器：1.4 μA， 2V （典型值）
2018-06-29 08:22:009 高性能 RISC CPU：
? 僅需學(xué)習(xí) 35 條指令：
- 除了跳轉(zhuǎn)指令以外，所有指令都是單周期的
? 工作速度：
- DC － 20 MHz 振蕩器 / 時(shí)鐘輸入
- DC － 200 ns 指令周期
? 最大 8K x 14 字的閃存程序存儲(chǔ)器
2018-06-29 14:23:008 近年來(lái)，市場(chǎng)上固定功能的電表集成電路（IC）不斷增多，這使得在電表設(shè)計(jì)方面保持競(jìng)爭(zhēng)力變得越來(lái)越困難。許多模擬前端（AFE）電能計(jì)量IC都采用△-∑ ADC，并通過(guò)基于ROM的固定功能狀態(tài)機(jī)來(lái)計(jì)算功率輸出。這些IC不能進(jìn)行修改，也不能用于電能測(cè)量之外的其他功能。
2019-05-06 08:17:001095 
2018年7月，在弗里蒙特，因?yàn)閯?chuàng)新屢獲殊榮的全閃存陣列（AFA）制造商AccelStor宣布將在2018年全閃存峰會(huì)201號(hào)展位A展廳展示最新的VFlexiArray技術(shù)。閃存峰會(huì)將在美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市的圣克拉拉會(huì)議中心舉行。
2018-08-30 14:41:194169 威視”。 本文引用地址： 安防并不是簡(jiǎn)單的設(shè)備制造，海康威視同時(shí)還掌握了安防系統(tǒng)使用的圖像處理算法技術(shù)和系統(tǒng)集成技術(shù)。作為安防行業(yè)的龍頭企業(yè)，海康威視每年處理 EB 級(jí)( 1EB = 1024PB，1PB = 1024TB)的數(shù)據(jù)，因此在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)和閃存管理技術(shù)上積累
2019-01-24 20:13:01513 【中國(guó)，北京，2019年5月9日】華為在北京舉辦了主題為探討閃存未來(lái)發(fā)展之道，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)共贏首屆華為閃存技術(shù)論壇，在業(yè)界首次提出面向應(yīng)用感知的存儲(chǔ)創(chuàng)新理念和未來(lái)SSD發(fā)展新形態(tài)。華為智能計(jì)算提出希望
2019-05-09 21:15:00256 作為目前SSD和多數(shù)存儲(chǔ)設(shè)備的技術(shù)基礎(chǔ)，閃存顆粒的價(jià)格隨著技術(shù)的進(jìn)步必然是朝著更加低廉的方向前進(jìn)的。不久的過(guò)去，當(dāng)TLC閃存面世之后，曾經(jīng)引發(fā)過(guò)一場(chǎng)持續(xù)至今的爭(zhēng)論。而就在我們還沉浸在MLC還是TLC
2019-06-14 15:11:1022488 閃存是最常用器件之一，在諸如SSD等存儲(chǔ)設(shè)備中均存在閃存。但是，大家對(duì)閃存真的足夠了解嗎?為增進(jìn)大家對(duì)閃存的了解和認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)QLC閃存以及TLC閃存相關(guān)內(nèi)容予以介紹。如果你對(duì)閃存具有興趣，不妨
2020-11-06 17:38:5882922 
美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 在3D閃存技術(shù)上，作為全球閃存最大廠商的三星一直是領(lǐng)先的，堆棧層數(shù)也是最多的，不過(guò)美光日前率先推出了176層堆棧的 3D閃存，進(jìn)度比三星要快。 根據(jù)美光的說(shuō)法，176層閃存其實(shí)是基于兩個(gè)88層疊
2020-11-14 10:01:201797 
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