推動科技進步的半導體技術真的會停滯不前嗎？這也不太可能，7nm工藝節(jié)點將開始應用EUV光刻工藝，研發(fā)EUV光刻機的ASML表示EUV工藝將會支持未來15年，部分客戶已經(jīng)在討論2030年的1.5nm工藝路線圖了。
2017-01-22 11:45:42
3424 與濕法蝕刻相比，等離子蝕刻的一個主要優(yōu)點是能夠獲得高度定向（各向異性）的蝕刻工藝。
2021-10-07 15:51:002670 
硅的各向異性蝕刻是指定向依賴的蝕刻，通常通過堿性蝕刻劑如水溶液氫氧化鉀，TMAH和其他羥化物如氫氧化鈉。由于蝕刻速率對晶體取向、蝕刻劑濃度和溫度的強烈依賴性，可以以高度可控和可重復的方式制備多種
2022-03-08 14:07:251769 
在本研究中，我們設計了一個150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設計，作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:491943 
或InAsSb材料用于彼此相對的蝕刻停止層，但是不希望其獨特的II型破碎帶隙對準的器件需要具有良好選擇性的GaSb和AlGaAsSb之間的新的選擇性濕法蝕刻劑。這里描述的所有濕法化學和干法蝕刻工藝都使用n型GaSb襯底進行了優(yōu)化。
2022-05-11 14:00:421025 
引言 本研究針對12英寸晶圓廠近期技術開發(fā)過程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導致的圖案失效缺陷。AIO蝕刻直接限定了溝槽和通孔的形狀，然而，包括層間介電膜的沉積、金屬硬掩模和濕法清洗的那些先前的工藝
2022-06-01 15:55:467809 
初始屏蔽檢查 對蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓，無論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數(shù)是厚度和側(cè)壁角度。如果可能，對橫截面進行SEM檢查，以確定適用于您的蝕刻步驟的不同特征尺寸的側(cè)壁角度
2022-06-10 16:09:335071 
在半導體器件制造中，蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術，該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定，其產(chǎn)生在光刻中有詳細描述，一旦掩模就位，可以通過濕法化學或“干法”物理方法對不受掩模保護的材料進行蝕刻，圖1顯示了這一過程的示意圖。
2022-07-06 17:23:522869 
。二氧化硅通過分別用于微米和納米鰭的光和電子束光刻形成圖案，隨后在氫氟酸中進行濕法蝕刻。使用用異丙醇(IPA)稀釋的四甲基氫氧化銨(TMAH)以及具有表面活性劑(Triton-X-100)的硅摻雜TMAH
2022-07-08 15:46:161095 
本文主要闡述我們?nèi)A林科納在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個因素，并使用實驗設計(DOE)方法來研究所選因素
2022-07-12 14:01:131365 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:062775 
濕法蝕刻工藝的原理是利用化學溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學物質(zhì)可以非常精確地適用于每一部電影。對于大多數(shù)解決方案選擇性大于100:1。
2022-07-27 15:50:252109 
傳統(tǒng)的光刻工藝是相對目前已經(jīng)或尚未應用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進光刻工藝而言的，普遍認為 193nm 波長的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺（見下表）。這是因為 193nm 的光刻依靠浸沒式和多重曝光技術的支撐，可以滿足從 0.13um至7nm 共9個技術節(jié)點的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2913995 在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發(fā)展史。現(xiàn)在，讓我們繼續(xù)了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機拍照非常相似。但是具體是怎么實現(xiàn)的呢？
2023-06-28 10:07:472427 
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241338 
介質(zhì)層上的光致抗蝕劑薄層上。 ②刻蝕工藝：利用化學或物理方法，將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質(zhì)層除去，從而在晶片表面或介質(zhì)層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的，因而光刻工藝
2012-01-12 10:51:59
，而物理濺射是通過具有一定能量的粒子轟擊作用，使膜層的化學鍵斷裂，進而發(fā)生分解；而濕法蝕刻是最簡便的方法。光刻膠又稱光致抗蝕劑，即通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，使其溶解度發(fā)生變化
2018-08-23 11:56:31
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
關于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當于膠片，而光刻機就是沖洗臺，它把掩膜版上的芯片電路一個個的復制到光刻膠薄膜上，然后通過刻蝕技術把電路“畫”在晶圓上。 當然
2020-07-07 14:22:55
我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問題歡迎提問，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因為所用化學藥品可以非常精確地適應各個薄膜。對于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術。
2021-01-09 10:17:20
并可作永久隔層。 NR9-P 系列 負性光刻膠，具有高粘附性適用于電鍍及濕法蝕刻。 NR71-P 系列 負性光刻膠，用于干法蝕刻中掩模應用并能作為永久隔層。 NR21-P 系列 負性光刻膠，用于厚度超過
2010-04-21 10:57:46
`請問PCB蝕刻工藝質(zhì)量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
腐蝕掉,稱為蝕刻。要注意的是,這時的板子上面有兩層銅.在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一
2018-11-26 16:58:50
目前，印刷電路板（pcb）加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”.即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉，稱為蝕刻。PCB蝕刻工藝
2018-09-13 15:46:18
的歷史蝕刻工藝進行了兩個主要的工藝更改，這使得這項工作成為必要。首先，我們從 Clariant AZ4330 光刻膠切換到 Shipley SPR220-3。我們發(fā)現(xiàn)后者的光刻膠具有更好的自旋均勻性
2021-07-06 09:39:22
使用化學溶液去除材料。在 CMOS 制造中，濕法工藝用于清潔晶片和去除薄膜。濕法清潔過程在整個工藝流程中重復多次。一些清潔過程旨在去除微粒，而另一些則是去除有機和/或無機表面污染物。濕蝕刻劑可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應用的蝕刻工藝編號：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學蝕刻編號：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導體具有許多特性，使其對高功率、高溫器件應用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應用編號：JFSJ-21-044作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：濕法
2021-07-08 13:09:52
、135°C 以上溶于乙二醇的 KOH、180°C 溶于乙二醇的 NaOH。文章全部詳情，請加V獲取：hlknch / xzl1019^晶體蝕刻工藝中兩個蝕刻步驟中的第一個用于確定蝕刻深度，它可以通過幾種
2021-07-07 10:24:07
kJ/摩爾)。這是一個相對較高的值，這是蝕刻工藝的典型值，其速率受化學反應本身的限制，而不是受反應產(chǎn)物的溶解或反應物質(zhì)向蝕刻表面擴散的限制。類似地，使用光學顯微鏡觀察到的蝕刻表面的光滑度表明蝕刻
2021-07-09 10:23:37
：MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝，可提供對取向、長度、形態(tài)等結(jié)構(gòu)參數(shù)的可控性，此外，它是一種制造極高縱橫比半導體納米結(jié)構(gòu)的簡單且低成本的方法。 3 該工藝利用了在氧化劑（例如過氧化氫 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
。一.蝕刻的種類要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一
2018-04-05 19:27:39
操作，并具備對PECVD或LPCVD工藝優(yōu)化的能力； 4、 熟悉光刻工藝、濕法刻蝕；離子蝕刻(RIE, ICP etc)者優(yōu)先;5、熟悉計算機操作，具備相關專業(yè)英語閱讀能力； 6、工作認真細致、有
2012-12-19 22:42:16
半導體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
在印制電路加工中﹐氨性蝕刻是一個較為精細和覆雜的化學反應過程,卻又是一項易于進行的工作。只要工藝上達至調(diào)通﹐就可以進行連續(xù)性的生產(chǎn), 但關鍵是開機以后就必需保持連續(xù)的工作狀態(tài)﹐不適宜斷斷續(xù)續(xù)地生產(chǎn)
2017-06-23 16:01:38
濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設備的基礎；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。 一.蝕刻的種類 要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有
2018-09-19 15:39:21
Intel 22nm光刻工藝背后的故事
去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關產(chǎn)品。
2010-03-24 08:52:581085 超細線蝕刻工藝技術介紹
目前，集成度呈越來越高的趨勢，許多公司紛紛開始SOC技術，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題，因
2010-03-30 16:43:081181 光刻膠與光刻工藝技術 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 光刻是半導體芯片生產(chǎn)流程中最復雜、最關鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導體芯片生產(chǎn)的難點和關鍵點在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能
2018-04-08 16:10:52162273 
本文首先介紹了PCB蝕刻工藝原理和蝕刻工藝品質(zhì)要求及控制要點，其次介紹了PCB蝕刻工藝制程管控參數(shù)及蝕刻工藝品質(zhì)確認，最后闡述了PCB蝕刻工藝流程詳解，具體的跟隨小編一起來了解一下吧。
2018-05-07 09:09:0940479 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來的一個里程碑。不過EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒有
2018-10-30 16:28:403376 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前，印刷電路板（PCB）加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉，稱為蝕刻。
2019-08-16 11:31:004647 在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝
2019-07-10 15:11:352710 
要注意的是，這時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍，其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種工藝方法是整個
2019-07-08 14:51:342432 
目前，印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用”圖形電鍍法”。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化 學方式將其余的銅箔腐蝕掉，稱為蝕刻。
2019-07-09 10:09:343924 PCB板蝕刻工藝用傳統(tǒng)的化學蝕刻過程腐蝕未被保護的區(qū)域。有點像是挖溝，是一種可行但低效的方法。在蝕刻過程中也分正片工藝和負片工藝之分，正片工藝使用固定的錫保護線路，負片工藝則是使用干膜或者濕膜來保護線路。用傳統(tǒng)的蝕刻方法到線或焊盤的邊緣是畸形的。
2020-07-12 10:26:563060 重要要點 l 什么是光刻？ l 光刻工藝的類型。 l 光刻處理如何用于電路板成像。 l 工業(yè)平版印刷處理設計指南。 可以說，有史以來研究最多的文物是都靈裹尸布。進行廣泛檢查的原因，從來源的宗教建議
2020-09-16 21:01:161361 大型PCB制造商使用電鍍和蝕刻工藝在板上生產(chǎn)走線。對于電鍍，生產(chǎn)過程始于覆蓋外層板基板的電鍍銅。 光刻膠蝕刻也用作生產(chǎn)印刷電路板的另一個關鍵步驟。在蝕刻過程中保護所需的銅需要在去除不希望有的銅和在
2020-12-31 11:38:583561 書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 多層PCB內(nèi)層的光刻工藝包括幾個階段，接下來詳細為大家介紹多層PCB內(nèi)層的光刻工藝每個階段都需要做什么。 PART.1 在第一階段，內(nèi)層穿過化學制劑生產(chǎn)線。銅表面會出現(xiàn)粗糙度，這對于光致抗蝕劑的最佳
2021-09-05 10:00:162160 )、(TMAH)、NaOH等，但KOH與TMAH相比，平整度更好，并且只對硅的 100 表面做出反應，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向異性蝕刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向異性濕式蝕刻在壓力傳感器、加速度計、光學傳感器等整體MEMS裝置結(jié)構(gòu)形成等中使用。 實驗 KOH硅濕法蝕刻工藝 工藝
2021-12-23 09:55:35484 
。后一種工藝是集成電路微制造技術的基礎。微電子工業(yè)不斷增長的需求需要光刻材料（光刻劑)，具有亞微米分辨率、高靈敏度、對微電子中常用的基質(zhì)的良好粘附，以及對廣泛的等離子體和濕化學蝕刻劑的高抗性。 非晶態(tài)半導體材料
2022-01-19 16:08:46375 
本研究透過數(shù)值解析，將實驗上尋找硅晶片最佳流動的方法，了解目前蝕刻階段流動的形式，并尋求最佳晶片蝕刻條件,蝕刻工藝效率低利用氣泡提高濕法蝕刻工藝效果,用實驗的方法尋找最佳流動，通過數(shù)值分析模擬了利用
2022-01-19 17:11:32340 
濕法蝕刻工藝已經(jīng)廣泛用于生產(chǎn)各種應用的微元件。這些過程簡單易操作。選擇合適的化學溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度。銅及其合金是各種工業(yè)，特別是電子工業(yè)的重要
2022-01-20 16:02:241862 
的氧化鎳未完全去除造成的。這項研究對這些多余金屬缺陷的成分進行了分類和確定，評估了推薦的去除氧化鎳的濕蝕刻方法，最后提出了一種濕蝕刻工藝，該工藝將快速去除缺陷，同時繼續(xù)保持所需的半各向異性蝕刻輪廓，這是大多數(shù)金屬
2022-02-28 14:59:351780 
了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43337 
我們開發(fā)了一種改進的各向異性濕法蝕刻工藝，通過在晶片上使用單個蝕刻掩模來制造各種硅微結(jié)構(gòu)，這些微結(jié)構(gòu)具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺面結(jié)構(gòu)以及具有
2022-03-14 10:51:42581 
材料，其用于許多蝕刻步驟中以抵抗蝕刻。該掩模材料可以是光致抗蝕劑，并且使用光刻法將其圖案化。蝕刻也可以稱為制作空腔，這些空腔應該根據(jù)用途具有特定的深度。產(chǎn)生的這種空腔的深度可以通過蝕刻時間和蝕刻速率
2022-03-16 16:31:581136 
本文章將對表面組織工藝優(yōu)化進行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時間和成本上都比較優(yōu)秀，主要適用于太陽能電池量產(chǎn)工藝。本研究在多晶晶片表面組織化工藝
2022-03-25 16:33:49516 
的各向同性濕法蝕刻條件相比，由于非常高的各向異性，反應離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此，當使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當尺寸放寬時，使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護的完整性。給出了確保這種保護的一些提示，以及評估這種保護的相關新方法。
2022-04-06 13:29:19666 
薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來適應更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標準的機械背面磨削相比，應力更小。 硅的各向同性濕蝕刻通常是用硝酸和氫氟酸的混合物
2022-04-07 14:46:33751 
半導體制造工業(yè)中的濕法清洗/蝕刻工藝用于通過使用高純化學品清洗或蝕刻來去除晶片上的顆粒或缺陷。擴散、光和化學氣相沉積(CVD)、剝離、蝕刻、聚合物處理、清潔和旋轉(zhuǎn)擦洗之前有預清潔作為濕法清潔/蝕刻工藝
2022-04-21 12:27:43589 
的各向同性濕法蝕刻條件相比，由于非常高的各向異性，反應離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此，當使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當尺寸放寬時，使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護的完整性。給出了確保這種保護的一些提示，以及評估這種保護的相關新方法。
2022-04-22 14:04:19591 
拋光的硅片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機械損傷通過蝕刻是本文的重點。在準備用于器件制造之前，蝕刻之后是各種單元操作，例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:37670 
的逐層秘密。隨著制造工藝的變化和半導體結(jié)構(gòu)的變化，這些技術需要在時間和程序上不斷調(diào)整。雖然有許多工具有助于這些分析，如RIE(反應離子蝕刻-一種干法蝕刻技術)、離子銑削和微切割，但鎢的濕法化學蝕刻有時比RIE技術更具重現(xiàn)性。
2022-06-20 16:38:205220 
新的方法，通過光刻和刻蝕工藝順序來提高跨晶片柵極CD的均勻性。我們?nèi)A林科納所提出的方法是通過優(yōu)化整個晶片曝光后烘烤(PEB)溫度曲線來補償光刻工藝順序中的上游和下游系統(tǒng)CD變化成分。更準確地說，我們首先構(gòu)建了一個溫度-偏移模型，該模型將
2022-06-22 14:58:341301 
和掃描電子顯微鏡(SEM)來確定缺陷密度和通孔尺寸。使用光學顯微鏡、SEM和俄歇電子能譜(AES)完成對蝕刻后去除的分析。通過一系列評估，來自通用化學公司的化學物質(zhì)被確定為能有效地同時去除光刻膠掩模
2022-06-23 14:26:57516 
本文報道了InGaP/GaAsNPNHBTs在噴霧濕化學蝕刻過程中修復光刻膠粘附失敗的實驗結(jié)果。我們確定了幾個可能影響粘附性的因素，并采用實驗設計(DOE)方法研究了所選因素的影響和相互作用。最顯著
2022-06-29 11:34:590 本文介紹了我們?nèi)A林科納在半導體制造過程中進行的濕法蝕刻過程和使用的藥液，在晶圓表面，為了形成LSI布線，現(xiàn)在幾乎所有的半導體器件都使用干蝕刻方式，這是因為干法蝕刻與濕法蝕刻相比，各向異性較好，對于形成細微的布線是有利的。
2022-07-06 16:50:321539 
50納米，4，5，盡管最近有報道稱rms粗糙度低至4–6納米的表面。6光增強電化學(PEC)濕法蝕刻也已被證明適用于氮化鎵(GaN)的蝕刻。7–10 PEC蝕刻具有設備成本相對較低和表面損傷較低的優(yōu)勢
2022-07-12 17:19:243454 
蝕刻工藝 蝕刻過程分類
2022-08-08 16:35:34736 
薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。更薄的模具需要裝進更薄的包裝中。與標準的機械背磨相比，在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應力更小。
2022-08-26 09:21:362363 
在半導體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝， 實踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā)， 我們?nèi)A林科納分析了影響蝕刻率的各個因素， 并通過
2022-08-30 16:41:592998 
來源：云天半導體 廈門云天半導體繼九月初812吋 “晶圓級封裝與無源器件生產(chǎn)線”正式通線后，經(jīng)過團隊的不懈努力， 8英寸晶圓Fine Pitch光刻工藝開發(fā)終破2/2um L/S大關； 以下為部分工藝
2022-11-30 17:07:07854 蝕刻不是像沉積或鍵合那樣的“加”過程，而是“減”過程。另外，根據(jù)刮削方式的不同，分為兩大類，分別稱為“濕法蝕刻”和“干法蝕刻”。簡單來說，前者是熔法，后者是挖法。
2023-01-29 09:39:003850 金屬蝕刻是一種通過化學反應或物理沖擊去除金屬材料的技術。金屬蝕刻技術可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:433172 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07887 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331005 蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31576 
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353321 
光刻機可分為前道光刻機和后道光刻機。光刻機既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機用于芯片的制造，曝光工藝極其復雜，后道光刻機主要用于封裝測試，實現(xiàn)高性能的先進封裝，技術難度相對較小。
2023-06-09 10:49:205860 
關鍵詞：氫能源技術材料，耐高溫耐酸堿耐濕膠帶，高分子材料，高端膠粘劑引言：蝕刻(etching)是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:163505 
PCB蝕刻工藝中的“水池效應”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會導致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431014 光刻是半導體芯片生產(chǎn)流程中最復雜、最關鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導體芯片生產(chǎn)的難點和關鍵點在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531589 
半導體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541223 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57813 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30671 GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45264 光照條件的設置、掩模版設計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運用光刻技術的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
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