色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>羅姆半導(dǎo)體“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn),開關(guān)損耗降低85%

羅姆半導(dǎo)體“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn),開關(guān)損耗降低85%

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦

功率半導(dǎo)體市場將邁向550億美元新高度

半導(dǎo)體利用 SiC 來減少能量損失并延長太陽能和風(fēng)能電力轉(zhuǎn)換器的使用壽命。SiC(碳化硅)由于其寬帶隙而用于高功率應(yīng)用。
2024-03-22 09:36:2020

芯動(dòng)半導(dǎo)體與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議

近日,國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)芯動(dòng)半導(dǎo)體與國際知名半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體成功簽署碳化硅(SiC)芯片戰(zhàn)略合作協(xié)議。這一協(xié)議的達(dá)成,標(biāo)志著雙方在SiC功率模塊領(lǐng)域的合作邁出了堅(jiān)實(shí)的一步,將共同推動(dòng)SiC芯片在新能源汽車市場的廣泛應(yīng)用。
2024-03-15 09:44:4398

水下航行器電機(jī)的SiC MOSFET逆變器設(shè)計(jì)

利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
2024-03-13 14:31:4667

如何實(shí)現(xiàn)高功率密度三相全橋SiC功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)呢?

為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求,進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā),提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03376

蓉矽半導(dǎo)體1200V SiC MOSFET通過車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證

蓉矽半導(dǎo)體近日宣布,其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)測試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力,也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228

Vishay推出采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊

近日,全球知名的半導(dǎo)體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊,這些模塊采用了經(jīng)過改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891

Vishay發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊

的Trench IGBT技術(shù),為設(shè)計(jì)者提供兩種卓越的技術(shù)選項(xiàng):低VCE(ON)或低Eoff。這極大地降低了在運(yùn)輸、能源及工業(yè)應(yīng)用中大電流逆變級(jí)的導(dǎo)通或開關(guān)損耗
2024-03-08 11:45:51266

一文詳解雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響

IGBT和碳化硅(SiC模塊開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-08 10:11:40496

東芝開始建設(shè)功率半導(dǎo)體后端生產(chǎn)設(shè)施

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(東芝)近期宣布,已開始在位于日本西部兵庫縣的姬路運(yùn)營 - 半導(dǎo)體工廠建設(shè)功率半導(dǎo)體后端生產(chǎn)設(shè)施。新工廠將于2025年春季開始量產(chǎn)
2024-03-07 18:26:21585

碳化硅(SiC功率器件在新能源汽車中的深入應(yīng)用解析

采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊,會(huì)產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗,無法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能;SiC功率模塊雜散參數(shù)較大,可靠性不高。 (2)SiC功率高溫封裝技術(shù)發(fā)展滯后。
2024-03-04 10:35:49130

反激CCM模式的開通損耗和關(guān)斷損耗詳解

開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),開關(guān)損耗測試對(duì)于器件評(píng)估非常關(guān)鍵,但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上。電源工程師們都知道開關(guān)MOS在整個(gè)電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的,開關(guān)
2024-01-20 17:08:06913

意法半導(dǎo)體與致瞻科技就SiC達(dá)成合作!

今日(1月18日),意法半導(dǎo)體在官微宣布,公司與聚焦于碳化硅(SiC半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作,為致瞻科技電動(dòng)汽車車載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:16254

三安宣布進(jìn)軍美洲市場,為市場提供SiC和GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議,Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷售渠道,面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場。
2024-01-13 17:17:561042

?IGBT模塊損耗特性介紹

IGBT元件的損耗總和分為:通態(tài)損耗開關(guān)損耗開關(guān)損耗分別為開通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028

功率半導(dǎo)體原理和功能介紹

主要基于PN結(jié)的正向偏置和反向偏置特性。當(dāng)PN結(jié)正向偏置時(shí),電子從N區(qū)向P區(qū)移動(dòng),形成正向電流;當(dāng)PN結(jié)反向偏置時(shí),電子無法通過PN結(jié),形成反向截止?fàn)顟B(tài)。通過對(duì)PN結(jié)的正向偏置或反向偏置的控制,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)功率半導(dǎo)體開關(guān)
2024-01-09 16:22:11380

新型溝槽SiC基MOSFET器件研究

SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢(shì),SiC溝槽MOSFET(UMOSFET)具有高溫工作能力、低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)
2023-12-27 09:34:56466

同是功率器件,為什么SiC主要是MOSFET,GaN卻是HEMT

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在我們談?wù)摰谌?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的時(shí)候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:361219

門極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響

/引言/對(duì)于半導(dǎo)體功率器件來說,門極電壓的取值對(duì)器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過門極負(fù)壓對(duì)器件開關(guān)特性的影響,而今天我們來一起看看門極正電壓對(duì)器件的影響。文章將會(huì)從導(dǎo)通損耗開關(guān)損耗和短路性能來分別
2023-12-22 08:14:02160

SIC MOSFET在電路中的作用是什么?

MOSFET的基本結(jié)構(gòu)。SIC MOSFET是一種由碳化硅材料制成的傳導(dǎo)類型晶體管。與傳統(tǒng)的硅MOSFET相比,SIC MOSFET具有更高的遷移率和擊穿電壓,以及更低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。這些特性使其成為高溫高頻率應(yīng)用中的理想選擇。 SIC MOSFET在電路中具有以下幾個(gè)主要的作用: 1. 電源開關(guān)
2023-12-21 11:27:13686

Boost變換器中SiC與IGBT模塊損耗對(duì)比研究

在不同工作頻率下的損耗進(jìn)行了理論計(jì)算、PLECS仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證對(duì)比分析。PLECS仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證的結(jié)果不僅證明了估算公式的正確性,還直觀的體現(xiàn)了SiC和IGBT兩類模塊在不同開關(guān)頻率下工作的熱損耗趨勢(shì)。從文中可以看出,使用SiC替 代IGBT可以顯著地提高變換器的工作頻率和功率密度。
2023-12-14 09:37:05471

功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二:IGBT短路時(shí)的損耗

功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二:IGBT短路時(shí)的損耗
2023-12-05 16:31:25240

功率半導(dǎo)體器件學(xué)習(xí)筆記(1)

功率半導(dǎo)體器件,以前也被稱為電力電子器件,簡單來說,就是進(jìn)行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導(dǎo)體器件。典型的功率處理,包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。早期的功率半導(dǎo)體器件:大功率二極管
2023-12-03 16:33:191134

三菱電機(jī)與Nexperia共同開啟硅化碳功率半導(dǎo)體開發(fā)

三菱電機(jī)公司宣布將與Nexperia B.V.結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同為電力電子市場開發(fā)硅碳(SiC功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其廣帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片,這些芯片將用于Nexperia開發(fā)SiC分立器件。
2023-11-30 16:14:09165

功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí),柵極電阻選型注意事項(xiàng)

本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢(shì),以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗開關(guān)損耗會(huì)被高 di/dt 和 dv/dt 放大,造成電路
2023-11-27 09:16:27203

三菱電機(jī)與安世宣布將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC功率半導(dǎo)體

2023年11月,日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體
2023-11-25 16:50:53451

三菱電機(jī)將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體

雖然是同一電力半導(dǎo)體公司,但是三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體的另一個(gè)焦點(diǎn)、電子電力半導(dǎo)體為中心的“各離散元件的組合”,高性能sic模塊產(chǎn)品的信賴性的性能提供業(yè)界名聲;onse半導(dǎo)體元件的開發(fā)、生產(chǎn)、認(rèn)證領(lǐng)域具有幾十年的豐富經(jīng)驗(yàn)。目前還提供高品質(zhì)的寬帶配件。
2023-11-24 12:28:54282

使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗

使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333

如何賦能新一代寬帶隙半導(dǎo)體?這三類隔離柵極驅(qū)動(dòng)器了解一下~

在電力電子領(lǐng)域,為了最大限度地降低開關(guān)損耗,通常希望開關(guān)時(shí)間短。然而快速開關(guān)同時(shí)隱藏了高壓瞬變的危險(xiǎn),這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此,必須設(shè)計(jì)更高性能的開關(guān)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 。 目前,寬帶隙半導(dǎo)體
2023-11-17 18:45:01326

SiC驅(qū)動(dòng)模塊的應(yīng)用與發(fā)展

SiC驅(qū)動(dòng)器模塊具有較低的功耗、高溫運(yùn)行能力和快速開關(guān)速度等優(yōu)勢(shì),使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動(dòng)器模塊可以用于電動(dòng)車的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257

三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體共同開發(fā)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體

三菱電機(jī)今天宣布,將與安世半導(dǎo)體建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體
2023-11-15 15:25:52473

意法半導(dǎo)體發(fā)布ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模塊

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)發(fā)布了ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模塊,采用方便的32引腳雙列直插式模制通孔封裝,適用于汽車應(yīng)用。針對(duì)車載充電器 (OBC
2023-11-14 15:48:49356

三菱電機(jī)和安世半導(dǎo)體將合作共同開發(fā)碳化硅功率半導(dǎo)體

11月13日, 三菱電機(jī)株式會(huì)社(TOKYO:6503)宣布,將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅(SiC功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片,Nexperia將用于開發(fā)SiC分立器件。
2023-11-14 10:34:33456

功率半導(dǎo)體類型有哪些

功率半導(dǎo)體是電力電子技術(shù)的關(guān)鍵組件,主要用作電路和系統(tǒng)中的開關(guān)或整流器。如今,功率半導(dǎo)體幾乎廣泛應(yīng)用于人類活動(dòng)的各個(gè)行業(yè)。我們的家電包括功率半導(dǎo)體,電動(dòng)汽車包括功率半導(dǎo)體,飛機(jī)和宇宙飛船包括功率半導(dǎo)體
2023-11-07 10:54:05459

中瑞宏芯完成近億元融資,系SiC功率半導(dǎo)體企業(yè)

中瑞宏芯將于2021年在海外回國技術(shù)專家和國內(nèi)電力半導(dǎo)體業(yè)界的最佳產(chǎn)品被開發(fā)組成立了,新一代節(jié)能高效碳化硅功率正致力于開發(fā)芯片和模塊,而且電力半導(dǎo)體及碳化硅材料器件領(lǐng)域具有10年以上的技術(shù)積累。
2023-11-03 11:19:55398

各大主機(jī)廠在SIC/IGBT模塊上的布局分析

本文將詳細(xì)介紹各大主機(jī)廠在SIC/IGBT模塊上的布局,以及現(xiàn)在的產(chǎn)能應(yīng)用情況等,探討車企大規(guī)模進(jìn)入功率半導(dǎo)體行業(yè)背后的原因,助力車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健康持續(xù)發(fā)展。
2023-11-02 11:40:30296

意法半導(dǎo)體車規(guī)雙列直插碳化硅功率模塊提供多功能封裝配置

充電機(jī)(OBC)、 DC/DC直流變壓器、油液泵、空調(diào)等汽車系統(tǒng),產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)包括高功率密度、設(shè)計(jì)高度緊湊和裝配簡易等,提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置,增強(qiáng)了系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活性。 ? 新模塊內(nèi)置1200V SiC功率開關(guān)管,意法半導(dǎo)體第二代和第三代 SiC MOSFET先進(jìn)技術(shù)確保碳化硅開關(guān)管具有
2023-10-31 15:37:59887

意法半導(dǎo)體發(fā)布ACEPACK DMT-32系列車規(guī)碳化硅(SiC)功率模塊

泵、空調(diào)等汽車系統(tǒng),產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)包括高功率密度、設(shè)計(jì)高度緊湊和裝配簡易等,提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置,增強(qiáng)了系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活性。 ? 新模塊內(nèi)置1200VSiC功率開關(guān)管,意法半導(dǎo)體第二代和第三代 SiC MOSFET先進(jìn)技術(shù)確保碳化硅開關(guān)管具有很低的導(dǎo)通電阻RDS(o
2023-10-30 16:03:10262

車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀,SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419

意法半導(dǎo)體推出雙列直插式封裝ACEPACK DMT-32系列碳化硅功率模塊

功率密度、非常緊湊的設(shè)計(jì)和簡化的裝配過程。該產(chǎn)品系列為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了四件裝、六件裝和圖騰柱配置的選擇,以提高其靈活性。 這些模塊包括1,200V SiC電源開關(guān),采用意法半導(dǎo)體尖端的第二代和第三代SiC MOSFET技術(shù),以確保最小的RDS(on)值。這些器件以最小的溫度依賴性
2023-10-26 17:31:32741

同步buck電路的mos自舉驅(qū)動(dòng)可以降低mos的開關(guān)損耗嗎?

同步buck電路的mos自舉驅(qū)動(dòng)可以降低mos的開關(guān)損耗嗎? 同步buck電路的MOS自舉驅(qū)動(dòng)可以降低MOS的開關(guān)損耗 同步Buck電路是一種常見的DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器,它具有高效、穩(wěn)定、可靠的特點(diǎn)
2023-10-25 11:45:14522

提高SiC功率模塊功率循環(huán)能力

改變功率模塊市場。通過用寬帶隙碳化硅(SiC)取代標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體中使用的硅,它們有可能將半導(dǎo)體功率模塊的適用性擴(kuò)展到更高功率、更高溫度的用例。 碳化硅不辜負(fù)其高期望,到2026年占據(jù)功率模塊市場25%的份額 ^1^ ,開發(fā)人員將不得不克服幾個(gè)挑戰(zhàn)。首先,他們
2023-10-23 16:49:36372

凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS

2023年10月,凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異,開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動(dòng),能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
2023-10-20 09:43:26485

如何設(shè)計(jì)一種適用于SiC FET的PCB呢?

SiC FET(即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合)等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后,功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。
2023-10-19 12:25:58208

sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化

sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達(dá)半導(dǎo)、聞泰科技等公司,注意以上信息僅供參考,如果想了
2023-10-18 16:14:30586

東芝推出適用于半導(dǎo)體測試設(shè)備中高頻信號(hào)開關(guān)的小型光繼電器-降低插入損耗,改善高頻信號(hào)傳輸特性-

,并抑制功率衰減 [1] ,適用于使用大量繼電器且需要實(shí)現(xiàn)高速信號(hào)傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體測試設(shè)備的引腳電子器件。該產(chǎn)品于近日開始支持批量出貨。 TLP3475W采用了東芝經(jīng)過優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì),這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。降低插入損耗的同時(shí)還可將高頻信
2023-10-17 23:10:02321

東芝第3代碳化硅MOSFET為中高功率密度應(yīng)用賦能

MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代,新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡單,可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì) 相同功率等級(jí)的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,
2023-10-17 23:10:02268

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢(shì)

設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時(shí),需要考慮使用新型高性能氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)技術(shù)的器件。與電子開關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比,這些新型寬帶隙技術(shù)具有祼片外形尺寸小、導(dǎo)熱和熱管理性能優(yōu)異、開關(guān)損耗
2023-10-12 16:18:561870

英飛凌如何控制基于SiC功率半導(dǎo)體器件的可靠性呢?

英飛凌如何控制和保證基于 SiC功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686

納米軟件半導(dǎo)體測試廠家助力半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測試

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)測試參數(shù)是指在交流條件下對(duì)器件進(jìn)行測試,是確保半導(dǎo)體性能、穩(wěn)定性和可靠性的重要依據(jù)。動(dòng)態(tài)測試參數(shù)主要有開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、反向恢復(fù)電流、開關(guān)電流、耗散功率等。
2023-10-10 15:23:38278

【轉(zhuǎn)帖】華潤微碳化硅/SiC SBD的優(yōu)勢(shì)及其在Boost PFC中的應(yīng)用

的EMI;具有正溫度系數(shù)的導(dǎo)通電壓,有利于器件并聯(lián)使用過程中的均流,提高并聯(lián)使用的可靠性。通過在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中合理選擇SiC SBD,可以提高產(chǎn)品性能,降低產(chǎn)品的綜合成本。 作為國內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)的龍頭企業(yè)
2023-10-07 10:12:26

第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。 在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342

寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢(shì)

本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢(shì),以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗開關(guān)損耗會(huì)被高 di/dt 和 dv/dt 放大,造成電路
2023-09-21 17:09:32316

ROHM | SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14351

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢?

在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。其中包括更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:31347

意法半導(dǎo)體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設(shè)計(jì),為沃爾沃下一代電動(dòng)汽車賦能

? 點(diǎn)擊上方? “?意法半導(dǎo)體中國” , 關(guān)注我們 ???????? ?? 意法半導(dǎo)體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅 ( SiC功率MOSFET,支持沃爾沃汽車在2030年前全面實(shí)現(xiàn)
2023-09-07 08:10:01407

面向新能源應(yīng)用的寬帶隙新材料和功率模塊解決方案

更高的性能 & 電壓運(yùn)行? 極低的功率損耗? 低電流下的高效率? 固有SiC 體二極管(4象限運(yùn)轉(zhuǎn))更高的工作頻率? 更低的開關(guān)損耗? 出色的二極管開關(guān)性能更高的工作溫度? 可在高達(dá) 200°C 的結(jié)溫下工作
2023-09-07 06:49:53

東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開關(guān)損耗的4引腳封裝

點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布, 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET---
2023-09-04 15:13:401134

功率半導(dǎo)體器件 氧化鎵市場正在穩(wěn)步擴(kuò)大

調(diào)查結(jié)果顯示,SiC、GaN(氮化鎵)等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件,市場正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:24364

STI將于2026年在釜山建立功率半導(dǎo)體材料工廠

,該組件是電動(dòng)汽車的關(guān)鍵組件。 碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體應(yīng)用于控制電動(dòng)汽車 (EV)、電子產(chǎn)品和5G通信網(wǎng)絡(luò)中的電流和功率轉(zhuǎn)換方向。由于其耐用性和穩(wěn)定性,SiC功率半導(dǎo)體正在迅速取代硅 (Si) 功率半導(dǎo)體。 在一份聲明中釜山市表示,該工廠將用于生產(chǎn)晶圓等功率半導(dǎo)體材料
2023-08-30 15:46:01372

車規(guī)級(jí)!碳化硅(SiC)MOSFET,正式開啟量產(chǎn)交付

據(jù)介紹,瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15-18V,可提升應(yīng)用兼容性,簡化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上,第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET,但進(jìn)一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì),使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%,并顯著降低開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)效率。
2023-08-23 15:38:01703

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對(duì)其改良可以實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢(shì)。
2023-08-23 12:48:23368

一文看懂SiC功率器件

一、什么是SiC半導(dǎo)體?1.SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時(shí)可以在較寬
2023-08-21 17:14:581144

SiC功率半導(dǎo)體市場,如何才能成為頭部玩家?

功率電子領(lǐng)域,要論如今炙手可熱的器件,SiC要說是第二,就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導(dǎo)體器件逐漸接近其物理極限,由第三代SiC功率器件接棒來沖刺更高的性能,已經(jīng)是大勢(shì)所趨。 與傳統(tǒng)
2023-08-16 08:10:05270

碳化硅(SiC)火爆!上半年SiC車型銷量超120萬輛,本土SiC企業(yè)上車哪家強(qiáng)?

本土企業(yè)開始嶄露頭角,而日本車企偏向于選擇日本供應(yīng)商。 相比IGBT,SiC功率器件具有更高開關(guān)速度、更低開關(guān)損耗、更高效率和耐用性等特點(diǎn),轉(zhuǎn)化為汽車最直觀的體驗(yàn)就是續(xù)航能力更長,更易于輕量化車身設(shè)計(jì)。特斯拉率先將SiC用于其爆款車型Model 3上,其也成
2023-08-11 17:07:36465

功率半導(dǎo)體的知識(shí)總結(jié)(MOSFET/IGBT/功率電子器件/半導(dǎo)體分立器件)

功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件(含模塊)以及功率 IC 等。其中,功率半導(dǎo)體分立器件,按照器件結(jié)構(gòu)劃分,可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043

MOS管的開關(guān)損耗計(jì)算

MOS 管的開關(guān)損耗對(duì)MOS 管的選型和熱評(píng)估有著重要的作用,尤其是在高頻電路中,比如開關(guān)電源,逆變電路等。
2023-07-23 14:17:001215

MOS管的開關(guān)損耗計(jì)算

CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式,DCM 模式很簡單了。
2023-07-17 16:51:224661

TMC2023-車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體論壇劇透丨SiC在NEV中的創(chuàng)新型應(yīng)用

,電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)引入SiC模塊如何進(jìn)一步降低雜散電感,功率器件與模塊可靠性如何提升等。以上話題將在SiC在NEV中的創(chuàng)新型應(yīng)用版塊一一研討。 ? 第十五屆汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)年會(huì)(TMC2023)暨第二屆車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體及應(yīng)用技術(shù)論壇 將于7月13-14日在青島重磅推
2023-06-27 16:06:52586

中國車企下決“芯” 功率半導(dǎo)體全布局

無獨(dú)有偶,在車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域布局的車企不止吉利一家。近日,深藍(lán)汽車與斯達(dá)半導(dǎo)體達(dá)成合作,雙方組建了一家名為 " 重慶安達(dá)半導(dǎo)體有限公司 " 的全新合資公司,雙方將圍繞車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊開展合作,共同推進(jìn)下一代功率半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-06-25 16:47:45556

科友半導(dǎo)體突破8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)

科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù),在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。2023年4月,科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通并進(jìn)入中試線生產(chǎn),打破了國際在寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的限制和封鎖。
2023-06-25 14:47:29342

突破氮化鎵功率半導(dǎo)體的速度限制

突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49

高效率功率變換成為開關(guān)電源的主要選擇

開關(guān)損耗一直困惑著開關(guān)電源設(shè)計(jì)者,由于功率半導(dǎo)體器件在開關(guān)過程中,器件上同時(shí)存在電流、電壓,因而不可避免地存在開關(guān)損耗,如果開關(guān)電源中開關(guān)管和輸出整流二極管能實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)或零電流開關(guān),則其效率可以明顯提高。
2023-06-24 11:02:00227

影響電源效率提升的主要損耗

效率一直以來都是電源領(lǐng)域的研究重點(diǎn),尤其在一些小體積高功率密度的電源系統(tǒng)中尤為重要。比如,適配器電源、模塊電源、服務(wù)器用電源等。近年來,第三代GaN半導(dǎo)體的廣泛應(yīng)用,以及功率開關(guān)頻率的提高,使得
2023-06-23 09:47:00609

半橋GaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)

升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21

IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件技術(shù)與應(yīng)用

IGBT技術(shù)在功率密度、工作頻率、損耗控制等方面不斷創(chuàng)新。新一代IGBT產(chǎn)品在提高開關(guān)速度、降低開關(guān)損耗、增強(qiáng)耐壓能力等方面取得了顯著進(jìn)展,提高了系統(tǒng)效率和可靠性。
2023-06-21 11:24:33919

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42

GaNFast功率半導(dǎo)體建模資料

GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27

三菱電機(jī)開始提供工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊樣品

三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2023年6月13日)宣布,將于6月14日開始提供工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊的樣品。該模塊降低了內(nèi)部電感,并集成了第二代SiC芯片,有望幫助實(shí)現(xiàn)更高效、更小型、更輕量的工業(yè)設(shè)備。
2023-06-15 11:16:28748

一文詳解功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體器件或模塊是電機(jī)控制器的心臟。電機(jī)控制器、電機(jī)和減速器一起組 成電動(dòng)汽車的電力驅(qū)動(dòng)總成。
2023-06-09 16:48:232758

AEC-Q101|SiC功率器件高溫反偏

SiC(碳化硅)功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關(guān)損耗等特性,能有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求,受到了新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的追捧。
2023-06-09 15:20:53499

導(dǎo)入寬帶隙半導(dǎo)體 滿足高瓦數(shù)電源供應(yīng)需求

益登科技 300W 電源解決方案采用以 SiC/GaN 為材料的 MOSFET 和肖特基勢(shì)壘二極管,以降低開關(guān)損耗和恢復(fù)損耗,搭配 PFC 和 LLC 二合一數(shù)字控制器,在重負(fù)載和輕負(fù)載條件下均有優(yōu)異的效率表現(xiàn),并且擁有全面的保護(hù)功能,包含過壓保護(hù)、過流保護(hù)、開環(huán)保護(hù)等
2023-06-02 16:03:57214

盡可能地降低 SiC FET 的電磁干擾和開關(guān)損耗

Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布,該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商,它的加入促使
2023-05-29 21:05:02291

瞻芯電子SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品技術(shù)提供一站式芯片解決方案

功率半導(dǎo)體和芯片公司,瞻芯電子將攜最新碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體、芯片產(chǎn)品和解決方案參展,在N5館儲(chǔ)能技術(shù)及裝備、逆變器、電源國際品牌館亮相,并期待與您共同探討未來的綠色能源發(fā)展之路。 ? 瞻芯電子致力于開發(fā)碳化硅(SiC)功率器件和模塊、柵極驅(qū)動(dòng)芯片、控制芯片產(chǎn)品
2023-05-25 14:59:221125

又一大廠入局!預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)SiC功率器件

據(jù)悉,瑞薩電子將用于處理系統(tǒng)的尖端邏輯半導(dǎo)體的生產(chǎn)外包給代工廠,這些系統(tǒng)的開發(fā)和投資成本很高。功率半導(dǎo)體則在內(nèi)部生產(chǎn),2014年關(guān)閉的甲府工廠也將于2024年上半年重新開始運(yùn)營,開始生產(chǎn)使用硅的功率半導(dǎo)體
2023-05-24 17:06:241050

中等功率應(yīng)用是Wolfspeed WolfPACK功率模塊“最理想的應(yīng)用場合”

經(jīng)過 30 多年的碳化硅(SiC)研發(fā),我們目前的產(chǎn)品組合中包含各種 SiC 肖特基二極管、MOSFET 和功率模塊,涵蓋了廣泛的功率要求。相較于硅(Si)晶體管,出色的載流能力和更低的開關(guān)損耗
2023-05-20 16:12:01833

為什么礦機(jī)電源對(duì)效率和可靠性要求越來越高

作為半導(dǎo)體材料,SiC具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),這便給SiC器件帶來了諸多特征參數(shù)方面的提升,比如更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,更高的耐壓容量,更高的工作頻率,更高的工作溫度,更高的功率密度等等,而這些都是提升礦機(jī)電源功率以及電能轉(zhuǎn)化效率的好辦法。
2023-05-19 10:43:22920

特瑞仕開始提供功率半導(dǎo)體SiC肖特基勢(shì)壘二極管850V/10A樣品

特瑞仕半導(dǎo)體是專注于電源IC的模擬CMOS專業(yè)集團(tuán),Phenitec Semiconductor是特瑞仕半導(dǎo)體的子公司,此產(chǎn)品是由Phenitec Semiconductor開發(fā)的SiC SBD芯片搭載于多功能TO-220AC封裝投放市場。
2023-05-16 11:32:28190

安森美上車“極氪”,半導(dǎo)體大廠積極布局車用SiC市場

半導(dǎo)體廠Onsemi于今年四月底宣布與中國吉利汽車集團(tuán)旗下的極氪汽車簽署SiC功率元件LTSA(Long-Term Supply Agreement),極氪車款未來將藉由搭載Onsemi提供
2023-05-16 08:42:16250

碳化硅功率器件測試

碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。近年來,全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國
2023-05-15 10:04:53804

功率半導(dǎo)體技術(shù)現(xiàn)狀及其進(jìn)展

功率半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)過 60 余年發(fā)展,器件阻斷能力和通態(tài)損耗的折衷關(guān)系已逐漸逼近硅基材料物理極限,因此寬禁帶材料與器件越來越受到重視,尤其是以碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN) 為代表的第 3 代半導(dǎo)體材料為大功率半導(dǎo)體技術(shù)及器件帶來了新的發(fā)展機(jī)遇。
2023-05-09 14:27:552715

第三代半導(dǎo)體SIC產(chǎn)業(yè)鏈研究(下)

半導(dǎo)體SiC
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2023-04-25 17:57:10

第三代半導(dǎo)體SIC產(chǎn)業(yè)鏈研究(上)

半導(dǎo)體SiC
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2023-04-25 17:50:53

淺談降低MOSFET損耗和及EMI性能提高

MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗
2023-04-18 09:22:021248

國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長

技術(shù)及工藝的先進(jìn)性,還較大程度上依賴進(jìn)口,未來進(jìn)口替代空間較大。從中長期看,國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測,到2026年分立器件的市場需求將超過3,700億元。近年來物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 13:46:39

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢(shì)壘二極管

Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18

「芝·解車」蔚來汽車SiC電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)拆解

電機(jī)控制器整體重量低于7.5kg,厚度76mm,功率密度為34kW/kg,SiC用在車用逆變器上,可以使開關(guān)損耗降低75%(芯片溫度為150°C)。在相同封裝下,全SiC模塊具備更高的電流輸出能力,支持逆變器達(dá)到更高功率
2023-03-30 09:39:251229

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13

MOSFET開關(guān)損耗的計(jì)算方法

MOS管在電源應(yīng)用中作為開關(guān)用時(shí)將會(huì)導(dǎo)致一些不可避免的損耗,這些損耗可以分為兩類。
2023-03-26 16:18:555700

第三代半導(dǎo)體SiC模塊廠商中科意創(chuàng)完成數(shù)千萬元A+輪融資

,芯片支撐系統(tǒng)”模式布局第三代半導(dǎo)體 SiC 功率模塊以及系統(tǒng)應(yīng)用,基于STPAK 封裝的SiC 模塊取得了非常不錯(cuò)的市場成績。而且中科意創(chuàng)成功研發(fā)了國內(nèi)首臺(tái)ASIL-D最高功能安全等級(jí)的SiC電機(jī)控制器,并獲得了國內(nèi)首張ASIL-D產(chǎn)品認(rèn)證證書。 對(duì)
2023-03-24 18:24:394106

已全部加載完成

主站蜘蛛池模板: 国产高清在线a视频大全| 父亲猜女儿在线观看| 国内精品人妻无码久久久影院蜜桃| 日韩人妻无码精品久久中文字幕| 999久久免费高清热精品| 开心片色99xxxx| 伊人久久青青| 久久国产主播福利在线| 亚洲精品色情婷婷在线播放 | 丰满的女友1在线观看| 青娱乐极品视觉盛宴国产视频| gogogo在线观看| 青青草AV国产精品| 边摸边吃奶边做带声音| 热久久视久久精品18| 超h高h肉h文教室生理课| 日本一本在线播放| 国产99r视频精品免费观看| 视频成人永久免费下载| 国产精品久久精品| 校园高h肉耽文| 果冻传媒在线观看完整版免费| 亚洲免费黄色| 精品亚洲午夜久久久久| 伊人草久久| 美女脱了内裤张开腿让男人爽| 18videosex性欧美黑色| 嫩草亚洲国产精品| 爱啪国产精品视频在线| 涩涩涩涩爱网站| 国产精品色无码AV在线观看| 亚洲成人精品| 久久合| 97免费视频在线| 让男人玩尿道的女人| 国产不卡无码高清视频| 亚洲第一伊人| 久久亚洲国产精品亚洲| GAY空少被体育生开菊| 涩涩游戏盒| 好大好爽好深舒服死了|