三菱電機和安世半導體將合作共同開發碳化硅功率半導體
11月13日， 三菱電機株式會社（TOKYO：6503）宣布，將與Nexperia B.V.建立戰略合作伙伴關系，共同開發面向電力電子市場的碳化硅（SiC）功率半導體。
三菱電機將利用其寬禁帶半導體技術開發和供應SiC MOSFET芯片，Nexperia將用于開發SiC分立器件。
Nexperia高級副總裁兼雙極分立業務部總經理Mark Roeloffzen表示：“與三菱電機的這種互利戰略合作伙伴關系代表了Nexperia碳化硅之旅的重要一步。三菱電機作為技術成熟的碳化硅器件和模塊供應商有著良好的記錄。結合Nexperia在分立產品和封裝方面的高質量標準和專業知識，我們必將在兩家公司之間產生積極的協同效應，最終使我們的客戶能夠在他們所服務的工業、汽車或消費市場中提供高能效產品。
三菱電機半導體與器件執行官兼集團總裁Masayoshi Takemi表示：“Nexperia是工業領域的領先公司，擁有高質量分立半導體的成熟技術。我們很高興建立這種共同開發合作伙伴關系，這將利用兩家公司的半導體技術。
三菱電機在高速列車、高壓工業應用和家用電器等應用中確立了領先地位。該公司于2010年推出了全球首款用于空調的SiC功率模塊，并于2015年成為新干線子彈頭列車全SiC功率模塊的首家供應商。三菱電機在碳化硅功率模塊的開發和制造方面積累了卓越的專業知識，這些模塊以其先進的性能和高可靠性而聞名。
審核編輯：劉清
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