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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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Navitas發布2024財年Q3財報:營收微降,但技術與市場布局加速
近日,Navitas半導體公司發布了其截至2024年9月30日的第三季度未經審計的財務業績報告。盡管總營收微降至2170萬美元,相比2023年第三季度的...
Wolfspeed, ZF推遲至2025年的8英寸SiC晶圓廠建設計劃
據悉,該座選址在薩爾州恩斯多夫的8英寸SiC晶圓廠計劃由沃爾弗斯普萊特負責籌備,耗資約27.5億歐元(約等于215億人民幣),同時得到德國聯邦政府以及薩...
近日,清純半導體宣布完成數億元Pre-B輪融資,這是清純半導體繼今年4月份完成數億元A+輪融資以來的又一融資進展。
影響下一代功率半導體器件發展和實施的三個主要因素:對持續改進功率轉換系統效率的監管要求;市場需要更輕、更小、更具成本效益的系統,具有更集成的功能和新興應...
半導體行業的發展需要養精蓄銳,但新的發展機遇來臨時也要銳意進取。新能源產業的發展應用、新技術的創新推動以及第三代半導體SiC持續滲透,將給半導體行業帶來...
揚杰科技亮相2024全球車規級功率半導體峰會暨優秀供應商創新展
聚焦行業趨勢,共話產業未來, 2024年5月30日,為期一天半的2024全球車規級功率半導體峰會暨優秀供應商創新展(簡稱GAPS)在杭州舉行。
此外,SiC 具有優異的材料特性,例如正向電阻的最小增加。與硅元件相比,這可以實現更大的封裝小型化和節能。基于 SiC 的組件可以在更高的環境溫度下運行...
功率器件是電力電子行業的重要基礎元器件之一, 能夠實現對電能的處理、轉換及控制,主要包括功率二極管、晶閘管、IGBT、MOSFET 等 產品。
8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實驗結果∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
8.2.10.34H-SiC反型層遷移率的實驗結果8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關...
2022-03-05 標簽:SiC 557 0
【RISC-V產業資訊】SiC、Chiplet、RISC-V,汽車半導體發展的三大動力
本文由半導體產業縱橫(ID:ICVIEWS)綜合到2027年,汽車半導體整體規模將超過792億美金。應對汽車電子系統日益復雜的需求,新的技術趨勢正在不斷...
領先于智能電源和智能感知技術的 安森美 (onsemi),針對其EliteSiC碳化硅(SiC)產品系列及其應用推出一款突破性的仿真工具。全新的Elit...
在近日舉行的elexcon2024深圳國際電子展上,威兆半導體震撼發布了其全新一代高性能碳化硅(SiC)MOSFET——HCF2030MR70KH0,該...
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