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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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? ? ? 日本媒體報(bào)道稱(chēng)日本羅姆（ROHM）12月將開(kāi)始量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體。原材料是碳化硅（SiC），羅姆花費(fèi)約20年推進(jìn)了研發(fā)。據(jù)稱(chēng)，羅姆在福岡縣...

2022-11-28 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 653 0

碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)昕感科技完成新一輪戰(zhàn)略投資

近日，SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)領(lǐng)域的佼佼者昕感科技宣布，已完成新一輪戰(zhàn)略融資，本輪投資方為同鑫投資。此次融資的成功，標(biāo)志著昕感科技在SiC功率器件芯片及...

2024-05-20 標(biāo)簽：功率器件 SiC 功率半導(dǎo)體 652 0

芯聚能半導(dǎo)體榮獲“2023行家極光獎(jiǎng)”兩大殊榮

據(jù)了解，“年度最具影響力SiC模塊產(chǎn)品”旨在肯定SiC模塊制造技術(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域最新創(chuàng)新成果，對(duì)提高產(chǎn)能效率、科技轉(zhuǎn)化、產(chǎn)業(yè)升級(jí)具有積極引導(dǎo)價(jià)值，同時(shí)也驅(qū)動(dòng)...

2023-12-15 標(biāo)簽：模塊制造技術(shù)SiC 651 0

SiC/GaN前沿趨勢(shì)大論劍！這場(chǎng)會(huì)議干貨來(lái)了

隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復(fù)，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰，持續(xù)攪動(dòng)新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、通訊基站等高壓高功率應(yīng)...

2023-06-16 標(biāo)簽：SiC GaN 第三代半導(dǎo)體 651 0

SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。

2023-05-04 標(biāo)簽：MOSFET SiC 開(kāi)關(guān)損耗 651 0

蘇州固锝2024慕尼黑上海電子展圓滿落幕

近期，為期三天的2024年慕尼黑電子展（electronica China）在上海新國(guó)際博覽中心圓滿落幕！

2024-08-19 標(biāo)簽：功率二極管半導(dǎo)體 SiC 650 0

Power Integrations推出具有快速短路保護(hù)功能的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器

PI近日推出全新系列的即插即用型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊

2023-12-14 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 650 0

羅姆子公司SiCrystal在德國(guó)擴(kuò)產(chǎn)，SiC產(chǎn)能將擴(kuò)大三倍

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)升溫，尤其是新能源汽車(chē)、光伏及風(fēng)電等綠色能源領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芄β拾雽?dǎo)體需求激增的背景下，羅姆集團(tuán)旗下的子公司SiCrystal GmbH...

2024-07-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 羅姆 650 0

賽晶科技發(fā)布一種車(chē)規(guī)級(jí)HEEV封裝SiC模塊

賽晶科技表示，為電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導(dǎo)通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達(dá)250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿足電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)...

2023-09-02 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)器電阻器 650 0

又一車(chē)企入股SiC企業(yè)，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)再加速！

廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司成立于2018年11月，主營(yíng)業(yè)務(wù)為SiC功率半導(dǎo)體器件，其主要產(chǎn)品車(chē)規(guī)級(jí)功率和工業(yè)級(jí)功率模塊廣泛，應(yīng)用于新能源汽車(chē)主機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域和...

2023-08-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體 SiC 650 0

7.1.3 雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開(kāi)關(guān)器件簡(jiǎn)介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7....

2022-02-09 標(biāo)簽：SiC 648 0

?Wolfspeed榮獲2023第二屆電源行業(yè)配套品牌大獎(jiǎng)

由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的 2023 第二屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)典禮于 12 月 23 日在深圳圓滿落幕。

2023-12-26 標(biāo)簽：電路保護(hù)肖特基二極管功率器件 647 0

一步步糾正關(guān)于SiC MOSFET短路認(rèn)知誤區(qū)

本期是和ChatGPT辯論的第五回合，英飛凌趙工出場(chǎng)了（第四回合回顧）。趙工內(nèi)心OS：往期雖然ChatGPT有時(shí)表現(xiàn)得可圈可點(diǎn)，但有時(shí)也不知所云。都說(shuō)人...

2023-11-06 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率半導(dǎo)體 647 0

清純半導(dǎo)體與悉智科技攜手，共推SiC車(chē)載應(yīng)用新篇章

在全球新能源汽車(chē)市場(chǎng)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，SiC（碳化硅）技術(shù)以其卓越的性能優(yōu)勢(shì)，正逐步成為新能源汽車(chē)行業(yè)的重要驅(qū)動(dòng)力。SiC材料的獨(dú)特性質(zhì)使得其在高溫、高壓...

2024-06-25 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)半導(dǎo)體 SiC 646 0

業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對(duì)稱(chēng)瞬態(tài)抑制二極管系列

數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)設(shè)備中高效電源解決方案的理想選擇 ? 芝加哥2024年10月22日訊 --?Littelfuse公司（NASDAQ：LF...

2024-10-22 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SiC 643 0

安森美全SiC模組加速滲透

隨著清潔能源的快速增長(zhǎng)，作為光伏系統(tǒng)心臟的太陽(yáng)能逆變器儼然已經(jīng)成為能源革命浪潮中的超級(jí)賽道。高效的光伏系統(tǒng)，離不開(kāi)功率器件。全I(xiàn)GBT方案、混合SiC方...

2024-11-30 標(biāo)簽：太陽(yáng)能安森美 SiC 643 0

英飛凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的產(chǎn)品特點(diǎn)

CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，Cool...

2024-03-22 標(biāo)簽：MOSFET SiC 輸出電流 642 0

華潤(rùn)微電子兩項(xiàng)產(chǎn)品入選中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果產(chǎn)品手冊(cè)

華潤(rùn)微“SiC JBS器件及系列化產(chǎn)品”“SiC MOSFET器件及系列化產(chǎn)品”兩項(xiàng)成果入選電子元器件領(lǐng)域科技創(chuàng)新成果

2024-04-14 標(biāo)簽：MOSFET 電動(dòng)車(chē)半導(dǎo)體 640 0

環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè)

環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭10月26日表示，她2年前錯(cuò)估了客戶對(duì)8英寸碳化硅（SiC）需求，現(xiàn)在情況超出預(yù)期，她強(qiáng)調(diào)環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè)，預(yù)估明...

2023-10-27 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 640 0

泰克攜手芯聚能共同推動(dòng)碳化硅功率模塊技術(shù)創(chuàng)新

在國(guó)家“雙碳”戰(zhàn)略的引領(lǐng)下，節(jié)能減排已成為推動(dòng)各行各業(yè)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型的核心動(dòng)力。泰克科技與廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司的合作，正是這一戰(zhàn)略下的重要實(shí)踐，雙方致力于...

2024-07-09 標(biāo)簽：泰克測(cè)試儀器 SiC 640 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
無(wú)線供電

無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

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手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
MAX660

MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

浪涌抑制器

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USB-PD

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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
LT8705

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