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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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ChatGPT是由OpenAI開(kāi)發(fā)的一種全新聊天機(jī)器人,它能夠通過(guò)學(xué)習(xí)和理解人類(lèi)的語(yǔ)言跟人對(duì)話(huà),還能根據(jù)聊天的上下文跟人互動(dòng),并協(xié)助人類(lèi)完成一系列任務(wù)。...
國(guó)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)芯片瞻芯電子2款通用柵極驅(qū)動(dòng)芯片IVCR1801A、IVCR1407A量產(chǎn)
近期,瞻芯電子自主開(kāi)發(fā)的2款通用柵極驅(qū)動(dòng)芯片IVCR1801A、IVCR1407A啟動(dòng)了全國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈量產(chǎn),將更有力地保障供應(yīng),滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。 瞻芯電子自...
2023-02-23 標(biāo)簽:SiC驅(qū)動(dòng)芯片柵極驅(qū)動(dòng) 4111 0
充電樁全球規(guī)模向上,800V超充催化SiC模塊加速滲透
電子發(fā)燒友原創(chuàng) ?章鷹 ? ? 近日,國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)正式下達(dá)工業(yè)和信息化部提出、全國(guó)汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口的《電動(dòng)汽車(chē)傳導(dǎo)充電用連接裝置 第1部...
Microchip投資8.8億美元擴(kuò)大碳化硅(SiC)和硅(Si)生產(chǎn)能力
憑借對(duì)碳化硅超過(guò)二十年的投資,Microchip 的產(chǎn)品組合旨在為我們的客戶(hù)提供創(chuàng)新的電源解決方案。
SiC器件的大功率充電樁將迎來(lái)巨大市場(chǎng)機(jī)會(huì)
公開(kāi)資料顯示,充電模塊是充電樁的核心零部件,約占充電樁總成本的50%;其中,半導(dǎo)體功率器件又占到充電模塊成本的30%,即半導(dǎo)體功率模塊約占充電樁成本15...
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的狀況 增長(zhǎng)勢(shì)頭過(guò)于強(qiáng)勁
氮化鎵 (GaN) 的情況略有不同。這種材料的賣(mài)點(diǎn)之一是它可以在硅晶圓上作為外延生長(zhǎng),因此不需要 GaN 晶圓。該行業(yè)的許多公司目前都是無(wú)晶圓廠(chǎng),這在一...
什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體,這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC...
SiC碳化硅功率器件產(chǎn)品線(xiàn)和硅基產(chǎn)品線(xiàn)介紹
碳化硅功率器件涵蓋碳化硅裸芯片,碳化硅二極管和碳化硅MOSFET,還要碳化硅模塊。我們重點(diǎn)介紹一下碳化硅二極管和碳化硅MOSFET。碳化硅二極管除了確保...
電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展正步入高速增長(zhǎng)階段。2023年開(kāi)年,行業(yè)研究機(jī)構(gòu)伊維經(jīng)濟(jì)研究院發(fā)布數(shù)據(jù)稱(chēng),2022年,全球新能源汽車(chē)銷(xiāo)量達(dá)到1082.4萬(wàn)輛,同比增長(zhǎng)61....
SiC(碳化硅)元件推動(dòng)電動(dòng)車(chē)新走向
第一代半導(dǎo)體材料大部分為目前廣泛使用的高純度硅;第二代化合物半導(dǎo)體材料包括砷化鎵、磷化銦;第三代化合物半導(dǎo)體材料以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表。
2023-02-20 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)SiC碳化硅 699 0
2027年SiC器件市場(chǎng)將在達(dá)到63億美元
面對(duì)這個(gè)巨大機(jī)遇,SiC 市場(chǎng)參與者正在努力在這個(gè)價(jià)值數(shù)十億美元的業(yè)務(wù)中創(chuàng)造更多收入。
2023-02-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)功率器件SiC 474 0
sic碳化硅電機(jī) 碳化硅(SiC)器件損耗小、耐高溫并能高頻運(yùn)行,被公認(rèn)為將推動(dòng)新能源汽車(chē)領(lǐng)域產(chǎn)生重大技術(shù)變革。世界各工業(yè)強(qiáng)國(guó)和大型跨國(guó)公司紛紛投入了大...
2023-02-17 標(biāo)簽:SiC 2396 0
英飛凌與Resonac簽署多年期碳化硅材料供應(yīng)協(xié)議
英飛凌科技持續(xù)擴(kuò)大與碳化硅(SiC)供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國(guó)的半導(dǎo)體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署...
未來(lái)市場(chǎng)格局充滿(mǎn)變數(shù) 小規(guī)模碳化硅供應(yīng)鏈難題未解
中國(guó)規(guī)模較小的碳化硅(SiC)供應(yīng)鏈參與者將發(fā)現(xiàn)2023年是其相對(duì)艱難的一年。
與SiC用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC組合,效率顯著提高
ROHM一直專(zhuān)注于功率元器件的開(kāi)發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”,是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與120...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器控制ICSiC 782 0
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。其中一個(gè)...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC寬禁帶半導(dǎo)體 675 0
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC-SBD”)產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓...
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開(kāi)幕的電動(dòng)汽車(chē)全球頂級(jí)賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018(第4賽季)”的文圖瑞Formula E車(chē)...
2022年3月,昕感科技完成超億元A輪融資,由藍(lán)馳創(chuàng)投領(lǐng)投,博裕資本、水木清華校友基金、海南贏璽投資有限公司、北京锎瀾投資管理有限公司參與融資。融資主要...
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