8.1.5 增強(qiáng)型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

8.1.5增強(qiáng)型和耗盡型工作模式8.1結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8....

2022-02-20 標(biāo)簽：SiC 583 0

SiC，30年意味著什么？

沈璐英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)高級市場總監(jiān)一直以來英飛凌都在積極推進(jìn)創(chuàng)新，在功率器件領(lǐng)域的創(chuàng)新使得我們已經(jīng)連續(xù)18年位列市場份額第一。無論是從創(chuàng)新...

2022-04-07 標(biāo)簽：英飛凌SiC 856 0

7.3.1 大注入與雙極擴(kuò)散方程∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

7.3.1大注入與雙極擴(kuò)散方程7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.3...

2022-02-11 標(biāo)簽：SiC 849 0

8.2.12.5-8 關(guān)斷過程∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

8.2.12.5關(guān)斷過程，0

2022-03-10 標(biāo)簽：SiC 418 0

6.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往...

2022-01-25 標(biāo)簽：SiC 1141 0

6.3.4.8 其他方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.4.8其他方法6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)...

2022-01-11 標(biāo)簽：SiC 765 0

９.１.３　端電流∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

９.１.３端電流９.１雙極結(jié)型晶體管（BJT）第９章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD...

2022-03-14 標(biāo)簽：SiC 293 0

7.3 pn與pin結(jié)型二極管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.2肖特基勢磊二極管（SBD）∈《...

2022-02-10 標(biāo)簽：SiC 927 0

6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6....

2022-01-24 標(biāo)簽：SiC 1721 0

6.3.4.1 SiC特有的基本現(xiàn)象∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.4.1SiC特有的基本現(xiàn)象6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表...

2022-01-05 標(biāo)簽：SiC 774 0

8.2.3 MOSFET電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

8.2.3MOSFET電流-電壓關(guān)系8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器...

2022-02-24 標(biāo)簽：電流SiC 774 0

９.３　晶閘管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

９.３晶閘管第９章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選...

2022-03-25 標(biāo)簽：SiC 370 0

6.4.1.2 SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.4.1.2SiC上的肖特基接觸6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》...

2022-01-24 標(biāo)簽：SiC 768 0

7.1.2 單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開關(guān)器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7....

2022-02-07 標(biāo)簽：SiC 603 0

6.3.4.7 電導(dǎo)法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.4.7電導(dǎo)法6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用...

2022-01-12 標(biāo)簽：SiC 660 0

6.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.4.6C-Ψs方法6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件...

2022-01-10 標(biāo)簽：SiC 899 0

6.3.5.5 界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

6.3.5.5界面的不穩(wěn)定性6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生...

2022-01-19 標(biāo)簽：SiC 706 0

7.1.1 阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

7.1.1阻斷電壓7.1SiC功率開關(guān)器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.5總結(jié)∈《碳化...

2022-02-07 標(biāo)簽：SiC 863 0

7.1.3 雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開關(guān)器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7....

2022-02-09 標(biāo)簽：SiC 648 0

8.2.12.1-4 開通過程∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

8.2.12.1開通過程，0

2022-03-08 標(biāo)簽：SiC 426 0