聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
SiC
+關注
關注
29文章
2841瀏覽量
62738
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對
發(fā)表于 01-04 12:37
8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結構
隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域的廣泛應用,高質量、大面積的SiC外延生長技術變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當前及未來一段時間內的主流尺寸,其外延生長
碳化硅功率器件在能源轉換中的創(chuàng)新應用
能源轉換、電力傳輸和電動汽車等領域具有廣闊的應用前景。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理和特點,并探討其在能源轉換中的創(chuàng)新應用,引領高效能源轉換的未來之光。
碳化硅功率器件在能源轉換中的應用
碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉換技術,因其優(yōu)異的性能在能源領域受到了廣泛的關注。本文將介紹碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的工作原理和應用
碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點,使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應用中具有明顯的優(yōu)勢。本
碳化硅功率器件的優(yōu)勢和應用領域
在電力電子領域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨特的性能和優(yōu)勢,逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點,使得碳化硅功率
碳化硅器件的類型及應用
碳化硅是一種廣泛用于制造半導體器件的材料,具有比傳統(tǒng)硅更高的電子漂移率和熱導率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作,同時保持穩(wěn)定性和效率。
發(fā)表于 04-16 11:54
?761次閱讀
碳化硅功率器件特性及基本原理
碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導體材料,與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比,具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強度和熱導率。
發(fā)表于 03-19 11:12
?663次閱讀
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏
發(fā)表于 03-08 08:37
碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應用領域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用
發(fā)表于 02-29 14:23
?1675次閱讀
簡單認識碳化硅功率器件
隨著能源危機和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網(wǎng)等領域的應用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點,被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈圖譜
共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導體襯底材料,根據(jù)電阻率不同可分為導電型、半絕緣型。導電型襯底可用于生長
評論