8.2.12.1-4 開(kāi)通過(guò)程∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.12.1 開(kāi)通過(guò)程，0
8.2.12.2 開(kāi)通過(guò)程，t1
8.2.12.3 開(kāi)通過(guò)程，t2
8.2.12.4 開(kāi)通過(guò)程，t>t3
8.2.12 MOSFET 瞬態(tài)響應(yīng)
8.2 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)
第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
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