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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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中科院物理研究所實現8英寸碳化硅生長的突破

從6寸把它發展到8寸，這樣在襯底上做出來的器件，就可以降低單個器件的襯底所占的成本，這是一個國際上發展的趨勢。

2023-02-03 標簽：晶圓 SiC 碳化硅 1368 0

如何化解第三代半導體的應用痛點

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碳化硅技術如何賦能離線式開關模式電源

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評估1200V SiC MOSFET在短路條件下的穩健性

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2022-08-09 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 1355 0

SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術挑戰

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體預計將在電力電子器件中發揮越來越重要的作用。與傳統硅(Si)設備相比，它們具有更高的效率、功率...

2024-04-29 標簽：功率器件 SiC GaN 1354 0

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2023-10-31 標簽：半導體晶閘管功率器件 1347 0

DPC陶瓷基板及其關鍵技術

良好的器件散熱依賴于優化的散熱結構設計、封裝材料選擇（熱界面材料與散熱基板）及封裝制造工藝等。

2023-06-04 標簽：太陽能電池 IGBT LED封裝 1346 0

VE-Trac SiC如何讓主驅逆變器變得更強

雙碳目標正加速推進汽車向電動化發展，半導體技術的創新助力汽車從燃油車過渡到電動車，新一代半導體材料碳化硅(SiC)因獨特優勢將改變電動車的未來，如在關鍵...

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Si/SiC和GaN HEMT器件的結構比較！

碳化硅（SiC）技術改進了各種應用中的多個系統和子系統組件。與硅相比，碳化硅通過更快的開關、在整個溫度范圍內的平坦RDS（on）和更好的體二極管性能表現...

2023-02-24 標簽：晶體管 SiC GaN 1334 0

中國碳化硅襯底價格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了

國際半導體IDM廠商，如意法半導體、英飛凌、安森美、羅姆電子等，在中國市場仍然占據碳化硅元件的重要地位。消息人士補充，外國汽車品牌或與中國合資的汽車品牌...

2024-03-14 標簽：SiC 碳化硅射頻器件 1329 0

EAB450M12XM3簡介：Wolfspeed首款車規級碳化硅功率模塊

如今，許多市場都受益于碳化硅（SiC）技術所帶來的優勢，尤其是汽車行業。相對于傳統硅（Si）組件，SiC 的性能更高，使系統的開關速度、工作溫度、功率密...

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從實際情況上看，目前多數SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進行生產，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會在很大程度上降...

2023-06-20 標簽：半導體晶圓 SiC 1321 0

SiC MOSFET的橋式結構及柵極驅動電路

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2023-02-27 標簽：二極管 MOSFET SiC 1320 0

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2023-08-08 標簽：MOSFET 驅動電路 SiC 1320 0

模塊輸出的有效電流和母線電壓以及開關頻率的關系

這是某大廠的1200V SiC模塊，雖然規格書上只寫了標稱電流IDN=400V

2023-11-15 標簽：MOSFET 逆變器 SiC 1317 0

皮秒激光器優化碳化硅劃刻

在切割脆性 SiC 晶片時，必須減少或完全消除機械鋸切的邊緣崩裂現象。單晶切割還應將材料的機械變化降至最低。同時還應優先考慮最大限度地減小切口寬度，以限...

2024-09-11 標簽：激光器 SiC 碳化硅 1309 0

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額外的650和1200V SiC SBD型號滿足當今交通、可再生能源和工業系統的功率密度要求。 Bourns宣布，它在現有的碳化硅(SiC)肖特基勢壘二...

2023-10-13 標簽：二極管 SiC Bourns 1308 0

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作者：Maurizio Di Paolo Emilio CISSOID宣布了專門為降低開關損耗或提高功率而量身定制的新型液冷模塊，屬于其三相碳化硅（Si...

2021-05-28 標簽：功率轉換器 SiC 柵極驅動器 1306 0

碳化硅器件在光伏逆變器中的應用

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2023-11-06 標簽：光伏發電 SiC 光伏逆變器 1297 0

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Advantes和 Teradyne最知名的是自動化測試設備。許多其他事情中，ATE工具取出探針卡，將它們與晶圓上的芯片完美對齊，并與晶圓上的電路進行物...

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