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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術

IGBT和SiC柵極驅動器基礎知識（一）

大家好，看到TI一篇關于IGBT和SiC器件柵極驅動應用的文檔，雖然比較基礎，但是概括的比較好，適合電力電子專業(yè)的初學者，總體內容如下。

2022-11-25 標簽：MOSFET IGBT 功率器件 1543 0

60W輔助電源1700V SiC MOSFET

輔助電源是電機驅動、光伏逆變器和 UPS 系統(tǒng)等工業(yè)應用的重要組成部分。高壓直流總線轉換為 5 V 至 48 V 直流電源，為控制電路、傳感電路、冷卻風...

2022-08-03 標簽：MOSFET SiC 輔助電源 1539 0

三相三電平PFC電路中SiC二極管的選擇

母線電容過壓時，軟件及時判斷并進行關脈沖處理，除此之外，母線電容上還需要并聯(lián)TVS，才能在軟件保護無效時，通過TVS保護母線電容。

2023-03-23 標簽：二極管 TVS SiC 1537 0

討論下電動汽車的發(fā)電模式

功率模塊在電動汽車內部工作時，是兩種模式；

2023-05-30 標簽：電動汽車二極管 MOSFET 1535 0

寬禁帶半導體紫外光電探測器設計研究

寬禁帶半導體光電探測技術在科學、工業(yè)和醫(yī)療領域中發(fā)揮著重要作用，提供了高效的光電轉換和探測功能，推動了許多現(xiàn)代科技應用的發(fā)展。

2023-09-20 標簽：半導體 SiC 光電探測器 1532 0

如何確保SiC驗證測試準確度？

SiC正在應用于功率更高、電壓更高的設計中，如電動汽車(EV)電機驅動器、電動汽車快速充電樁、車載及非車載充電器、風能及太陽能逆變器及工控電源。

2023-03-27 標簽：傳感器測試示波器 1530 0

什么是IGBT的膝電壓？

轉眼2024年的第一個周末了，也許只有到了隆冬，我們才會知道，我們身上有著一個不可戰(zhàn)勝的夏天。之前在聊到特斯拉減少75% SiC用量的話題時，我們聊了H...

2024-01-07 標簽：半導體 IGBT PN結 1528 0

半導體工藝與制造裝備技術發(fā)展趨勢

摘要：針對半導體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢進行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術發(fā)展的角度，分析半導體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢，重點介紹集成電路...

2023-05-23 標簽：集成電路半導體工藝 1525 0

碳化硅（SiC）功率器件核心優(yōu)勢及技術挑戰(zhàn)

SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導率是硅的...

2024-03-08 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 1511 0

什么是800V高壓架構？800V高壓架構的多種方案

越來越多的車企向800V高壓平臺進軍。那么800V高壓僅僅是指快充系統(tǒng)么？它到底為何能成為車企技術中的“香餑餑”？400V和800V的電動車在用車體驗上...

2024-01-06 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 1510 0

安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設計挑戰(zhàn)

隨著云計算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應用和大型設備的不斷發(fā)展，市場對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設計人員面...

2022-06-24 標簽：UPS 安森美 SiC 1504 0

SiC功率器件性能和可靠性的提升

在電力電子領域，碳化硅(SiC)技術對于推動向電動移動性的轉變和提高可再生能源系統(tǒng)的效率至關重要。隨著市場需求的增加，功率半導體公司面臨著迅速擴大生產(chǎn)能...

2024-07-04 標簽：功率器件 SiC 器件 1496 0

基于SiC的優(yōu)化2x250kW雙逆變器

電動汽車隨著汽車行業(yè)技術的進步 (HEV)，(EV) 和混合動力電動汽車 (HEV) 越來越受歡迎。交通系統(tǒng)的電氣化過程需要大量電力。雙逆變器技術已被用...

2022-08-03 標簽：MOSFET SiC 雙逆變器 1483 0

簡述碳化硅MOSFET尖峰的抑制 2

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個...

2023-02-10 標簽：MOSFET SiC 寬禁帶半導體 1481 0

為什么礦機電源對效率和可靠性要求越來越高

作為半導體材料，SiC具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，這便給SiC器件帶來了諸多特征參數(shù)方面的提升，比如更低的開關損耗和導...

2023-05-19 標簽：電源半導體 SiC 1473 0

SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征及優(yōu)勢

關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。

2023-02-08 標簽：SBD SiC 肖特基勢壘二極管 1467 0

一文解析SiC功率器件互連技術

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓大、開關頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶...

2024-03-07 標簽：MOSFET 功率器件互連技術 1464 0

具有低導通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設計

北京工業(yè)大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結構肖特基勢壘二極管（SBD）的性能

2024-02-19 標簽：SBD SiC GaN 1460 0

碳化硅器件的基本特性都有哪些？

碳化硅（SiliconCarbide,SiC）器件作為第三代半導體材料的重要代表，近年來在電子器件領域中備受關注。

2024-05-27 標簽：集成電路半導體 SiC 1454 0

深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結型晶體管（BJT）、結柵場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（M...

2024-04-10 標簽：MOSFET 場效應晶體管 SiC 1452 0

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