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NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。

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互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用

隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環(huán)繞柵...

2025-01-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NMOS 晶體管 1407 0

其利天下技術(shù)·Nmos和Pmos的區(qū)別及實(shí)際應(yīng)用·無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案開(kāi)發(fā)

NMOS（N型金屬氧化物半導(dǎo)體）和PMOS（P型金屬氧化物半導(dǎo)體）是兩種常見(jiàn)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型。它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：其利天...

2024-12-30 標(biāo)簽：電路 NMOS 無(wú)刷電機(jī) 413 0

使用4200A-SCS軟件和矩陣開(kāi)關(guān)搭建可靠性評(píng)估平臺(tái)

在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問(wèn)題。載流子在通過(guò)MOSFET通道的大電場(chǎng)加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流子到...

2024-12-11 標(biāo)簽：MOSFET NMOS 矩陣開(kāi)關(guān) 596 0

從平面晶體管到FinFET的演變

在90納米制程之前，每一代集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)的縮放不僅帶來(lái)了更高的器件密度，還提升了器件性能。然而，當(dāng)CMOS IC從90納米發(fā)展到65納米節(jié)點(diǎn)時(shí)，縮放并...

2024-12-04 標(biāo)簽：MOSFET NMOS 晶體管 385 0

4種常用的防反接電路

不管你是做什么電子產(chǎn)品，電源供電是必不可少的，今天給大家分享幾種常用的防反接電路，在我們工作中可能用的到。所謂防反接，就是正插時(shí)設(shè)備正常工作，反插時(shí)，...

2024-11-27 標(biāo)簽：二極管 NMOS 防反接電路 403 0

浮柵晶體管的組成結(jié)構(gòu)以及原理

浮柵晶體管主要是應(yīng)用于于非易失性存儲(chǔ)器之中，比如nand flash中的基本單元，本文介紹了浮柵晶體管的組成結(jié)構(gòu)以及原理。 ? ? 上圖就是浮柵晶體管大...

2024-11-24 標(biāo)簽：NMOS 晶體管 842 0

PMOS與NMOS的防反保護(hù)電路差異探討

簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，我們會(huì)使用NMOS來(lái)作防反電路，原因是成本較低。 PMOS一般會(huì)放置在電路的高邊，NMOS則是在低邊放置。兩者的功能類似。不過(guò)，...

2024-11-19 標(biāo)簽：保護(hù)電路 NMOS PMOS 624 0

電平轉(zhuǎn)換電路的實(shí)現(xiàn)原理及電路圖分享

5V和3.3V是單片機(jī)系統(tǒng)中常見(jiàn)的電平，對(duì)于IIC和SPI等輸傳輸協(xié)議，芯片和芯片之間存在高低電平定義范圍不一致的問(wèn)題，所以需要電平轉(zhuǎn)換電路來(lái)保證這些芯...

2024-11-13 標(biāo)簽：NMOS 電平轉(zhuǎn)換 682 0

NMOS型和PMOS型LDO的工作原理

實(shí)際常見(jiàn)的電源應(yīng)用有DCDC和LDO兩種，與DCDC電路不同的是，LDO輸出晶體管的工作狀態(tài)是線性工作模式，并非開(kāi)關(guān)模式。

2024-10-28 標(biāo)簽：ldo NMOS 晶體管 859 0

干貨分享：Air700ECQ的硬件設(shè)計(jì)，第一部分

?# 一、緒論 Air700ECQ是一款基于移芯EC716E平臺(tái)設(shè)計(jì)的LTE Cat 1無(wú)線通信模組。支持移動(dòng)雙模FDD-LTE/TDD-LTE的4G遠(yuǎn)...

2024-10-25 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)傳輸 NMOS LTE 932 0

為什么PMOS作為高側(cè)開(kāi)關(guān)更容易實(shí)現(xiàn)

高側(cè)開(kāi)關(guān)就是負(fù)載是接地的，開(kāi)關(guān)相對(duì)于負(fù)載處于高電位，如下圖所示。如果將開(kāi)關(guān)和負(fù)載的位置互換，就是低側(cè)開(kāi)關(guān)。

2024-10-08 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)負(fù)載 MOS管 1450 0

NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別

NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特...

2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NMOS 晶體管 4718 0

柵介質(zhì)層的發(fā)展和挑戰(zhàn)

隨著集成電路工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成電路器件的特征尺寸不斷按比例縮小，工作電壓不斷降低。...

2024-08-02 標(biāo)簽：集成電路 MOS管 NMOS 1283 0

多晶硅柵耗盡效應(yīng)簡(jiǎn)述

當(dāng)柵與襯底之間存在壓差時(shí)，它們之間存在電場(chǎng)，靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發(fā)生彎曲，并且電荷耗盡，從而形成多晶硅柵耗盡區(qū)。該耗盡區(qū)會(huì)在多晶...

2024-08-02 標(biāo)簽：多晶硅靜電 NMOS 3472 0

應(yīng)力記憶技術(shù)介紹

應(yīng)力記憶技術(shù)（Stress Memorization Technique, SMT），是一種利用覆蓋層Si3N4單軸張應(yīng)力提高90nm 及以下工藝制程中...

2024-07-29 標(biāo)簽：NMOS smt 工藝流程 1791 0

源漏嵌入SiC應(yīng)變技術(shù)簡(jiǎn)介

源漏區(qū)嵌入SiC 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度，它是通過(guò)外延生長(zhǎng)技術(shù)在源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料，利用硅和碳晶格常數(shù)...

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場(chǎng)效應(yīng)管怎樣調(diào)節(jié)電流

場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）在電路中調(diào)節(jié)電流的方式主要通過(guò)控制其柵極（Gate）電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)。以下將詳細(xì)闡述場(chǎng)效...

2024-07-23 標(biāo)簽：電流場(chǎng)效應(yīng)管 NMOS 1612 0

場(chǎng)效應(yīng)管的電流方向怎么判斷

場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）的電流方向判斷，主要依據(jù)其類型（N溝道或P溝道）以及源極（S）、漏極（D）和柵極（...

2024-07-23 標(biāo)簽：電流場(chǎng)效應(yīng)管 NMOS 3006 0

DCDC 高端 NMOS 的自舉秘訣

NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈極到S極，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾極到G極，導(dǎo)通條件為VSG有一...

2024-06-24 標(biāo)簽：NMOS 自舉 DCDC 952 0

NMOS、PMOS、CMOS的結(jié)構(gòu)

在集成電路和微電子領(lǐng)域中，MOS（Metal-Oxide-Semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管是一種基本的電子元件，根據(jù)其導(dǎo)電溝道的類型...

2024-05-28 標(biāo)簽：集成電路 CMOS NMOS 9312 0

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掃地機(jī)器人，又稱自動(dòng)打掃機(jī)、智能吸塵、機(jī)器人吸塵器等，是智能家用電器的一種，能憑借一定的人工智能，自動(dòng)在房間內(nèi)完成地板清理工作。
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單片機(jī)最小系統(tǒng)，或者稱為最小應(yīng)用系統(tǒng)，是指用最少的元件組成的單片機(jī)可以工作的系統(tǒng)，一般包括電源，晶振，復(fù)位電路三部分。
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3D成像是靠人兩眼的視覺(jué)差產(chǎn)生的。人的兩眼（瞳孔）之間一般會(huì)有8厘米左右的距離。要讓人看到3D影像，就必須讓左眼和右眼看到不同的影像，使兩副畫(huà)面產(chǎn)生一定差距，也就是模擬實(shí)際人眼觀看時(shí)的情況。3D的立體感覺(jué)就是如此由來(lái)的。
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能源互聯(lián)網(wǎng)可理解是綜合運(yùn)用先進(jìn)的電力電子技術(shù)，信息技術(shù)和智能管理技術(shù)，將大量由分布式能量采集裝置，分布式能量?jī)?chǔ)存裝置和各種類型負(fù)載構(gòu)成的新型電力網(wǎng)絡(luò)、石油網(wǎng)絡(luò)、天然氣網(wǎng)絡(luò)等能源節(jié)點(diǎn)互聯(lián)起來(lái)，以實(shí)現(xiàn)能量雙向流動(dòng)的能量對(duì)等交換與共享網(wǎng)絡(luò)。
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仿生機(jī)器人是指模仿生物、從事生物特點(diǎn)工作的機(jī)器人。目前在西方國(guó)家，機(jī)械寵物十分流行，另外，仿麻雀機(jī)器人可以擔(dān)任環(huán)境監(jiān)測(cè)的任務(wù)，具有廣闊的開(kāi)發(fā)前景。二十一世紀(jì)人類將進(jìn)入老齡化社會(huì)，發(fā)展“仿人機(jī)器人”將彌補(bǔ)年輕勞動(dòng)力的嚴(yán)重不足，解決老齡化社會(huì)的家庭服務(wù)和醫(yī)療等社會(huì)問(wèn)題，并能開(kāi)辟新的產(chǎn)業(yè)，創(chuàng)造新的就業(yè)機(jī)會(huì)。”
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培養(yǎng)箱

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培養(yǎng)箱，是指溫度可控的，主要用于培養(yǎng)微生物、植物和動(dòng)物細(xì)胞的箱體裝置，有的具有制冷和加熱的雙向調(diào)溫系統(tǒng)，是生物、農(nóng)業(yè)、醫(yī)藥、環(huán)保等科研部門的基本實(shí)驗(yàn)設(shè)備，廣泛應(yīng)用于恒溫培養(yǎng)、恒溫反應(yīng)等試驗(yàn)。
永磁無(wú)刷電機(jī)

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　　永磁無(wú)刷電動(dòng)機(jī)是通過(guò)電子電路換相或電流控制的永磁電動(dòng)機(jī)。永磁無(wú)刷電動(dòng)機(jī)有正弦波驅(qū)動(dòng)和方波驅(qū)動(dòng)兩種型式；驅(qū)動(dòng)電流為矩形波的通常稱為永磁無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)，驅(qū)動(dòng)電流為正弦波的通常稱為永磁交流伺服電動(dòng)機(jī)，接傳感類型可分為有傳感器電動(dòng)機(jī)和正傳感器電動(dòng)機(jī)。
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新松機(jī)器人自動(dòng)化股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“新松”）成立于2000年，隸屬中國(guó)科學(xué)院，是一家以機(jī)器人技術(shù)為核心的高科技上市公司。作為國(guó)家機(jī)器人產(chǎn)業(yè)化基地，新松擁有完整的機(jī)器人產(chǎn)品線及工業(yè)4.0整體解決方案。

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