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標(biāo)簽 > nmos
NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
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關(guān)于靜電放電(ESD)原理以及其保護(hù)方法的詳細(xì)分析
先來談靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)是什么?這應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)造成過度電應(yīng)力破壞的主要元兇。
常用MOS電源開關(guān)電路圖 NMOS、PMOS高低側(cè)電源開關(guān)電路設(shè)計
隨著對器件的控制需求提升,越來越多的電源開關(guān)電路出現(xiàn)在設(shè)計中。這些設(shè)計的目的各有不同:有的需要快速開通與關(guān)斷,有的需要低導(dǎo)通電阻+大電流,有的需要閑時0...
2023-08-23 標(biāo)簽:電源電路圖開關(guān)電路 5.1萬 0
模擬開關(guān)是控制模擬信號傳輸路徑的固態(tài)半導(dǎo)體開關(guān)。開關(guān)位置的打開和關(guān)閉操作通常由一些數(shù)字邏輯網(wǎng)絡(luò)控制,標(biāo)準(zhǔn)模擬開關(guān)可用于多種類型和配置。例如,單或雙常開(...
電源反接,會給電路造成損壞,電源反接是不可避免的。所以我們就需要給電路中加入保護(hù)電路,達(dá)到即使接反電源,也不會損壞的目的,下面介紹幾種常用防反接電路。
引言:MOS管開關(guān)電路在分立設(shè)計里面應(yīng)用非常廣泛,包括邏輯控制,電源切換,負(fù)載開關(guān)等,在一些電路巧妙設(shè)計上具有非常大的創(chuàng)新性。以下電路均以使用增強(qiáng)型MO...
如上圖MOS管符號,要注意如果剛學(xué)完三極再來看這個會覺得很別扭,記不住,下面與NMOS原理做介紹,PMOS就剛好是相反的。
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...
2023-02-27 標(biāo)簽:MOSFET應(yīng)用電路MOS管 2.2萬 0
NMOS LDO原理概括 NMOS LDO原理詳細(xì)分析
NMOS LDO詳細(xì)工作原理見圖2-17,圖中是NMOS的輸出特性曲線,讓我們結(jié)合圖2-16圖2-17分析。假設(shè)一開始LDO工作狀態(tài)在A點,當(dāng)負(fù)載電流突...
今天給大家講解一款廣泛應(yīng)用于智能硬件產(chǎn)品中的一鍵開關(guān)機(jī)電路。首先,我們先定義需要實現(xiàn)的功能:長按開機(jī)、長按關(guān)機(jī)、短按功能切換。接下來我們就對照如下電...
芯片的集成度雖然越來越高,但是整個電路功能的實現(xiàn),還是離不開分離器件的搭配,本文就針對筆者在實際工作中的關(guān)于 MOS 管(三極管)的應(yīng)用做一些整理。
2023-03-10 標(biāo)簽:三極管應(yīng)用電路MOS管 1.7萬 0
運算放大器采用圖1所示的電路結(jié)構(gòu),電路中的電流源均采用共源共柵結(jié)構(gòu),可以獲得較高的共模抑制比和電流復(fù)制精度。 其性能指標(biāo)為增益帶寬積GBW=100M...
MOS管是一種基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,也被稱為MOSFET(MOS場效應(yīng)管),是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用最廣泛的晶體管之一。
2023-02-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管NMOS 1.6萬 0
電子產(chǎn)品要正常工作,就離不開電源。像手機(jī)、智能手環(huán)這種消費類電子,其充電接口都是標(biāo)準(zhǔn)的接插件,不存在接線的情況,更不會存在電源接反的情況。但是,在工業(yè)、...
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