IGBT穩(wěn)態(tài)輸出特性及其工作原理

IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物，雙極型三極管具有低頻（10KHz以下）大電流能力，MOSFET具有高頻（100KHz以上）小電流特點。

2023-07-13 標(biāo)簽：三極管IC設(shè)計MOS管 1914 0

基于SG3525的推挽電路仿真設(shè)計

光伏逆變器前級往往需要先升壓，再進行逆變。低壓通過高頻升壓的主要目的是減小逆變器體積、提高功率密度、減小損耗，提高效率。但高頻同樣也面臨諸多問題，如電磁...

2023-07-13 標(biāo)簽：MOS管推挽電路光伏逆變器 7499 0

電流前饋P+PI控制器設(shè)計如何實現(xiàn)？

逆變器的控制方法有：PID控制、滯環(huán)控制、無差拍控制、重復(fù)控制、比例諧振控制、智能控制。各種控制方式都有自身的優(yōu)缺點。

2023-07-13 標(biāo)簽：MOS管逆變器諧振器 1935 0

2kW高頻逆變器學(xué)習(xí)干貨

現(xiàn)代設(shè)備對電源的性能要求越來越高，未來電源將向著高功率密度、高效率、低EMI、小體積等方向發(fā)展。為了實現(xiàn)以上需求，現(xiàn)代的電源的頻率越做越高、諧振技術(shù)也逐...

2023-07-13 標(biāo)簽：MOS管高頻逆變器電池供電 3224 0

什么是FET？FinFET將半導(dǎo)體制程帶入新境界

FET 的全名是“場效電晶體（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）”，先從大家較耳熟能詳?shù)摹癕OS”來說明。

2023-07-12 標(biāo)簽：MOSFETMOS管FET 3156 0

電液控制常用電路

脈寬調(diào)制（PWM）一般用于控制電液比例閥。

2023-07-12 標(biāo)簽：示波器MOS管電源電壓 1055 0

如何用運算放大器構(gòu)建一個簡單的過流保護電路

過流保護電路種類繁多，電路的復(fù)雜性取決于保護電路在過流情況下的反應(yīng)速度。下面這個電路使用很常見的運算放大器構(gòu)建一個簡單的過流保護電路。

2023-07-12 標(biāo)簽：運算放大器MOS管比較器 4288 0

根據(jù)STM32F207參考手的中GPIO框圖講解GPIO功能

帶FT的是說明可以容忍5V電壓的，I/O電路框圖

2023-07-11 標(biāo)簽：上拉電阻MOS管施密特觸發(fā)器 764 0

如何用EKV模型秒掉拉扎維？

我們給大家介紹了EKV模型的基本概念以及在大信號和小信號分析中的應(yīng)用。尤其在大信號分析中，EKV圖形化的方法簡單直觀，有著得天獨厚的優(yōu)勢。

2023-07-07 標(biāo)簽：MOS管VDS偏置電壓 3353 0

認知里的PWM脈沖寬度調(diào)制

針對PWM，官方的解釋是這樣：PWM，也稱脈沖寬度調(diào)制，它是一種模擬控制方式

2023-07-07 標(biāo)簽：直流電機MOS管微處理器 1789 0

Class-AB輸出級靜態(tài)工作點的偏置設(shè)計淺析

采用Class-AB輸出級設(shè)計的運放可在較低的靜態(tài)電流下實現(xiàn)軌對軌輸出，推挽的輸出方式使得其在大信號建立時的電流不受靜態(tài)電流的限制，可以實現(xiàn)更好的壓擺率。

2023-07-07 標(biāo)簽：MOS管電流鏡偏置電路 1764 0

一文解析IGBT結(jié)構(gòu)、原理、電氣特性

IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線，斷開時當(dāng)做開路。三大特點就是高壓、大電流...

2023-07-07 標(biāo)簽：MOS管IGBT晶體管 1808 0

小功率無刷直流電機MOS管被燒壞的原因分析

MOS在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。MOS主要損耗也對應(yīng)這幾個狀...

2023-07-07 標(biāo)簽：二極管控制器MOS管 1553 0

總電壓采樣電路中使用MOS作為開關(guān)的問題

使用高壓MOS作為開關(guān)，例如下圖（來自于ADI官網(wǎng)）LTC2949的典型應(yīng)用電路中，使用高壓MOS作為絕緣檢測的橋臂開關(guān)；選用高壓MOS的原因是成本相對...

2023-07-06 標(biāo)簽：三極管MOS管VDS 1935 0

二端口網(wǎng)絡(luò)噪聲分析方法在低噪聲放大器中的應(yīng)用

系統(tǒng)中的噪聲限制了一個電路能夠正確處理的最小信號電平，它與功耗、速度、線性度之間是相互制約的。

2023-07-06 標(biāo)簽：MOS管混頻器VCO 1599 0

低噪聲放大器的寬帶匹配技術(shù)介紹

低噪聲放大器（LNA）在多種接收機結(jié)構(gòu)中都作為接收機第一級有源器件，承擔(dān)接收機的低噪聲下“放大”功能，在抑制噪聲干擾的同時提高了輸入信號的功率，并將信號...

2023-07-06 標(biāo)簽：接收機MOS管混頻器 5252 0

求一種高壓大電流DMOS版圖設(shè)計方案

功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類

2023-07-05 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管逆變器 687 0

STA分析—延遲計算

從上篇文章，我們可以很明顯的看出STA的兩大因素，一個是延遲計算，一個是約束檢查。

2023-07-05 標(biāo)簽：MOS管反相器PMOS 2938 0