功率MOS場效應晶體管電參數指標中規定的電參數一般分為三大類：直流參數、交流參數和極限參數。直流參數包括：漏源擊穿電壓BVDSS，靜態漏源導通電阻RDS(on)，柵閾值電壓VGS(th)，正向跨導gfs等;交流參數包括：輸入電容Ciss、輸出電容Coss，反向傳遞電容Crss，開關時間ton、ts、tf等；極限參數包括：連續電流ID和脈沖漏電流IDM，最大耗散功率PD，柵源電壓VGS，單脈沖雪崩耐量EAS等。

功率MOS場效應晶體管的設計任務就是根據用戶使用要求，確定主要電學參數指標，設計出滿足參數指標要求的縱向參數、橫向參數和熱學參數。

功率MOS場效應晶體管在實際設計過程中，主要從以下幾個方面進行設計：功率MOS場效應晶體管的結構設計、功率MOS場效應晶體管的主要電參數設計、功率MOS場效應晶體管的工藝設計以及功率MOS場效應晶體管的零部件設計。

由產品電參數指標可知，該產品具有漏源擊穿電壓（BVDSS）、導通電阻低、電流容量高、耗散功率大、抗靜電擊穿能力強等特點。產品具有電壓控制、快開關速度、易并聯以及電參數溫度穩定性高。非常適合應用于開關電源、馬達驅動、逆變器、斬波器、音頻放大器以及高能量脈沖電路。

表1 產品電參數指標（25℃）

VDMOS的版圖制造過程可以分為八個步驟，版次內容: （1）P+版圖；（2）柵氧化層版圖；（3）多晶硅區版圖；（4）截止環版圖；（5）N＋版圖；（6）孔版圖；（7）鋁版圖；（8）鈍化版圖。

圖1 P+版圖 圖2 N＋版圖

圖3 孔版圖 圖4 鋁版圖

圖5 芯片角版圖