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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后,今年市場已回歸穩定成長腳步。具體而言,市場預估將從今年的36億美元,在5年后達到60億美元。
超高壓 SiC N 溝道 IGBT 器件元胞的基本結構如圖 1 所示。N+ 區域定義為源區,相應的電極稱為發射極(Emitter)。背面 P+ 區域定義...
東芝面向中大電流IGBT/MOSFET 推出內置保護功能的光耦
新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器,來控制中大電流IGBT和MOSFET。
馬來西亞正齊集團CEO胡光榮表示,非常榮幸能夠在杭州蕭山建設第三代半導體模塊封裝工廠,這是我們集團響應全球‘雙碳’目標和‘自主可控’戰略的重要舉措。我們...
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)車企造芯潮在過去的兩年間不斷發酵,新勢力“蔚小理”們蠢蠢欲動自研自動駕駛芯片,傳統車企比如比亞迪、吉利等則早已投入大量資源...
華虹半導體怎么樣?華虹半導體今日正式登陸科創板 今年最大募資規模IPO
華虹半導體今天正式登錄科創板。華虹半導體本次發行價為52.00元/股,發行市盈率為34.71倍,華虹半導體預計募集資金總額為212.03億元。華虹半導體...
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數十至數千安,電...
[中國 2015年1月28日] e絡盟日前宣布供應來自全球60家行業領先供應商的分立元件產品,進一步豐富已超過2.6萬種分立元件的產品庫存,其中涵蓋Di...
比亞迪半導體超級混動DM4.0 IGBT模塊榮膺2022年全球電子成就獎
2022 年 11 月 10 - 11 日,由全球電子技術領域知名媒體集團 ASPENCORE 舉辦的“國際集成電路展覽會暨研討會(IIC)”在深圳隆重...
盡管IGBT客戶和訂單規模在增長,但到下游晶圓代工廠的產能調節仍需要時間,晶圓代工廠的產能主要集中在訂單規模大且穩定的消費電子產品上。短期內,IGBT的...
SPWM是怎么控制IGBT變頻變壓的?IGBT輸出的波形不是一系列等幅不等寬的方波嗎?如何變頻變壓? SPWM是一種通過調節寬度脈沖的方式來控制IGBT...
9月20日,廣州廣電計量檢測股份有限公司(簡稱:廣電計量)聯袂上海陸芯電子科技有限公司(簡稱:上海陸芯),于廣州順利舉行“廣電計量與上海陸芯合作交流會暨...
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