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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2829個 瀏覽：249366次 帖子：479個

      igbt資訊

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      2023-03-27 標簽：IGBT探頭羅氏線圈 1245 0

      全球IGBT/碳化硅模塊生產廠商概覽

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      　　在全球范圍內，有多家企業生產IGBT/碳化硅模塊，以下是一些知名的企業。

      2024-01-25 標簽：IGBT碳化硅 1240 0

      如何為電路設計選擇適合的IGBT？

      如何為電路設計選擇適合的IGBT？ 什么是IGBT？其工作原理是什么？為什么大家要選擇IGBT？它的優勢是什么？一系列疑問的拋出，在3月5日第十五屆國...

      2010-03-11 標簽：電路設計IGBT 1240 0

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      車規級IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）模組作為新能源汽車中的核心功率半導體器件，其成本...

      2024-08-29 標簽：新能源IGBT晶體管 1235 0

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      2024-04-14 標簽：IGBT半導體器件新材料 1234 0

      英飛凌推出高功率模塊平臺，為業界提供免授權費封裝設計許可

      2014年12月17日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司 （FSE： IFX / OTCQX： IFNNY） 今日宣布推出兩款全新功率模塊平臺，用...

      2014-12-18 標簽：英飛凌IGBT功率模塊 1234 0

      華虹半導體“8英寸+12英寸”全線發力 加速進軍IGBT市場

      IGBT是能源轉換與傳輸的核心器件，被稱為“電力電子行業的CPU”。

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      IGBT模塊的集電極電流增大時，VCE(-)上升，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，原件發熱加劇。因此，根據額定損耗，開關損耗所產生的熱量，控...

      2022-08-23 標簽：模塊半導體IGBT 1223 0

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      可測試2000V,100A一下的igbt等管子的好壞，性價比高，供廣大用戶參考。

      2011-09-19 標簽：測試儀IGBT 1200 0

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      2023-06-13 標簽：microchipIGBTSiC 1197 0

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