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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術資訊資料帖子視頻產品方案企業 IGBT選型

igbt資訊

比亞迪：擬將比亞迪半導體分拆至創業板上市

5月12日消息比亞迪發布公告稱，公司擬將控股子公司比亞迪半導體分拆至深交所創業板上市。此前，去年（2020年）12月31日，比亞迪便曾宣布計劃將控股子...

2021-05-12 標簽：比亞迪 IGBT 比亞迪半導體 1441 0

功率半導體廠商芯長征擬A股IPO

江蘇芯長征微電子集團股份有限公司（簡稱“芯長征”），一家在新型功率半導體器件領域享有盛譽的高新技術企業，近日向證監會提交了首次公開發行股票并上市輔導備案...

2024-02-26 標簽：芯片 IGBT 功率半導體 1437 0

Infineon IM828最小巧、最緊湊高性能1200V碳化硅IPM的暖通方案

它針對工業應用進行了優化，例如供暖通風空調（HVAC），風扇電機，泵和電機驅動器的功率因數校正。采用先進的電機控制引擎（MCE），無需任何編碼即可實現...

2023-06-14 標簽：IGBT BLDC Infineon 1436 0

安世半導體致力于為中國汽車半導體保駕護航

安世半導體展位位于本屆中國國際進口博覽會4.1館（展位號是4.1A3-002），展臺面積多達260平方米，將為觀眾展出汽車、工業（含5G）、移動、計算機...

2021-11-04 標簽：IGBT 肖特基二極管安世半導體 1435 0

在國產IGBT受到資本市場青睞的背后，也蘊含著一些擔憂

今年初，斯達半導用連續22個漲停板引爆二級市場，同時也催熱了一級市場對IGBT廠商股權投資的熱度，比亞迪半導體在短短62天內獲得了紅杉資本、韓國SK集團...

2020-12-04 標簽：新能源汽車半導體 IGBT 1435 0

半導體下行碳化硅熱度卻愈演愈烈

在半導體行業的下行周期中，也并非一片低迷之聲，碳化硅就是萎靡之勢中的一個反例。

2023-08-17 標簽：電動汽車 IGBT 碳化硅 1432 0

東芝更小表貼面積的智能功率器件為設計釋放更多空間

電子產品更新換代的速度與時俱進，在性能不斷提高的同時，小型化也已成為不可逆轉的事實和趨勢。

2024-01-19 標簽：MOSFET IGBT 電源開關 1431 0

如何用萬用表測試MOSFET

MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設備中開關和放大電子信號的半導體器件。 MOSFET 是一種四端子器件，具有源極 (...

2023-09-20 標簽：測試 MOSFET IGBT 1430 0

IR擴充堅固可靠的600V節能溝道IGBT系列

全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）宣布擴充節能的600V絕緣柵雙極晶體管...

2014-05-14 標簽：IR IGBT 1424 0

光伏逆變器IGBT Top10廠商排名出爐！

光伏行業近期表現亮眼，IGBT扮演著關鍵角色!面對這一增長趨勢，國內IGBT生產商的表現如何?Big-Bit 產業研究室為您揭示它們的實力和市場地位。 ...

2024-04-08 標簽：IGBT 光伏逆變器 1424 0

安森美半導體推出領先業界的最佳系統級性能的IGBT

安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）持續擴充高性能絕緣門雙極晶體管（IGBT）產品陣容，應用于消費類電器及工...

2013-05-15 標簽：安森美 IGBT 1412 0

功率半導體行業特點趨勢及機遇挑戰

作為電子系統中的基本單元，功率半導體是電力電子設備正常運行不可或缺的部件，應用場景廣泛，且需求日益豐富。從行業技術和性能發展來看，功率半導體器件結構朝復...

2023-02-03 標簽：電子系統 IGBT 功率半導體 1412 0

mosfet和igbt的區別是什么

來源：羅姆半導體社區 ? ? ? ??金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fie...

2023-01-31 標簽：MOSFET IGBT 晶體管 1411 0

1200V TRENCHSTOP? IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓撲中的應用

/引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級（650V&1200V）和三個系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針...

2023-05-31 標簽：電壓 IGBT 1407 0

SiC器件在電能質量控制產品中的應用

電能質量控制產品的性能指標不僅與控制系統的性能指標及控制算法密不可分，也與電力電子功率器件的性能指標密切相關。

2023-12-24 標簽：控制系統 IGBT SiC 1399 0

SiC MOS 、IGBT和超結MOS對比

在經過多年的技術積累后，硅碳化物 (SiC) MOSFET因其強大的擊穿場和較低的損耗特性，逐漸受到工程師們的熱烈追捧。目前，它們主要用于以絕緣柵雙極晶...

2023-11-30 標簽：MOSFET IGBT SiC 1398 0

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是一款1200V、15A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現場停止技術；低開關損耗；正溫度系數；簡單的平行技術。

2022-07-28 標簽：晶圓 IGBT 光伏逆變器 1397 0

儲能市場的光，國產半導體公司能借到嗎？

儲能市場被視作下一個萬億投資機遇的風口。

2023-07-31 標簽：PCB板逆變器 IGBT 1389 0

IGBT高壓開關的優點說明

IGBT高壓開關的優點說明 IGBT是一種高壓開關器件，它結合了 MOSFET和BJT的優點，具有許多獨特的優勢。在本文中，我們將詳細地探討IGBT的優...

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上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1...

2022-05-24 標簽：IGBT 1387 0

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