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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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碳化硅在攻陷IGBT市場(chǎng)的道路上面臨哪些挑戰(zhàn)?
隨著新能源汽車的逐漸升溫,碳化硅摩拳擦掌,似乎要挑戰(zhàn)逆變器功率器件IGBT 的霸主地位。市場(chǎng)方面,領(lǐng)頭羊 CREE 與大眾等數(shù)家公司簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議,并...
雙面散熱汽車IGBT器件熱測(cè)試評(píng)估方式創(chuàng)新
封裝結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新使得雙面散熱(double-sided cooling, DSC)功率模塊比傳統(tǒng)單面散熱(single-sided cooling, SS...
受益于電動(dòng)汽車發(fā)展,IGBT產(chǎn)值2021年突破52億美元
電動(dòng)汽車已成為汽車產(chǎn)業(yè)未來的主要成長(zhǎng)動(dòng)能,預(yù)計(jì)在2021年電動(dòng)汽車將突破800萬輛,為2018年的兩倍。
2019-06-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT功率器件 3988 0
SiC正在成為儲(chǔ)能主流,相關(guān)行業(yè)即將爆發(fā)?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)在當(dāng)前的儲(chǔ)能系統(tǒng)中,尤其是涉及到高壓、高頻、高效能應(yīng)用時(shí),寬禁帶半導(dǎo)體材料如SiC(碳化硅)正越來越受到青睞,因?yàn)檫@種材料...
車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊主流散熱方式之一:平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板
間接液冷散熱采用的是平底散熱基板,基板下面涂一層導(dǎo)熱硅脂,緊貼在液冷板上,液冷板內(nèi)通冷卻液,散熱路徑為:芯片-DBC基板-平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板...
緊挨工業(yè)大街,石家莊循環(huán)化工園區(qū)內(nèi)占地30畝的河北昂揚(yáng)微電子科技有限公司(以下稱昂揚(yáng)公司),除了一棟還未完工的辦公樓,就是空蕩蕩的荒地。 昂揚(yáng)公司曾是一...
懷揣著這樣美好的愿景,英飛凌憑借根植中國家電行業(yè)多年的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與行業(yè)資源,搭建和運(yùn)營了家電生態(tài)圈網(wǎng)站。
盤點(diǎn)國外那些IGBT標(biāo)桿產(chǎn)品
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))IGBT作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子以及航空航天、國防軍工等產(chǎn)業(yè)...
2021-10-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)電路 3932 0
新品|國內(nèi)首款兼容光耦帶DESAT保護(hù)功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動(dòng)器SLMi33x
數(shù)明半導(dǎo)體近日正式發(fā)布國內(nèi)首款單通道帶DESAT保護(hù)功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動(dòng)器SLMi33x。
2021-07-19 標(biāo)簽:IGBT光耦隔離驅(qū)動(dòng) 3932 0
分享一下從PN結(jié)到IGBT的機(jī)理,掌握基礎(chǔ)
此時(shí)P區(qū)多子“空穴”在電場(chǎng)的作用下向N區(qū)運(yùn)動(dòng),N區(qū)多子電子相反,使耗盡層變窄至消失,正向?qū)щ奜K,也可以理解成外加電場(chǎng)克服耗盡層內(nèi)電場(chǎng),實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電,該電壓...
IGBT走虛擬IDM之路:設(shè)計(jì)與加工是分離還是統(tǒng)一?
目前我國IGBT產(chǎn)業(yè)在國家政策及重大項(xiàng)目的推動(dòng)及市場(chǎng)牽引下得到了迅速發(fā)展,呈現(xiàn)出大尺寸區(qū)溶(FZ)單晶材料、IGBT芯片工藝和IGBT模塊封裝技術(shù)全面蓬...
2012-02-16 標(biāo)簽:IGBT半導(dǎo)體器件芯片工藝 3920 0
半導(dǎo)體IGBT功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)探討
IGBT絕緣柵雙極型晶體管一簡(jiǎn)介IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由(BipolarJun...
續(xù)流二極管相關(guān)參數(shù)測(cè)量與評(píng)估方法
利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路,改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置,即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(即FRD)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。
IGBT需求旺盛,國內(nèi)廠商產(chǎn)能大幅開出
集微網(wǎng)消息,2017年以來,功率半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣向好,二極管、MOS管、IGBT等功率器件紛紛出現(xiàn)供需偏緊,導(dǎo)致交期延長(zhǎng),價(jià)格數(shù)次調(diào)漲。
igbt測(cè)量好壞方法萬用表 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種應(yīng)用廣泛的半導(dǎo)體器件,可用于各種電氣設(shè)備...
安森美半導(dǎo)體的全系列IGBT滿足汽車、太陽能逆變器、不間斷電源、白家電等各類應(yīng)用需求
安森美半導(dǎo)體是領(lǐng)先的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商,提供全面的功率器件,包括MOSFET、IGBT、二極管、寬帶隙(WBG)等分立器件及智能功率模塊(IPM)等功...
2017-05-16 標(biāo)簽:逆變器igbt安森美半導(dǎo)體 3852 0
功率半導(dǎo)體:電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心
功率半導(dǎo)體具有能夠支持高電壓、大電流的特性,主要用途包括變 頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等。除保障電路正常運(yùn)行外,因其 能夠減少電能浪費(fèi),功率半導(dǎo)...
2022-06-06 標(biāo)簽:IGBT功率控制功率半導(dǎo)體 3829 0
比亞迪IGBT,IPM,F(xiàn)RD,SIC的參數(shù)及電路拓補(bǔ)圖
比亞迪IGBT,IPM,F(xiàn)RD,SIC,應(yīng)用領(lǐng)域,微型電動(dòng)車,新能源汽車, 審核編輯 黃昊宇
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