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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt資訊

碳化硅在攻陷IGBT市場(chǎng)的道路上面臨哪些挑戰(zhàn)?

隨著新能源汽車的逐漸升溫,碳化硅摩拳擦掌,似乎要挑戰(zhàn)逆變器功率器件IGBT 的霸主地位。市場(chǎng)方面,領(lǐng)頭羊 CREE 與大眾等數(shù)家公司簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議,并...

2020-12-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓IGBT 4007 0

雙面散熱汽車IGBT器件熱測(cè)試評(píng)估方式創(chuàng)新

封裝結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新使得雙面散熱(double-sided cooling, DSC)功率模塊比傳統(tǒng)單面散熱(single-sided cooling, SS...

2023-03-02 標(biāo)簽:IGBT散熱功率模塊 3989 0

受益于電動(dòng)汽車發(fā)展,IGBT產(chǎn)值2021年突破52億美元

電動(dòng)汽車已成為汽車產(chǎn)業(yè)未來的主要成長(zhǎng)動(dòng)能,預(yù)計(jì)在2021年電動(dòng)汽車將突破800萬輛,為2018年的兩倍。

2019-06-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT功率器件 3988 0

IGBT短路保護(hù)電路原理圖

IGBT短路保護(hù)電路原理圖

IGBT短路保護(hù)電路原理圖

2008-10-23 標(biāo)簽:IGBT短路保護(hù) 3975 0

SiC正在成為儲(chǔ)能主流,相關(guān)行業(yè)即將爆發(fā)?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)在當(dāng)前的儲(chǔ)能系統(tǒng)中,尤其是涉及到高壓、高頻、高效能應(yīng)用時(shí),寬禁帶半導(dǎo)體材料如SiC(碳化硅)正越來越受到青睞,因?yàn)檫@種材料...

2024-04-29 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 3956 0

車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊主流散熱方式之一:平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板

車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊主流散熱方式之一:平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板

間接液冷散熱采用的是平底散熱基板,基板下面涂一層導(dǎo)熱硅脂,緊貼在液冷板上,液冷板內(nèi)通冷卻液,散熱路徑為:芯片-DBC基板-平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板...

2023-07-12 標(biāo)簽:散熱器IGBT功率模塊 3952 0

河北“明星”芯片廠夭折:公司買地建完一棟樓就沒錢了

河北“明星”芯片廠夭折:公司買地建完一棟樓就沒錢了

緊挨工業(yè)大街,石家莊循環(huán)化工園區(qū)內(nèi)占地30畝的河北昂揚(yáng)微電子科技有限公司(以下稱昂揚(yáng)公司),除了一棟還未完工的辦公樓,就是空蕩蕩的荒地。 昂揚(yáng)公司曾是一...

2020-10-19 標(biāo)簽:芯片新能源汽車半導(dǎo)體 3946 0

英飛凌打造一站式家電解決方案

懷揣著這樣美好的愿景,英飛凌憑借根植中國家電行業(yè)多年的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與行業(yè)資源,搭建和運(yùn)營了家電生態(tài)圈網(wǎng)站。

2019-01-03 標(biāo)簽:英飛凌IGBT 3942 0

盤點(diǎn)國外那些IGBT標(biāo)桿產(chǎn)品

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))IGBT作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子以及航空航天、國防軍工等產(chǎn)業(yè)...

2021-10-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)電路 3932 0

新品|國內(nèi)首款兼容光耦帶DESAT保護(hù)功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動(dòng)器SLMi33x

新品|國內(nèi)首款兼容光耦帶DESAT保護(hù)功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動(dòng)器SLMi33x

數(shù)明半導(dǎo)體近日正式發(fā)布國內(nèi)首款單通道帶DESAT保護(hù)功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動(dòng)器SLMi33x。

2021-07-19 標(biāo)簽:IGBT光耦隔離驅(qū)動(dòng) 3932 0

分享一下從PN結(jié)到IGBT的機(jī)理,掌握基礎(chǔ)

此時(shí)P區(qū)多子“空穴”在電場(chǎng)的作用下向N區(qū)運(yùn)動(dòng),N區(qū)多子電子相反,使耗盡層變窄至消失,正向?qū)щ奜K,也可以理解成外加電場(chǎng)克服耗盡層內(nèi)電場(chǎng),實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電,該電壓...

2022-07-04 標(biāo)簽:IGBTPN結(jié) 3928 0

IGBT走虛擬IDM之路:設(shè)計(jì)與加工是分離還是統(tǒng)一?

目前我國IGBT產(chǎn)業(yè)在國家政策及重大項(xiàng)目的推動(dòng)及市場(chǎng)牽引下得到了迅速發(fā)展,呈現(xiàn)出大尺寸區(qū)溶(FZ)單晶材料、IGBT芯片工藝和IGBT模塊封裝技術(shù)全面蓬...

2012-02-16 標(biāo)簽:IGBT半導(dǎo)體器件芯片工藝 3920 0

半導(dǎo)體IGBT功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)探討

半導(dǎo)體IGBT功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)探討

IGBT絕緣柵雙極型晶體管一簡(jiǎn)介IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由(BipolarJun...

2023-04-20 標(biāo)簽:IGBT功率器件 3900 0

續(xù)流二極管相關(guān)參數(shù)測(cè)量與評(píng)估方法

利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路,改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置,即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(即FRD)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。

2022-04-13 標(biāo)簽:IGBT參數(shù)續(xù)流二極管 3887 0

IGBT需求旺盛,國內(nèi)廠商產(chǎn)能大幅開出

集微網(wǎng)消息,2017年以來,功率半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣向好,二極管、MOS管、IGBT等功率器件紛紛出現(xiàn)供需偏緊,導(dǎo)致交期延長(zhǎng),價(jià)格數(shù)次調(diào)漲。

2020-03-14 標(biāo)簽:英飛凌安森美IGBT 3875 0

igbt測(cè)量好壞方法萬用表

igbt測(cè)量好壞方法萬用表 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種應(yīng)用廣泛的半導(dǎo)體器件,可用于各種電氣設(shè)備...

2023-09-02 標(biāo)簽:萬用表MOSFETIGBT 3870 0

安森美半導(dǎo)體的全系列IGBT滿足汽車、太陽能逆變器、不間斷電源、白家電等各類應(yīng)用需求

安森美半導(dǎo)體的全系列IGBT滿足汽車、太陽能逆變器、不間斷電源、白家電等各類應(yīng)用需求

安森美半導(dǎo)體是領(lǐng)先的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商,提供全面的功率器件,包括MOSFET、IGBT、二極管、寬帶隙(WBG)等分立器件及智能功率模塊(IPM)等功...

2017-05-16 標(biāo)簽:逆變器igbt安森美半導(dǎo)體 3852 0

功率半導(dǎo)體:電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心

功率半導(dǎo)體具有能夠支持高電壓、大電流的特性,主要用途包括變 頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等。除保障電路正常運(yùn)行外,因其 能夠減少電能浪費(fèi),功率半導(dǎo)...

2022-06-06 標(biāo)簽:IGBT功率控制功率半導(dǎo)體 3829 0

比亞迪IGBT,IPM,F(xiàn)RD,SIC的參數(shù)及電路拓補(bǔ)圖

比亞迪IGBT,IPM,F(xiàn)RD,SIC的參數(shù)及電路拓補(bǔ)圖

比亞迪IGBT,IPM,F(xiàn)RD,SIC,應(yīng)用領(lǐng)域,微型電動(dòng)車,新能源汽車, 審核編輯 黃昊宇

2022-07-18 標(biāo)簽:比亞迪IGBT 3819 0

茂矽六寸IGBT晶圓開啟智能新能源汽車新時(shí)代

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我國是世界最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng);隨著電動(dòng)車市場(chǎng)崛起;電動(dòng)汽車已成為汽車產(chǎn)業(yè)未來的主要成長(zhǎng)動(dòng)能;新能源汽車需求帶動(dòng)MOSFET及IGBT持續(xù)增長(zhǎng);作為...

2022-07-13 標(biāo)簽:新能源汽車晶圓IGBT 3786 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    +關(guān)注
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    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
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    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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