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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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給H橋電路換IGBT管子時(shí)的相關(guān)特性了解
這幾天沉下心來(lái)專(zhuān)門(mén)給逆變器的后級(jí),也就是大家熟悉的H橋電路換上了IGBT管子,用來(lái)深入了解相關(guān)的特性。 大家都知道,IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳酰瑯与娏魅萘?..
茂矽六寸IGBT晶圓開(kāi)啟智能新能源汽車(chē)新時(shí)代
我國(guó)是世界最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng);隨著電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)崛起;電動(dòng)汽車(chē)已成為汽車(chē)產(chǎn)業(yè)未來(lái)的主要成長(zhǎng)動(dòng)能;新能源汽車(chē)需求帶動(dòng)MOSFET及IGBT持續(xù)增長(zhǎng);作為...
2022-07-13 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)晶圓IGBT 3801 0
風(fēng)力發(fā)電機(jī)變頻器IGBT模塊驅(qū)動(dòng)電路板結(jié)構(gòu)
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管(BJT)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高...
智能功率模塊(IPM)是一種功率半導(dǎo)體模塊,可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個(gè)封裝中。它包括所需的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能,以及IGBT。這樣,可以通過(guò)...
IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代,當(dāng)時(shí)日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性,尤其是普通雙極晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。IGB...
IGBT應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,堪稱(chēng)現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和綠色高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。
2018-08-18 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT 3756 0
回顧2020年汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈,首先受到疫情沖擊的是終端消費(fèi)市場(chǎng),汽車(chē)銷(xiāo)量直接跌入冰點(diǎn),隨著國(guó)內(nèi)復(fù)工復(fù)產(chǎn)后,汽車(chē)觸底反彈,市場(chǎng)產(chǎn)銷(xiāo)兩旺,走出V型反轉(zhuǎn)。
2021-01-04 標(biāo)簽:芯片新能源汽車(chē)半導(dǎo)體 3750 0
地鐵儲(chǔ)能方法對(duì)比:逆變回饋型與超級(jí)電容儲(chǔ)能型
城市軌道交通系統(tǒng)中,其運(yùn)行工況特點(diǎn)為頻繁啟動(dòng)與制動(dòng),啟動(dòng)時(shí)消耗大量電網(wǎng)電能,而制動(dòng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生可觀的再生電能。一般來(lái)說(shuō),地鐵車(chē)輛在制動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的能量約占牽引能...
H橋IGBT功率單元及試驗(yàn)裝置的母線結(jié)構(gòu)
H橋IGBT功率單元 本文中的實(shí)驗(yàn)裝置是一臺(tái)單相 H 橋IGBT 功率單元,其拓?fù)浣Y(jié)
2010-02-22 標(biāo)簽:IGBT 3735 0
中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的現(xiàn)狀與趨勢(shì)
半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域也同樣如此,最近二十年周期性正在減弱,得益于各類(lèi)電子終端的芯片需求,智能化,網(wǎng)聯(lián)化,AIOT 的發(fā)展,行業(yè)規(guī)模連續(xù)四年大幅增長(zhǎng)。
2023-04-13 標(biāo)簽:mcuIGBT半導(dǎo)體設(shè)備 3733 0
賽昉科技SoC于22年第二季度量產(chǎn) 翠展微電子打造國(guó)產(chǎn)IGBT新名片
近日,賽昉科技參加了在上海臨港舉辦的首屆滴水湖中國(guó)RISC-V產(chǎn)業(yè)論壇,并且參與了演講和圓桌論壇環(huán)節(jié)。
圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),N+區(qū)稱(chēng)為源區(qū),附于其上的電極稱(chēng)為源極。N+區(qū)稱(chēng)為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱(chēng)為柵極。溝道...
IGBT:電力電子技術(shù)第三次革命中最具代表性的產(chǎn)品
新能源汽車(chē)領(lǐng)域更是IGBT的用武之地。有關(guān)信息顯示,在新能源汽車(chē)中,IGBT模塊約占整車(chē)成本的7%~10%,是除電池之外所占成本第二高的元件,決定了整車(chē)...
加速電容的作用及在IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用
一.普通晶體管(Thyristor)也稱(chēng)可控硅(SCR),是靠門(mén)極電流觸發(fā)的半可控器件,具有正反向阻斷能力,而門(mén)極觸發(fā)電流是通過(guò)在門(mén)極G和陰極K之間施加...
2022-11-28 標(biāo)簽:變壓器IGBT驅(qū)動(dòng)電路 3712 0
數(shù)字萬(wàn)用表|IGBT模塊的檢測(cè)方法
IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于...
2023-01-17 標(biāo)簽:數(shù)字萬(wàn)用表IGBT 3711 0
士蘭微發(fā)布2019年年報(bào),IGBT和IPM產(chǎn)品同比增速40%
報(bào)告期內(nèi),公司研發(fā)項(xiàng)目主要圍繞電源管理產(chǎn)品平臺(tái)、功率半導(dǎo)體器件與模塊技術(shù)、數(shù)字音視頻技術(shù)、射頻/模擬技術(shù),MCU/DSP產(chǎn)品平臺(tái)、MEMS傳感器產(chǎn)品與工...
IGBT保護(hù)技術(shù)在光伏逆變器的應(yīng)用
光伏逆變器是光伏系統(tǒng)非常重要的一個(gè)設(shè)備,主要作用是把光伏組件發(fā)出來(lái)的直流電變成交流電,除此之外,逆變器還承擔(dān)檢測(cè)組件、電網(wǎng)、電纜運(yùn)行狀態(tài),和外界通信交流...
用基本的物理原理理解IGBT—并聯(lián)均流不簡(jiǎn)單
來(lái)源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 1、因?yàn)椴⒙?lián),所以精彩 IGBT與FRD、晶閘管等無(wú)元胞器件相比,天生就是并聯(lián)的。模塊封裝中更是需要多芯片并聯(lián)。正是因?yàn)椴⒙?lián),才...
2022-11-15 標(biāo)簽:IGBT 3680 0
短路是什么原因造成的 igbt上下橋短路原因? 短路是一種電路故障,其特點(diǎn)是電流繞過(guò)正常的電路路徑,通過(guò)一條或多條低阻抗的路徑流過(guò)。IGBT是一種常見(jiàn)的...
2024-02-18 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體電流電壓 3669 0
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