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高盛談HBM四年十倍市場人工智能驅(qū)動HBM市場騰飛

在市場競爭方面，高盛認為，由于HBM市場供不應求的情況將持續(xù)存在，業(yè)內(nèi)主要玩家如SK海力士、三星和美光等將從中受益。

2024-03-29 標簽：DRAM 高盛人工智能 1848 0

高盛談HBM四年十倍市場受益于AI服務器持續(xù)增長

高盛談HBM四年十倍市場受益于AI服務器持續(xù)增長 AI需求爆發(fā)引發(fā)HBM存儲水漲船高，高盛認為HBM供不應求的情況未來幾年或?qū)⒊掷m(xù)，高盛預計市場規(guī)模將...

2024-03-28 標簽：美光高盛 SK海力士 1125 0

SK海力士計劃在印第安納州投資40億美元建芯片封裝工廠

據(jù)了解，該廠預計在2028年啟動運營。進而，SK 海力士即將召開董事會會議，對該項建廠計劃進行表決，盡早達成決定。值得強調(diào)的是，SK海力士一度有考慮在亞...

2024-03-27 標簽：芯片封裝 SK海力士 HBM 479 0

AI時代，HBM掀起存儲芯片新浪潮

2022年末，ChatGPT的面世無疑成為了引領人工智能浪潮的標志性事件，宣告著新一輪科技革命的到來。

2024-03-27 標簽：人工智能存儲芯片 HBM 899 0

SK海力士投建全球最大三層晶圓廠，預計2046年完工

早在2019年，SK海力士便宣布了這一宏偉計劃，然而因許可等問題，開發(fā)工作曾遭遇延誤。2022年，經(jīng)過與中央及地方政府以及企業(yè)的協(xié)商，項目方略獲得重大突破。

2024-03-25 標簽：NAND閃存 SK海力士 HBM 504 0

美光今年HBM產(chǎn)能已銷售一空

存儲芯片行業(yè)的領軍者美光科技，最近發(fā)布了其第二財季的業(yè)績報告，業(yè)績數(shù)據(jù)亮眼，顯示出強勁的增長勢頭。據(jù)報告，截至2024年2月底，美光科技的季度營收達到了...

2024-03-22 標簽：美光科技存儲芯片 HBM 659 0

英偉達對三星HBM3E進行測試，海力士仍穩(wěn)坐HBM市場頭把交椅

現(xiàn)如今，SK海力士為英偉達AI半導體提供主要HBM產(chǎn)品，同時自去年起，美光公司也加入了該供應陣營。據(jù)悉，相比其他競爭對手，三星電子在HBM授權(quán)上大約晚了...

2024-03-22 標簽：英偉達 SK海力士 HBM 779 0

美光科技Q2業(yè)績超預期營收同比增長58%

美光科技Q2業(yè)績超預期營收同比增長58% 美光科技Q2業(yè)績超預期，截至2月29日的第二財季，美光營收同比增長58%，高達58.2億美元，大幅超出分析師...

2024-03-21 標簽：美光科技 HBM HBM3 728 0

美光科技Q2業(yè)績超預期第二季度營收達到58.2億美元

隨著全球范圍內(nèi)對人工智能技術的日益重視和應用，美光科技的存儲芯片需求呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長的趨勢。

2024-03-21 標簽：美光科技人工智能存儲芯片 892 0

AI需求引爆存儲市場，2024存儲市場趨勢如何？CFMS給出預測

3月20日，2024年中國閃存市場峰會CFMS在深圳前海華僑城JW萬豪酒店盛大召開，三星、SK海力士、美光、鎧俠、長江存儲等內(nèi)存大廠高管紛紛發(fā)表重磅演講...

2024-03-21 標簽：存儲 HBM DDR5 4795 0

1. Meta 將率先使用英偉達最新人工智能芯片 ? Facebook的所有者Meta社交平臺的一位發(fā)言人外媒透露，預計英偉達的最新旗艦人工智能芯片將在...

2024-03-21 標簽：Meta 英偉達 HBM 692 0

SK海力士展示業(yè)界最高標準適于AI應用的存儲器產(chǎn)品

3月18日至21日，SK海力士在圣何塞舉辦的2024年度英偉達GPU技術大會（NVIDIA GTC 2024，NVIDIA GPU Technology...

2024-03-21 標簽：存儲器數(shù)據(jù)傳輸 NVIDIA 639 0

SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲器HBM3E

HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術推向了新的高度。

2024-03-20 標簽：存儲器人工智能數(shù)據(jù)處理 1131 0

英偉達擬向三星采購高帶寬存儲芯片，追趕AI芯片巨頭SK海力士

對此，英偉達聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁勛在加利福尼亞州圣何塞舉辦的大會上，坦言：“HBM結(jié)構(gòu)相當精密且附加價值極高，我司已在此領域做出大量投資。”他進一...

2024-03-20 標簽：芯片英偉達 HBM 803 0

英偉達宣布推出新一代GPU Blackwell，SK海力士已量產(chǎn)HBM3E

在英偉達GTC 2024大會上，英偉達CEO黃仁勛宣布推出新一代GPU Blackwell，第一款Blackwell芯片名為GB200，將于今年晚些時候上市。

2024-03-20 標簽：存儲器英偉達 SK海力士 1283 0

集邦咨詢：明年HBM TSV產(chǎn)能預計250K/m，占DRAM總產(chǎn)能14%

集邦咨詢的報告進一步強調(diào)，HBM和DDR5之間的區(qū)別主要在于Die Size上。在同等制程及容量（如24GB）下，HBM Die尺寸大于DDR5的基礎版...

2024-03-19 標簽：封裝 HBM DDR5 685 0

四川長虹回應幫華為代工 HBM芯片備受關注

四川長虹回應幫華為代工 HBM芯片備受關注 AI的爆發(fā)極大的推動了HBM芯片的需求；今日市場有傳聞稱四川長虹將為華為代工HBM芯片，對此傳言四川長虹回應...

2024-03-18 標簽：華為長虹 HBM 9967 0

預期HBM供應將大幅增長，驅(qū)動DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展

擔任分析師職務的人員對于HBM的面貌做出解釋，指出與同等容量和制程的 DDR5比較，HBM雖然能提供更大的尺寸儲存空間，然而其良品率卻相對較低，普遍低2...

2024-03-18 標簽：DRAM HBM DDR5 550 0

三星否認MR-RUF方式用于HBM內(nèi)存生產(chǎn)

實現(xiàn)HBM的關鍵所在為多層DRAM堆疊，市場主要采用兩種鍵合作程： SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM，后...

2024-03-14 標簽：DRAM SK海力士 HBM 981 0

三星澄清：未采用MR-MUF工藝，持續(xù)創(chuàng)新引領HBM芯片技術

近期，針對三星是否在其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片生產(chǎn)中采用了MR-MUF(Magnetic RAM based Multi-Level Unified M...

2024-03-14 標簽：芯片技術 HBM 三星 611 0

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