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標(biāo)簽 > 驅(qū)動(dòng)電壓
驅(qū)動(dòng)電壓,使器件開(kāi)始工作所需的最小供電電壓。
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TFT-LCD液晶面板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)又是什么樣的呢?
眾所周知,液晶面板是液晶顯示器的心臟,占據(jù)了整個(gè)產(chǎn)品八成以上的成本,其質(zhì)量會(huì)直接影響到顯示器的色彩、亮度、對(duì)比度、可視角度等等功能參數(shù)和顯示效果。
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)過(guò)熱和過(guò)流的區(qū)別
IGBT在結(jié)構(gòu)上類(lèi)似于MOSFET,其不同點(diǎn)在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板(漏極)上增加了一個(gè) P+基板(IGBT 的集電極),形成P...
繼電器是智能預(yù)付費(fèi)電能表中的關(guān)鍵器件,繼電器的壽命在某種程度上決定了電表壽命,該器件性能好壞對(duì)智能預(yù)付費(fèi)電能表運(yùn)行至關(guān)重要。
2018-09-05 標(biāo)簽:繼電器驅(qū)動(dòng)電壓 1.7萬(wàn) 0
它們之間的關(guān)系是: Ug1≠Ug4=_Ug2=-Ug3。 在個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi),當(dāng)0≤tston時(shí), Uab= Us,電樞電流id沿回路1流通:當(dāng)ton≤t...
2018-08-20 標(biāo)簽:脈沖驅(qū)動(dòng)電壓可逆PWM變換器 1.6萬(wàn) 0
IGBT典型過(guò)流保護(hù)電路設(shè)計(jì)分享
所謂集中過(guò)電流保護(hù),就是檢測(cè)逆變橋輸入直流母線(xiàn)上的電流,當(dāng)該電流值超過(guò)設(shè)定的閾值時(shí),封鎖所有橋臂IGBT的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
2024-02-23 標(biāo)簽:IGBT光電耦合器過(guò)流保護(hù)電路 1.4萬(wàn) 0
LED 常見(jiàn)的規(guī)格有哪些 ? 彩色 LED光色波長(zhǎng) Wave Length 波峰長(zhǎng)(Peak Wavelength) : 頻譜中輻射能量最強(qiáng)的波長(zhǎng), λ...
2020-12-18 標(biāo)簽:led光強(qiáng)度驅(qū)動(dòng)電流 1.2萬(wàn) 0
在電源電路應(yīng)用中,往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書(shū)中標(biāo)稱(chēng)漏...
2019-06-18 標(biāo)簽:MOS管電源電路驅(qū)動(dòng)電壓 1.2萬(wàn) 0
Buck電路中的自舉電容如何取值?計(jì)算依據(jù)是什么?
在電子電路中,具有動(dòng)態(tài)特性的器件往往是我們難以理解和掌握的,典型的動(dòng)態(tài)特性器件如電感和電容
整個(gè)基礎(chǔ)知識(shí)體系中,差分線(xiàn)(對(duì))是很難搞的部分,卻是最常用的部分。說(shuō)到差分線(xiàn)基礎(chǔ)知識(shí),里面的概念很多,記得剛接觸的時(shí)候,奇模&共模有時(shí)候會(huì)搞不清楚。
換用研控的運(yùn)動(dòng)控制卡產(chǎn)品來(lái)解決常見(jiàn)位置偏差問(wèn)題
研控MCC系列運(yùn)動(dòng)控制卡使用方便,功能可靠,一般來(lái)說(shuō)是不會(huì)在使用過(guò)程中產(chǎn)生位置偏差的。但是在長(zhǎng)期客戶(hù)服務(wù)的過(guò)程中我們也遇到了一些因使用不當(dāng)造成的位置偏差...
2018-04-11 標(biāo)簽:機(jī)械運(yùn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電壓 5238 0
MOS管的基本結(jié)構(gòu) MOS管的二級(jí)效應(yīng)
本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性,并闡述MOS管的二級(jí)效應(yīng),如體效應(yīng)、溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等,之后介紹了MOS管的寄生電容,...
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰與抑制方法分析(上)
高頻、高速開(kāi)關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一,這能顯著提升系統(tǒng)效率,但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩,從而讓驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生更大的尖峰。
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰的抑制方法簡(jiǎn)析(下)
高頻、高速開(kāi)關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一,這能讓系統(tǒng)效率顯著提升,但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩,從而在驅(qū)動(dòng)電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。
步進(jìn)電機(jī)振動(dòng)的測(cè)量方法
振動(dòng)的測(cè)量不同于噪音測(cè)量所示的規(guī)格,振動(dòng)測(cè)量方法及振動(dòng)計(jì)有很多種。振動(dòng)傳感器包括位移計(jì)、速度針、加速度計(jì)等,其中與速度成比例的電動(dòng)型以及與加速度成比例的...
2019-12-11 標(biāo)簽:脈沖步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓 4600 0
差分線(xiàn)本身沒(méi)有什么特別,決定它們特性的是這兩條傳輸線(xiàn)上的信號(hào)傳輸方式。差分線(xiàn)除了傳輸差分信號(hào),還有共模信號(hào),前一種是大小相等方向相反的驅(qū)動(dòng)電壓,后一種是...
額定門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓:門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓在±20V范圍內(nèi)施加超過(guò)此范圍的電壓時(shí),門(mén)極-發(fā)射極間的氧化膜(SiO2)有可能發(fā)生絕緣破壞或?qū)е驴煽啃韵陆怠?/p>
2024-01-05 標(biāo)簽:電源電壓IGBT模塊驅(qū)動(dòng)電流 3322 0
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓測(cè)試結(jié)果離譜的六大原因
開(kāi)關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件最重要的特性之一,由器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評(píng)估時(shí)可以采用雙脈沖測(cè)試,而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直...
2022-06-02 標(biāo)簽:變換器功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電壓 3298 0
SIC MOS驅(qū)動(dòng)電壓15V和18V之辯
使用SIC MOS的開(kāi)發(fā)人員是越來(lái)越多,但驅(qū)動(dòng)電壓到底選15V還是18V,每個(gè)人都有自己的理解,今晚聽(tīng)許老師講SIC MOS驅(qū)動(dòng)技術(shù),有些感悟分享給大家。
2022-11-07 標(biāo)簽:MOSSiC驅(qū)動(dòng)電壓 3250 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)。在IGBT的應(yīng)用過(guò)程中,驅(qū)動(dòng)電...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電壓功率半導(dǎo)體器件 3038 0
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