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標(biāo)簽 > 驅(qū)動(dòng)電壓

驅(qū)動(dòng)電壓

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  驅(qū)動(dòng)電壓,使器件開(kāi)始工作所需的最小供電電壓。

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眾所周知,液晶面板是液晶顯示器的心臟,占據(jù)了整個(gè)產(chǎn)品八成以上的成本,其質(zhì)量會(huì)直接影響到顯示器的色彩、亮度、對(duì)比度、可視角度等等功能參數(shù)和顯示效果。

2023-04-06 標(biāo)簽:液晶顯示器ITOTFT-LCD 2.9萬(wàn) 0

IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)過(guò)熱和過(guò)流的區(qū)別

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IGBT在結(jié)構(gòu)上類(lèi)似于MOSFET,其不同點(diǎn)在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板(漏極)上增加了一個(gè) P+基板(IGBT 的集電極),形成P...

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為什么驅(qū)動(dòng)電壓5V以下的繼電器很少

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它們之間的關(guān)系是: Ug1≠Ug4=_Ug2=-Ug3。 在個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi),當(dāng)0≤tston時(shí), Uab= Us,電樞電流id沿回路1流通:當(dāng)ton≤t...

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IGBT典型過(guò)流保護(hù)電路設(shè)計(jì)分享

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所謂集中過(guò)電流保護(hù),就是檢測(cè)逆變橋輸入直流母線(xiàn)上的電流,當(dāng)該電流值超過(guò)設(shè)定的閾值時(shí),封鎖所有橋臂IGBT的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

2024-02-23 標(biāo)簽:IGBT光電耦合器過(guò)流保護(hù)電路 1.4萬(wàn) 0

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一文詳解差分線(xiàn)的基礎(chǔ)知識(shí)

整個(gè)基礎(chǔ)知識(shí)體系中,差分線(xiàn)(對(duì))是很難搞的部分,卻是最常用的部分。說(shuō)到差分線(xiàn)基礎(chǔ)知識(shí),里面的概念很多,記得剛接觸的時(shí)候,奇模&共模有時(shí)候會(huì)搞不清楚。

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本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性,并闡述MOS管的二級(jí)效應(yīng),如體效應(yīng)、溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等,之后介紹了MOS管的寄生電容,...

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SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰的抑制方法簡(jiǎn)析(下)

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振動(dòng)的測(cè)量不同于噪音測(cè)量所示的規(guī)格,振動(dòng)測(cè)量方法及振動(dòng)計(jì)有很多種。振動(dòng)傳感器包括位移計(jì)、速度針、加速度計(jì)等,其中與速度成比例的電動(dòng)型以及與加速度成比例的...

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開(kāi)關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件最重要的特性之一,由器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評(píng)估時(shí)可以采用雙脈沖測(cè)試,而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直...

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2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電壓功率半導(dǎo)體器件 3038 0

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