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標簽 > 驅動電壓
驅動電壓，使器件開始工作所需的最小供電電壓。
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轉子的加速度慢于步進電動機的旋轉磁場 解釋： 轉子的加速度慢于步進電動機的旋轉磁場，即低于換相速度時，步進電動機會產生失步。這是因為輸入電動機的電能...
MOSFET在雪崩效應發生時能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高，器件的可靠性越好。參數：雪崩耐量 - SURG （Surge Tolerance）
對MOS管在開關狀態下的Miller效應的原因與現象進行分析
MOS管的米勒效應會在高頻開關電路中，延長開關頻率、增加功耗、降低系統穩定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
在筆者看來，市場對新興存儲器并不友善，盡管人們仍然希望存內計算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲器。
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 標簽：SiC驅動電壓SiC MOSFET 2184 0
使用高壓MOS作為開關，例如下圖（來自于ADI官網）LTC2949的典型應用電路中，使用高壓MOS作為絕緣檢測的橋臂開關；選用高壓MOS的原因是成本相對...
MIT研究小組基于硅光波導中的光伏效應，實現了每比特阿焦級的電光調制器，創造了新的低功耗調制器記錄。
功率MOSFET在開通的過程中，當VGS的驅動電壓從VTH上升到米勒平臺VGP時間段t1-t2，漏極電流ID從0增加系統的最大的電流，VGS和ID保持由...
系統中的噪聲限制了一個電路能夠正確處理的最小信號電平，它與功耗、速度、線性度之間是相互制約的。
本文就MOSFET的開關過程進行相關介紹與分析，幫助理解學習工作過程中的相關內容。首先簡單介紹常規的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關斷的過...
IGBT的工作原理和結構 IGBT是一種三端子功率半導體器件，由N型外延層、P型襯底、N型緩沖層、P型集電區、N型發射區、柵極和發射極組成。IGBT的工...
若該電阻太大，因為MOS管會有結電容，管子太大充電速度慢，管子很長時間達不到飽和開通狀態，從而過熱燒毀。該電阻阻值一般10k以內即可。
隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產品的研發與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及...
經常聽到功率循環這個實驗，總覺得這個不是很簡單嗎，不就是IGBT溫度在一定范圍波動，然后經過幾萬次循環，再測試IGBT的Vcesat或Rth是否異常來確...
NMOS管的主回路電流方向為D極到S極，導通條件為VGS有一定的壓差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主回路電流方向為S極到G極，導通條件為VS...
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）驅動波形是電力電子技術中非常重要的一個方面，它直接影響到IGBT的開關速度、損耗、可靠性等性能指標。在本文中，我們將介紹IG...
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