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標簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機械、化學工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用
碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中...
為了改善上述蝕刻柱狀結(jié)構(gòu)以及離子布植法制作面射型雷射的缺點，在1994年從德州大學奧斯丁分校獲得博士學位的D.L. Huffaker 首次發(fā)表利用選擇性...
作者：Jake Hertz 在眾多可用的 PCB 制造方法中，化學蝕刻仍然是行業(yè)標準。蝕刻以其精度和可擴展性而聞名，它提供了一種創(chuàng)建詳細電路圖案的可靠方...
與亞微米工藝類似，側(cè)墻工藝是指形成環(huán)繞多晶硅的氧化介質(zhì)層，從而保護LDD 結(jié)構(gòu)，防止重摻雜的源漏離子注入到LDD結(jié)構(gòu)的擴展區(qū)。側(cè)墻是由兩個主要工藝步驟形...
蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術(shù)。該程序類似于前氧化清潔沖洗干燥過程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕刻劑罐中一段時間，轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗站去除酸，然后轉(zhuǎn)移到最終...
共讀好書 晶圓制造工藝流程 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 ...
傳統(tǒng)的2D視覺技術(shù)已經(jīng)無法滿足高精度的印刷電路板(PCB)外觀檢測。3D成像技術(shù)則以其獨特的優(yōu)勢，輕松地在視野范圍內(nèi)構(gòu)建目標物的狀態(tài)，無論是斷差還是孔徑...
引言 鍺是下一代背面成像器的有希望的替代品，因為最近的同質(zhì)外延生長已經(jīng)產(chǎn)生了非常低的缺陷密度。鍺的固有特性使其能夠進行高速硬X射線檢測，并在硅基本透明的...
干式蝕刻是為對光阻上的圖案忠實地進行高精密加工的過程，故選擇材料層與光阻層的蝕刻速率差（選擇比）較大、且能夠確保蝕刻的非等向性（主要隨材料層的厚度方向進...
2024-04-18 標簽：蝕刻 766 0
芯片制造是當今世界最為復(fù)雜的工藝過程。這是一個由眾多頂尖企業(yè)共同完成的一個復(fù)雜過程。本文努力將這一工藝過程做一個匯總，對這個復(fù)雜的過程有一個全面而概括的描述。
芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。
一般高效單晶硅電池采用化學腐蝕制絨技術(shù)，制得絨面的反射率可達到10％以下。目前較為先進的制絨技術(shù)是反應(yīng)等離子蝕刻技術(shù)（RIE），該技術(shù)的優(yōu)點是和晶硅的晶...
硅元素在自然界中主要以氧化物形式為主的化合物狀態(tài)存在。這些化合物在常溫下的化學性質(zhì)十分穩(wěn)定。而在高溫下，硅幾乎可以所有物質(zhì)發(fā)生化學反應(yīng)。
現(xiàn)在對 2 個晶圓進行處理，為粘合做好準備。它們經(jīng)過 N2 等離子體處理以激活表面。等離子處理改變了表面的特性，以增加表面能并使其更加親水。
在封裝史上，最后一次重大范式轉(zhuǎn)變是從引線鍵合到倒裝芯片。從那時起，更先進的封裝形式（例如晶圓級扇出和 TCB）一直是相同核心原理的漸進式改進。
硅雙通道光纖低溫等離子體蝕刻控制與SiGe表面成分調(diào)制
在過去的幾年中，MOSFET結(jié)構(gòu)從平面結(jié)構(gòu)改變?yōu)轹捫徒Y(jié)構(gòu)(FinFETs ),這改善了短溝道效應(yīng)，并導致更高的驅(qū)動電流泄漏。然而，隨著柵極長度減小到小于...
各種疊層結(jié)構(gòu)的PCB圖內(nèi)部架構(gòu)設(shè)計
今天畫了幾張多層PCB電路板內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，用立體圖形展示各種疊層結(jié)構(gòu)的PCB圖內(nèi)部架構(gòu)。
阻抗的計算是相對比較繁瑣的，但我們可以總結(jié)一些經(jīng)驗值幫助提高計算效率。對于常用的 FR4，50ohm 的微帶線，線寬一般等于介質(zhì)厚度的 2 倍;50oh...
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