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標(biāo)簽 > 第三代半導(dǎo)體
第三代半導(dǎo)體主要是材料的變化。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料,發(fā)展經(jīng)歷了三個(gè)階段。
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深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司,掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC功率器件生產(chǎn)加工工藝,和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù),以新技術(shù)引領(lǐng)公司發(fā)展。薩科微的研...
雖然氮化鎵的HEMT器件相對(duì)碳化硅來說起步晚了點(diǎn),但是現(xiàn)在氮化鎵的HEMT器件的勢頭非常迅猛,所以對(duì)于氮化鎵器件的生產(chǎn)廠家來說,評(píng)測氮化鎵器件的緊迫性也...
2023-11-02 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)功率器件氮化鎵 219 0
第三代半導(dǎo)體防震基座的技術(shù)難點(diǎn)有哪些?
高性能材料研發(fā):需要具備更高阻尼性能、更低自然頻率、更好的耐腐蝕性和耐高溫性的特殊材料,如先進(jìn)的復(fù)合材料、特種合金等。目前部分高性能材料依賴進(jìn)口,限制了...
2024-12-27 標(biāo)簽:基座半導(dǎo)體設(shè)備第三代半導(dǎo)體 154 0
隨著科技的發(fā)展,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi),各國都在加大對(duì)第三代半導(dǎo)體的投入,建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國,多地都有相關(guān)大...
2024-12-27 標(biāo)簽:基座碳化硅第三代半導(dǎo)體 153 0
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