矽電-泰克晶圓級探針測試測量聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室正式成立

泰克科技（中國）有限公司和矽電半導(dǎo)體設(shè)備（深圳）股份有限公司戰(zhàn)略合作發(fā)布會在深圳創(chuàng)投大廈矽電總部召開，同一時(shí)間，泰克（中國）和矽電半導(dǎo)體宣布測試測量聯(lián)合...

2023-06-16 標(biāo)簽：泰克實(shí)驗(yàn)室第三代半導(dǎo)體 1441 0

薩科微slkor宋仕強(qiáng)：推動IGBT市場高成長的重要因素

薩科微slkor（www.slkoric.com）半導(dǎo)體總經(jīng)理宋仕強(qiáng)介紹，家電節(jié)能、電機(jī)節(jié)能與新能源等領(lǐng)域，成為推動我國IGBT 市場高成長的重要因素。...

2023-04-06 標(biāo)簽：場效應(yīng)管IGBT國產(chǎn)芯片 1377 0

SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇成功舉辦

加快第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用，推動大中小企業(yè)融通發(fā)展。2022年7月27日，由北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司主辦的主題為“SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇”，通...

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC功率半導(dǎo)體 1328 0

國產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點(diǎn)回顧

8月29日-31日，上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會（簡稱PCIM Asia）在上海新國際博覽中心W2館圓滿舉行。作為領(lǐng)先亞洲的電力電子展會，本屆...

2023-09-02 標(biāo)簽：MOSFET晶圓逆變器 1251 0

碳化硅在電動汽車中主要應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體技術(shù)以及碳化硅(SiC)材料，正迅速崛起并且在科技產(chǎn)業(yè)中引起廣泛關(guān)注，這兩個(gè)領(lǐng)域的結(jié)合，為我們帶來了前所未有的機(jī)會和挑戰(zhàn)，將深刻改變我們的生...

2023-11-08 標(biāo)簽：電動汽車逆變器OBS 1158 0

第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)基本半導(dǎo)體榮獲銳湃科技2023年度優(yōu)秀合作獎

近日，在銳湃科技舉辦的第一屆供應(yīng)鏈合作伙伴大會上，基本半導(dǎo)體憑借在客戶端的優(yōu)異表現(xiàn)，榮獲銳湃科技頒發(fā)的“2023年度優(yōu)秀合作獎”。基本半導(dǎo)體副總經(jīng)理蔡雄...

2024-04-02 標(biāo)簽：功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 1104 0

單相雙向 AC-DC 轉(zhuǎn)換器介紹

前言由于電力電子、數(shù)字控制及電池技術(shù)的進(jìn)步，促使再生能源、儲能系統(tǒng)及新能源應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。例如:電動汽車的電能系統(tǒng)、對電力系統(tǒng)用電進(jìn)行削峰填谷和調(diào)...

2024-01-03 標(biāo)簽：PFC安森美半導(dǎo)體SiC 1059 0

后摩爾時(shí)代，洞見第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試的趨勢和未來！

前言 ??????? 2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終結(jié)連續(xù)高增長，進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對比，在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高...

2023-05-30 標(biāo)簽：第三代半導(dǎo)體 948 1

汽車芯片與第三代半導(dǎo)體應(yīng)用論壇成功舉辦| 聚焦ICS2023峰會

2023中國（深圳）集成電路峰會（以下簡稱:ICS2023峰會）于2023年9月21日至9月22日在深圳寶安區(qū)JW萬豪酒店舉行。ICS2023峰會以“洞...

2023-09-25 標(biāo)簽：汽車芯片第三代半導(dǎo)體 933 0

后摩爾時(shí)代，洞見第三代功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測試的趨勢和未來！

2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)連續(xù)高增長，進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對比，在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展，全球化供應(yīng)鏈體系正...

2023-05-30 標(biāo)簽：功率器件第三代半導(dǎo)體 932 0

SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的發(fā)展

在元件層面，硅 IGBT 比 SiC 同類產(chǎn)品便宜得多，并且不會很快從電力應(yīng)用中消失。但一級制造商和原始設(shè)備制造商表示，將高功率密度碳化硅應(yīng)用到逆變器設(shè)...

2023-10-08 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 913 0

薩科微slkor 國際化之初體驗(yàn)(上)

?大家好，我叫宋仕強(qiáng)，是薩科微和金航標(biāo)這兩個(gè)皮包公司的大股東兼大老板兼董事長兼總經(jīng)理。薩科微公司近年來發(fā)展迅速，產(chǎn)品研發(fā)方面大投入，高端產(chǎn)品IGBT、電...

2023-07-06 標(biāo)簽：三極管二極管穩(wěn)壓二極管 867 0

深化碳中和愿景下的中歐科技創(chuàng)新合作 ——2021中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳舉行

11月27日， 由中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會與深圳市人民政府共同主辦，由中國科協(xié)企業(yè)創(chuàng)新服務(wù)中心、深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會承辦、深圳市科技交流服務(wù)中心、深圳基本半導(dǎo)體有...

2021-11-29 標(biāo)簽：碳中和基本半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 840 0

第三代半導(dǎo)體測試的突破 —— Micsig光隔離探頭

第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是近幾年新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅（Si）基功率半導(dǎo)體，氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度，更高的臨界...

2023-01-06 標(biāo)簽：micsig第三代半導(dǎo)體光隔離探頭 834 1

第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識

第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代半導(dǎo)...

2024-11-27 標(biāo)簽：氮化鎵GaN第三代半導(dǎo)體 786 0