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標簽 > 氮化鎵晶體管
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作者:Maurizio Di Paolo Emilio 汽車行業(yè)正經(jīng)歷著從內(nèi)燃機(ICE)到全電動未來的巨變。VisIC Technologies的功率...
這是NEDO關于“加強后5G信息通信系統(tǒng)基礎設施研究開發(fā)項目”的成果。2020年6月,NEDO發(fā)布了該決定,并計劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技...
氮化鎵晶體管顯然對高速、高性能MOSFET器件構成了非常嚴重的威脅。氮化鎵上硅(GaN on Si)晶體管預計的低成本,甚至還有可能使IGBT器件取代它...
TriQuint半導體公司(納斯達克代碼:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化鎵(GaN)HEMT射頻功率晶體管產(chǎn)品。
放大器尺寸再減50%!TriQuint卓越增益新氮化鎵晶體管
TriQuint半導體公司(納斯達克代碼:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化鎵 (GaN) HEMT 射頻功率晶體管產(chǎn)品。Tr...
技術創(chuàng)新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司和Richardson RFPD今天宣布,Richardson RFPD新建立的氮化鎵技術中心 ...
2019-03-20 標簽:氮化鎵晶體管 675 0
iCoupler技術為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管
大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務器或電信交換站使得功耗快速增長,因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎設施的發(fā)展至關重要。但是,電力電子行業(yè)中的硅MOSF...
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