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標(biāo)簽 > 氮化鎵晶體管
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近幾十年來(lái),電力電子設(shè)備發(fā)展迅速,主要是由于半導(dǎo)體開關(guān)速度越來(lái)越快,這使得設(shè)計(jì)更小的電力存儲(chǔ)組件(如電容器和電感)成為可能。結(jié)合更高的效率,這可以實(shí)現(xiàn)更...
氮化鎵晶體管顯然對(duì)高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴(yán)重的威脅。氮化鎵上硅(GaN on Si)晶體管預(yù)計(jì)的低成本,甚至還有可能使IGBT器件取代它...
作為第三代半導(dǎo)體的天之驕子,氮化鎵晶體管日益引起工業(yè)界的重視,且被更大規(guī)模應(yīng)用
2023-02-07 標(biāo)簽:氮化鎵晶體管 581 0
這是NEDO關(guān)于“加強(qiáng)后5G信息通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項(xiàng)目”的成果。2020年6月,NEDO發(fā)布了該決定,并計(jì)劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技...
作者:Maurizio Di Paolo Emilio 汽車行業(yè)正經(jīng)歷著從內(nèi)燃機(jī)(ICE)到全電動(dòng)未來(lái)的巨變。VisIC Technologies的功率...
2021-03-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器GaN 5162 0
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET的結(jié)構(gòu)_特性_性能差異
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕,氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界,特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體,是因?yàn)?..
如何利用測(cè)量設(shè)備來(lái)準(zhǔn)確地評(píng)估高性能的氮化鎵晶體管
氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管具備高速的開關(guān)速度優(yōu)勢(shì),需要使用良好的測(cè)量技術(shù)及能夠描述高速波形細(xì)節(jié)的良好技巧來(lái)進(jìn)行評(píng)估。本文專注于如何基于用戶的要求及測(cè)量...
2018-06-08 標(biāo)簽:測(cè)量設(shè)備氮化鎵晶體管 3488 0
iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(GaN)晶體管
大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長(zhǎng),因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是,電力電子行業(yè)中的硅MOSF...
技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司和Richardson RFPD今天宣布,Richardson RFPD新建立的氮化鎵技術(shù)中心 ...
2019-03-20 標(biāo)簽:氮化鎵晶體管 671 0
放大器尺寸再減50%!TriQuint卓越增益新氮化鎵晶體管
TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化鎵 (GaN) HEMT 射頻功率晶體管產(chǎn)品。Tr...
TriQuint半導(dǎo)體推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管
TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化鎵(GaN)HEMT射頻功率晶體管產(chǎn)品。
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