單晶SiC晶圓加工過程中的低溫濕法蝕刻

硅片在大口徑化的同時，要求規格的嚴格化迅速發展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴格，因此超精密磨削技術得以開發，實現了無蝕刻化，無拋光化。雖然在單晶SiC...

2022-04-15 標簽：晶圓SiC刻蝕 1938 0

通過化學濕法刻蝕工藝制備氮化鎵基發光二極管

最近，氮化鎵基藍色、綠色和紫外線發光二極管取得了巨大進展。這些氮化物基發光二極管也有可能用于固態照明。然而，為了實現固態照明，需要進一步提高這些發光二極...

2022-04-12 標簽：工藝發光二極管刻蝕 1366 0

硅晶圓蝕刻過程中的流程和化學反應

引言 硅晶圓作為硅半導體制造的基礎材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會產生加工變質層。為了去除該加工...

2022-04-08 標簽：半導體硅晶圓刻蝕 2313 0

濕式蝕刻過程的原理是什么

濕式蝕刻過程的原理是利用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物，選擇性非常高，因為所使用的化學物質可以非常精確地適應于單個薄膜。對于大多數溶液的選擇性大于1...

2022-04-07 標簽：工藝刻蝕 3099 0

采用三種刻蝕方法制備黑硅材料

本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應離子蝕刻法和金屬催化化學蝕刻法制備了黑硅，研究發現，在400~2200nm的波長內，光的吸收顯著增強，其中飛秒激光用六氟化...

2022-04-06 標簽：半導體晶圓刻蝕 3080 0

采用濕蝕刻技術制備黑硅

本文介紹了我們華林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術制備黑硅，樣品在250~1000nm波長下的吸收率接近90%。實驗結果表明，氮化硅膜作為掩模濕...

2022-03-29 標簽：測試材料刻蝕 1018 0

通過兩步濕法刻蝕法制備黑硅

本研究對黑硅的形成進行了兩步短濕蝕刻處理,所建議的結構包括兩個步驟。第一步：濕酸性蝕刻凹坑狀形態，具有降低紋理化溫度的新解決方案；第二步：通過金屬輔助蝕...

2022-03-29 標簽：工藝晶片刻蝕 1069 0

微機械中的各向異性蝕刻技術與發展方向

單晶S1， 作為IC、LSI的電子材料， 用于微小機械部件的材料，也就是說，作為結構材料的新用途已經開發出來了。其理由是， 除了單晶SI或機械性強之外，...

2022-03-29 標簽：晶圓單晶硅刻蝕 1350 0

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區域；并以第一速率用...

2022-03-29 標簽：SiC碳化硅刻蝕 1883 0

n型多孔硅刻蝕時間的效應分析

引言 硅在歷史上一直是電子產品的主要材料，而光電子領域的工作幾乎完全依賴于GaAs和磷化銦等ⅲ-ⅴ族化合物材料。這種材料系統二分法的主要原因是硅的間接帶...

2022-03-25 標簽：半導體刻蝕 3666 0

用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應行為因為硫酸加入而受到顯著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的...

2022-01-13 標簽：多晶硅半導體晶圓 3641 0

碳化硅在堿性溶液中的陽極刻蝕

引言 人們對用于器件應用的碳化硅(SiC)重新產生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數和熱膨脹系數，可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應用領域，例...

2022-01-10 標簽：半導體SiC碳化硅 2203 0

二氧化硅玻璃陶瓷刻蝕化學及HF輔助刻蝕的觀察

關鍵詞:玻璃陶瓷；氫氟酸；蝕刻條件；蝕刻速率；機制 引言 我們江蘇華林科納研究了氧化鎂-氧化鋁-二氧化硅玻璃陶瓷在氫氟酸中的腐蝕條件和機理。結果表明，在...

2022-01-04 標簽：半導體晶圓刻蝕 2385 0

SiO2在氫氟酸中的刻蝕機理

摘要 研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點，并研究了SiQ的蝕刻反應作為高頻溶液中不同物種的函數。基于HF二聚體的存在，建立了一種新的SiO~蝕刻...

2021-12-31 標簽：晶圓鍍膜刻蝕 4916 0

半導體濕法化學刻蝕工藝觀察

我們提出了一種觀察鋁層蝕刻截面的方法，并將其應用于靜止蝕刻蝕刻的試件截面的觀察。觀察結果成功地闡明了蝕刻截面幾何形狀的時間變化，和抗蝕劑寬度對幾何形狀的...

2021-12-14 標簽：半導體刻蝕 4316 0

ZnO上ZnCdO的選擇性濕法刻蝕 南通華林科納

最近在外延膜的導電率控制和高質量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進展重新引起了我們對用于紫外光發射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質結構系統的興趣。

2021-12-13 標簽：半導體襯底光刻膠 1529 0

深度解讀TSV 的工藝流程和關鍵技術

要實現三維集成，需要用到幾個關鍵技術，如硅通孔（TSV），晶圓減薄處理，以及晶圓/芯片鍵合。TSV 互連具有縮短路徑和更薄的封裝尺寸等優點，被認為是三維...

2017-11-24 標簽：tsv硅通孔刻蝕 6.4萬 2