引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學物質之一。各向異性蝕刻優先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:06
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什么速度發展還無法準確預測。需要注意的是，未來十年里在美國上路的輕型客運車輛中15%都是電動汽車。隨著這個數字的增加和車輛上越來越多的應用需要高壓開關，SiC晶圓制造商如位于美國達勒姆市的科銳（Cree
2019-05-12 23:04:07
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 編輯
3.晶圓的處理—微影成像與蝕刻
2012-08-01 23:27:35
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
單晶的晶圓制造步驟是什么？
2021-06-08 06:58:26
晶圓切割主要采用金剛石砂輪刀片即輪轂型硬刀，半導體從業者不斷尋求能提高加工質量和加工效率的方法，以達到更低的加工成本。本文將分享從切割現場積累的經驗供半導體從業者參考。
2021-08-17 17:32:26
），之后再將其送至晶圓切割機加以切割。切割完后，一顆顆的晶粒會井然有序的排列黏貼在膠帶上，同時由于框架的支撐可避免晶粒因膠帶皺褶而產生碰撞，而有利于搬運過程。此實驗有助于了解切割機的構造、用途與正確之
2011-12-02 14:23:11
`晶圓制造總的工藝流程芯片的制造過程可概分為晶圓處理工序（Wafer Fabrication）、晶圓針測工序（Wafer Probe）、構裝工序（Packaging）、測試工序（Initial
2011-12-01 15:43:10
架上，放入充滿氮氣的密封小盒內以免在運輸過程中被氧化或沾污十、發往封測Die（裸片）經過封測，就成了我們電子數碼產品上的芯片。晶圓的制造在半導體領域，科技含量相當的高，技術工藝要求非常高。而我國半導體
2019-09-17 09:05:06
圓尺寸是在半導體生產過程中硅晶圓使用的直徑值。總的來說，一套特定的硅晶圓生產設備所能生產的硅晶圓尺寸是固定，因為對原設備進行改造來生產新尺寸的硅晶圓而花費資金是相當驚人的，這些費用幾乎可以建造一個
2011-12-01 16:16:40
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 14:53:05
圖為一種典型的晶圓級封裝結構示意圖。晶圓上的器件通過晶圓鍵合一次完成封裝，故而可以有效減小封裝過程中對器件造成的損壞?！ D1 晶圓級封裝工藝過程示意圖 1 晶圓封裝的優點 1）封裝加工
2021-02-23 16:35:18
`美國Tekscan公司研發的I-SCAN系統可以解決晶圓制作過程中拋光頭與晶圓接觸表面壓力分布不均勻，導致高不良率出現的問題。在實驗過程中只需要將目前世界上最薄的壓力傳感器（0.1mm)放置于拋光
2013-12-04 15:28:47
晶圓的制造過程是怎樣的？
2021-06-18 07:55:24
` 硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導體的材料，經過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒
2011-09-07 10:42:07
不良品，則點上一點紅墨水，作為識別之用。除此之外，另一個目的是測試產品的良率，依良率的高低來判斷晶圓制造的過程是否有誤。良品率高時表示晶圓制造過程一切正常， 若良品率過低，表示在晶圓制造的過程中，有
2020-05-11 14:35:33
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高，因為所用化學藥品可以非常精確地適應各個薄膜。對于大多數解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問題歡迎提問，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
為了在基板上形成功能性的MEMS結構，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術。
2021-01-09 10:17:20
在PCBA加工過程中基板可能產生的問題主要有以下三點：
2019-09-11 11:52:23
請問給位高手，我是剛學Allegro，在走線過程中走線是方頭而且在轉角處有"斷開”的樣子，但是走好線之后顯示是圓頭而且沒有斷開的樣子，怎么設置可以在走線過程中也是圓頭而且沒有斷處，我用的版本是16.3，希望各位高手不吝賜教，謝謝！
2011-12-26 14:04:21
氧化物）中的高質量電介質。此外，在加工過程中，熱生長的氧化物可用作注入、擴散和蝕刻掩模。硅作為微電子材料的優勢可歸因于這種高質量原生氧化物的存在以及由此產生的接近理想的硅/氧化物界面。濕法蝕刻包括
2021-07-06 09:32:40
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：DI-O3水在晶圓表面制備中的應用編號：JFSJ-21-034作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:36:27
。 濕法腐蝕 SIC：由于其硬度(H=9+)，碳化硅是金屬、金屬部件和半導體晶片最廣泛使用的研磨和拋光磨料之一。然而，這種特性使得在典型的酸或堿溶液中很難蝕刻。在室溫下，碳化硅以單晶的形式不會受到單一
2021-10-14 11:48:31
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網址：http
2021-07-06 09:39:22
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：在硅上生長的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
生產過程中的一個很特殊的方面。從理論上講，印制電路進入到蝕刻階段后，在圖形電鍍法加工印制電路的工藝中，理想狀態應該是:電鍍后的銅和錫或銅和鉛錫的厚度總和不應超過耐電鍍感光膜的厚度,使電鍍圖形完全被膜兩側
2018-04-05 19:27:39
歷一系列的步驟。第一步是用鋸子截掉頭尾。在晶體生長過程中，整個晶體長度中直徑是有偏差的。晶圓制造過程有各種各樣的晶圓固定器和自動設備，需要嚴格的直徑控制以減少晶圓翹曲和破碎。直徑滾磨是在一個無中心的滾磨機上
2018-07-04 16:46:41
納米到底有多細微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
` 晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
的晶粒時，標有記號的不合格晶粒會被洮汰，不再進行下一個制程，以免徒增制造成本。在晶圓制造完成之后，晶圓測試是一步非常重要的測試。這步測試是晶圓生產過程的成績單。在測試過程中，每一個芯片的電性能力和電路
2011-12-01 13:54:00
半導體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導體。它們是正（P）型半導體或負（N）型半導體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導體晶片，因為硅
2021-07-23 08:11:27
本人做硅片，晶圓加工十三年，想做半導體行業的晶圓加工，不知道有沒有合適的工作？
2018-04-03 16:09:21
、劃片后清洗設備、硅片清洗腐蝕臺、晶圓濕法刻蝕機、濕臺、臺面腐蝕機、顯影機、晶片清洗機、爐前清洗機、硅片腐蝕機、全自動動清洗臺、兆聲波清洗機、片盒清洗設備、理片機、裝片機、工作臺、單晶圓通風柜、倒片器
2011-04-13 13:23:10
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運用到的半導體設備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導體設備，滿足不同的需要。設備中應用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
摘要：在印制電路制作過程中，蝕刻是決定電路板最終性能的最重要步驟之一。所以，研究印制電路的蝕刻過程具有很強的指導意義，特別是對于精細線路。本文將在一定假設的基礎上建立模型，并以流體力學為理論基礎
2018-09-10 15:56:56
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 16:48 編輯
印制電路板蝕刻過程中的問題蝕刻是印制電路板制作工業中重要的一步。它看上去簡單，但實際上，如果在蝕刻階段出現問題將會影響板
2013-09-11 10:58:51
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as area cleanliness.加工測試晶圓片 - 用于區域清潔過程中的晶圓片。Profilometer - A tool that is used for measuring surface
2011-12-01 14:20:47
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2011-04-15 18:24:29
，對原材料實行進料檢驗?！ 】赡艿脑颍骸 ”瓶谆蚶浜更c是在錫焊操作后看到的。在許多情況中，鍍銅不良，接著在錫焊操作過程中發生膨脹，使得金屬化孔壁上產生空穴或爆破孔。如果這是在濕法加工工藝過程中
2023-04-06 15:43:44
是什么推動著高精度模擬芯片設計？如何利用專用晶圓加工工藝實現高性能模擬IC？
2021-04-07 06:38:35
使用等離子清洗技術清洗晶圓去除晶圓表面的有機污染物等雜質，但是同時在等離子產生過程中電極會出現金屬離子析出，如果金屬離子附著在晶圓表面也會對晶圓造成損傷，如果在使用等離子清洗技術清洗晶圓如何規避電極產生的金屬離子？
2021-06-08 16:45:05
在厚銅PCB加工過程中，可能會出現開路或短路的問題，導致電路板無法正常工作，如何解決厚銅PCB加工過程中的開路或短路問題？
2023-04-11 14:33:10
。如果晶圓邊緣不好，如有崩邊、或邊緣沒有被倒角，升溫和降溫的過程中，晶圓的內應力得不到均勻的釋放。在高溫中晶圓非常容易碎裂或變形，最終使產品報廢，造成較大的損失。由于晶圓邊緣不好，掉下來的晶渣，如果粘在硅
2019-09-17 16:41:44
PCBA加工過程中的靜電防護冷知識在PCBA加工過程中，操作人員都會嚴格按照加工要求進行插裝或貼裝元件，但是電子元器件往往在不注意的情況下，總會或多或少地產生靜電，這些靜電會在放電時放出電磁脈沖
2019-12-25 16:27:30
``揭秘切割晶圓過程——晶圓就是這樣切割而成芯片就是由這些晶圓切割而成。但是究竟“晶圓”長什么樣子，切割晶圓又是怎么一回事，切割之后的芯片有哪些具體應用，這些可能對于大多數非專業人士來說并不是十分
2011-12-01 15:02:42
最近發到北方的產品無法正常工作，發回來查到可能是由于低溫環境下無源晶振失效的原因。但是產品放在低溫箱內-30度和-40度恒溫測試都沒有發現失效現象。冷凍后把產品拿出冷凍箱逐漸升溫過程中反復測試，發現
2014-12-17 12:56:05
在機械加工工藝過程中，熱處理工序的位置如何安排? 在適當的時機在機械加工過程中插入熱處理,可使冷,熱工序配合得更好,避免因熱處理帶來的變形. 熱處理的安排，根據熱處理的目的,一般可分為: 1
2018-04-02 09:38:25
模胚加工的整個過程中對模具的要求：1．模胚成型零件的日漸大型化和零件的高生產率要求一模多腔，致使模具日趨大型化，大噸位的大型模具可達100噸，一模幾百腔、上千腔，要求模胚全加工大工作臺、加大y軸z軸
2023-03-28 11:13:53
求晶圓劃片或晶圓分撿裝盒合作加工廠聯系方式：QQ:2691003439
2019-03-13 22:23:17
濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設備的基礎；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
激光用于晶圓劃片的技術與工藝 激光加工為無接觸加工，激光能量通過聚焦后獲得高能量密度，直接將硅片
2010-01-13 17:01:57
`高低溫濕熱試驗箱屬于一款精密儀器，在出現故障的過程中，用戶不知道出現的原因，也不知道要怎么來解決，瑞凱小編挑選了3個用戶在使用過程中出現故障最頻繁的來進行詳細的解說。一、高低溫濕熱試驗箱門封條要
2018-03-19 10:34:41
，12寸晶圓有較高的產能。當然，生產晶圓的過程當中，良品率是很重要的條件。晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電
2011-12-02 14:30:44
` 集成電路按生產過程分類可歸納為前道測試和后到測試；集成電路測試技術員必須了解并熟悉測試對象—硅晶圓。測試技術員應該了解硅片的幾何尺寸形狀、加工工藝流程、主要質量指標和基本檢測方法；集成電路晶圓測試基礎教程ppt[hide][/hide]`
2011-12-02 10:20:54
預防印制電路板在加工過程中產生翹曲的方法1、防止由于庫存方式不當造成或加大基板翹曲 （1）由于覆銅板在存放過程中，因為吸濕會加大翹曲，單面覆銅板的吸濕面積很大，如果庫存環境濕度較高，單面覆銅板將會
2013-03-11 10:48:04
晶圓測溫系統tc wafer晶圓表面溫度均勻性測溫晶圓表面溫度均勻性測試的重要性及方法 在半導體制造過程中，晶圓的表面溫度均勻性是一個重要的參數
2023-12-04 11:36:42
綜述了半導體材料SiC拋光技術的發展,介紹了SiC單晶片CMP技術的研究現狀, 分析了CMP的原理和工藝參數對拋光的影響,指出了SiC單晶片CMP急待解決的技術和理論問題,并對其發展方
2010-10-21 15:51:21
0 在噴淋蝕刻過程中，蝕刻液是通過蝕刻機上的噴頭，在一定壓力下均勻地噴淋到印制電路板上的。蝕刻液到達印制板之后進入干鏌之間的凹槽內并與凹槽內露出的銅發生化學反應。
2020-04-08 14:53:253295 
和晶格完善性。一個正六邊形的蝕刻坑密度約為4000厘米在AlN的鋁表面上觀察文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁到單晶。?EPD沿纖鋅礦結構滑移方向呈線陣分布，表明其規模相當大晶體在生長過程中所產生的熱應力。?XRD全寬半最大值(FWHM)晶體為35弧秒，表明晶格
2023-04-23 11:15:00118 濕法蝕刻工藝已經廣泛用于生產各種應用的微元件。這些過程簡單易操作。選擇合適的化學溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度。銅及其合金是各種工業，特別是電子工業的重要
2022-01-20 16:02:241860 
本文探討了紫外輻照對生長在藍寶石襯底上的非有意摻雜n型氮化鎵(GaN)層的濕法化學刻蝕的影響。實驗過程中，我們發現氮化鎵的蝕刻發生在pH值分別為2-1和11-15的磷酸水溶液和氫氧化鉀溶液中。在稀釋
2022-01-24 16:30:31948 
蝕刻或離子注入，會導致高達10i2-1013 atom/em2的金屬污染。濕法工藝對于去除干法加工過程中引入的這些：金屬雜質變得越來越重要。
2022-02-10 15:49:18537 
摘要 在濕法工藝實施中使用單晶片處理器是先進半導體制造的一種趨勢，因為它具有無污染、靈活的工藝控制以及在不損壞圖案的情況下提高顆粒去除效率的優點。然而，在氮化硅去除過程中，不僅磷酸消耗的成本
2022-02-15 16:38:571654 
第三族氮化物已成為短波長發射器、高溫微波晶體管、光電探測器和場發射尖端的通用半導體。這些材料的加工非常重要，因為它們具有異常高的鍵能。綜述了近年來針對這些材料發展起來的濕法刻蝕方法。提出了通過
2022-02-23 16:20:242208 
摘要 低氧含量的濕法加工可能會提供一些優勢，但是，完全控制在晶圓加工過程中避免吸氧仍然是單個晶圓工具上的短流程工業化的挑戰。在線氧濃度監測用于工藝優化。然后，根據記錄的氧濃度和處理室中氣氛控制的硬件
2022-03-02 13:59:57313 
摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射(XRD)和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法(PVT)生長AlN(0001)單晶的缺陷和晶格完善性。 一個正六邊形的蝕刻坑密度(EPD)約為4000厘米在AlN
2022-03-14 14:40:34286 
微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個重要步驟。術語蝕刻指的是在制造時從晶片表面去除層。這是一個非常重要的過程，每個晶片都要經歷許多蝕刻過程。用于保護晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱為掩模
2022-03-16 16:31:581134 
的各向同性濕法蝕刻條件相比，由于非常高的各向異性，反應離子蝕刻工藝能夠實現更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此，當使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當尺寸放寬時，使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護的完整性。給出了確保這種保護的一些提示，以及評估這種保護的相關新方法。
2022-04-06 13:29:19666 
關于在進行這種濕法或干法蝕刻過程中重要的表面反應機制，以Si為例，以基礎現象為中心進行解說。蝕刻不僅是在基板上形成的薄膜材料的微細加工、厚膜材料的三維加工和基板貫通加工，而且是通過研磨和研磨等機械
2022-04-06 13:31:254183 
，并添加化學物質來調整粘度和單晶圓旋轉加工的表面潤濕性。 當硅被蝕刻并并入蝕刻溶液時，蝕刻速率將隨時間而降低。 這種變化已經建模。 這些模型可以延長時間，補充化學物質，或者兩者兼而有之。
2022-04-07 14:46:33751 
在超大規模集成(ULSI)制造的真實生產線中，器件加工過程中存在各種污染物。由于超大規模集成電路器件工藝需要非常干凈的表面，因此必須通過清潔技術去除污染物，例如使用批量浸漬工具進行濕法清潔批量旋轉
2022-04-08 14:48:32585 
引言 硅晶圓作為硅半導體制造的基礎材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會產生加工變質層。為了去除該加工變質層，進行化學蝕刻，在硅晶片的制造工序
2022-04-08 17:02:101679 
硅晶圓作為硅半導體制造的基礎材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會產生加工變質層。為了去除該加工變質層，進行化學蝕刻，在硅晶片的制造工序中，使共有
2022-04-12 15:28:16943 
微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個重要步驟。術語蝕刻指的是在制造時從晶片表面去除層。這是一個非常重要的過程，每個晶片都要經歷許多蝕刻過程。用于保護晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱為掩模
2022-04-20 16:11:571972 
的各向同性濕法蝕刻條件相比，由于非常高的各向異性，反應離子蝕刻工藝能夠實現更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此，當使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當尺寸放寬時，使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護的完整性。給出了確保這種保護的一些提示，以及評估這種保護的相關新方法。
2022-04-22 14:04:19591 
本次在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結果。確定了可能影響粘附力的幾個因素，并使用實驗設計(DOE)方法來研究所選因素的影響和相互作用。確定
2022-05-10 15:58:32504 
本文提出了基于濺射Ti/Pt/Cr和Cr/Pt/Cr金屬多層膜在熱王水中濕法腐蝕Pt薄膜的簡單制備方案，鉻(Cr)或鈦(Ti)用作鉑的粘附層，Cr在Pt蝕刻過程中被用作硬掩模層，因為它可以容易
2022-05-30 15:29:152171 
在半導體芯片的物理和故障分析過程中(即驗證實際沉積的層，與導致電路故障的原因)，為了評估復雜的半導體結構，擁有適當的處理工具至關重要。為制造的每件產品開發了去加工技術，涉及多步pfo程序，揭示芯片
2022-06-20 16:38:205220 
本文報道了InGaP/GaAsNPNHBTs在噴霧濕化學蝕刻過程中修復光刻膠粘附失敗的實驗結果。我們確定了幾個可能影響粘附性的因素，并采用實驗設計(DOE)方法研究了所選因素的影響和相互作用。最顯著
2022-06-29 11:34:590 中以及在非酸性乙酰丙酮中容易被蝕刻，但是III族氮化物和SiC非常難以濕法蝕刻，并且通常使用干法蝕刻。已經研究了用于GaN和SiC的各種蝕刻劑，包括含水無機酸和堿溶液，以及熔融鹽。濕法蝕刻對寬帶隙半導體技術具有多種應用，包括缺陷裝飾、通過產生特征凹坑或小丘來識
2022-07-06 16:00:211642 
本文介紹了我們華林科納在半導體制造過程中進行的濕法蝕刻過程和使用的藥液，在晶圓表面，為了形成LSI布線，現在幾乎所有的半導體器件都使用干蝕刻方式，這是因為干法蝕刻與濕法蝕刻相比，各向異性較好，對于形成細微的布線是有利的。
2022-07-06 16:50:321538 
在半導體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝， 實踐中發現溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發， 我們華林科納分析了影響蝕刻率的各個因素， 并通過
2022-08-30 16:41:592993 
蝕刻不是像沉積或鍵合那樣的“加”過程，而是“減”過程。另外，根據刮削方式的不同，分為兩大類，分別稱為“濕法蝕刻”和“干法蝕刻”。簡單來說，前者是熔法，后者是挖法。
2023-01-29 09:39:003850 引言 硅片在大口徑化的同時，要求規格的嚴格化迅速發展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴格，因此超精密磨削技術得以開發，實現了無蝕刻化，無拋光化。雖然在單晶SiC晶片上晶片磨削技術的開發也在進行，但在
2023-02-20 16:00:340 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
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