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標(biāo)簽 > 光刻機(jī)
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用于Chiplet 3D系統(tǒng)的硅光Interposer工藝架構(gòu)介紹
這篇文章簡要介紹CEA-Leti發(fā)布用于Chiplet 3D系統(tǒng)的硅光Interposer工藝架構(gòu),包括硅光前端工藝 (FEOL)、TSV middle...
2023-08-02 標(biāo)簽:耦合器光刻機(jī)硅光子技術(shù) 6271 0
光源掩模協(xié)同優(yōu)化的原理與應(yīng)用
由于SMO優(yōu)化的結(jié)果是要應(yīng)用到整塊芯片上去的,而對所有的圖形進(jìn)行SMO是極為耗時(shí)的,因此,我們需要使用關(guān)鍵圖形篩選技術(shù)提前將重復(fù)或者冗余的圖形剔除,以保...
金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的革命,讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。
2023-07-27 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 977 0
芯片制造和傳統(tǒng)IC封裝的生產(chǎn)有何不一樣
DUV是深紫外線,EUV是極深紫外線。從制程工藝來看,DUV只能用于生產(chǎn)7nm及以上制程芯片。而只有EUV能滿足7nm晶圓制造,并且還可以向5nm、3n...
光刻機(jī)的制造是一項(xiàng)復(fù)雜而精密的工藝,需要高度專業(yè)化的技術(shù)和設(shè)備。它涉及到許多關(guān)鍵的工藝步驟和組件,如光學(xué)系統(tǒng)、曝光光源、掩模制作等。
2023-07-04 標(biāo)簽:集成電路光學(xué)系統(tǒng)光刻機(jī) 1.4萬 0
中國電科宣布已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝制程全覆蓋
離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中,需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能,這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特...
光刻機(jī)的難度在于要滿足復(fù)雜的制程需求、高精度的要求以及大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對這些挑戰(zhàn),光刻機(jī)制造商需要投入大量的研發(fā)資源和技術(shù)創(chuàng)新,不斷提升設(shè)備性能...
中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...
超級(jí)全面!一文看懂***:MEMS傳感器及芯片制造的最核心設(shè)備
文章大綱 光刻是芯片制造最核心環(huán)節(jié),大陸自給率亟待提升 ·光刻機(jī)是芯片制造的核心設(shè)備,市場規(guī)模全球第二 ·一超兩強(qiáng)壟斷市場,大陸卡脖子現(xiàn)象凸顯 光刻機(jī):...
ASML***發(fā)展歷程 ***核心系統(tǒng)設(shè)計(jì)流程
光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝,也可以用在后道工藝,前道光刻機(jī)用于芯片的制造,曝光工藝極其復(fù)雜,后道光刻機(jī)主要用于封裝測試...
根據(jù)存儲(chǔ)與計(jì)算的距離遠(yuǎn)近,將廣義存算一體的技術(shù)方案分為三大類,分別是近存計(jì)算 (Processing Near Memory,PNM)、存內(nèi)處理(Pro...
光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝,也可以用在后道工藝,前道光刻機(jī)用于芯片的制造,曝光工藝極其復(fù)雜,后道光刻機(jī)主要用于封裝測試...
極紫外光刻隨機(jī)效應(yīng)的表現(xiàn)及產(chǎn)生原因
極紫外光刻的制約因素 耗電量高極紫外線波長更短,但易被吸收,可利用率極低,需要光源提供足夠大的功率。如ASML 3400B光刻機(jī),250W的功...
光刻機(jī)需要采用全反射光學(xué)元件,掩模需要采用反射式結(jié)構(gòu)。 這些需求帶來的是EUV光刻和掩模制造領(lǐng)域的顛覆性技術(shù)。EUV光刻掩模的制造面臨著許多挑戰(zhàn),...
集成電路前道工藝及對應(yīng)設(shè)備主要分八大類,包括光刻(光刻機(jī))、刻蝕(刻蝕機(jī))、薄膜生長(PVD-物理氣相沉積、CVD-化學(xué)氣相沉積等薄膜設(shè)備)、擴(kuò)散(擴(kuò)散...
刻蝕設(shè)備的重要性僅次于光刻機(jī)。而隨著NAND閃存進(jìn)入3D、4D時(shí)代,要求刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高的深寬比,刻蝕設(shè)備的投資占比顯著提升,從25%提至50%。
2023-05-22 標(biāo)簽:晶圓光刻機(jī)半導(dǎo)體設(shè)備 3739 0
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