### 產品簡介
**BSS225-VB** 是一款高電壓單N溝道MOSFET，采用Plannar技術制造，封裝形式為SOT89。該MOSFET設計用于處理高電壓應用，具有高達650V的漏源電壓（VDS）和最大30V的柵源電壓（VGS）。其較低的導通電阻和相對較高的漏極電流能力使其在高電壓開關和電源管理應用中提供穩定的性能。
### 參數說明
- **型號**: BSS225-VB
- **封裝**: SOT89
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**: 650V
- **柵源電壓（VGS）**: ±30V
- **閾值電壓（Vth）**: 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**: 2500mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流（ID）**: 4A
- **技術**: Plannar
### 應用領域和模塊
**BSS225-VB** 主要適用于以下領域和模塊：
1. **高電壓開關電路**: 用于高達650V的開關應用，如高電壓電源開關和負載開關，提供可靠的開關性能。
2. **電源管理**: 在高電壓電源管理系統中使用，支持高電壓的功率轉換，優化系統的功率效率。
3. **功率放大器**: 在高電壓功率放大器和高電壓信號處理電路中，提供穩定的電流控制和開關性能。
4. **工業設備**: 適用于需要高電壓處理的工業自動化設備中，能夠處理高電流負載，確保系統的穩定性和可靠性。
該MOSFET的高電壓處理能力和相對較低的導通電阻，使其在各種高電壓和功率應用中表現穩定，適合處理高電壓開關和功率控制任務。
