### 產品簡介
BSS192-VB 是一款高電壓單通道 P 溝道 MOSFET，封裝為 SOT89，專為高電壓開關和負載控制應用設計。它具有 -200V 的漏極-源極耐壓、±20V 的柵極-源極耐壓和 -3V 的柵極閾值電壓。該 MOSFET 在 4.5V 的柵極驅動電壓下，導通電阻為 900mΩ，在 10V 的柵極驅動電壓下為 800mΩ。最大漏極電流為 -1.8A，采用 Trench 技術，確保在高電壓下提供穩定的開關性能和較低的導通電阻。

### 參數說明
- **型號**: BSS192-VB
- **封裝**: SOT89
- **配置**: 單通道 P 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: -200V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: -3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 900mΩ @ VGS = 4.5V
 - 800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: -1.8A
- **技術**: Trench 技術

### 應用領域
BSS192-VB 適用于以下領域和模塊：
- **高電壓開關**: 在高電壓電源管理系統中作為開關元件，控制高電壓電路中的負載和電源。
- **電源保護**: 用于高電壓電源的保護開關，防止電流過大導致的損壞，確保設備安全。
- **工業控制**: 在高電壓工業應用中提供可靠的開關功能，控制大功率負載。
- **消費電子**: 適用于高電壓電源適配器和特定電子設備中，如高電壓應用的電視和音響系統。