### 產品簡介

B25S65-VB 是一款高耐壓單通道 N 溝道 MOSFET，封裝形式為 TO263。此 MOSFET 支持高達 650V 的漏源電壓和最大 20A 的漏極電流。采用 SJ_Multi-EPI 技術，具有較低的導通電阻，適用于高電壓、高功率的電力應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: B25S65-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單通道 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 20A
- **技術**: SJ_Multi-EPI 工藝

### 適用領域和模塊

B25S65-VB 適用于以下領域：

1. **電力轉換**: 在高電壓開關電源、逆變器和功率調節器中使用，提供高效的電源轉換和電流控制。
2. **電力電子**: 用于高功率電源設備中，如電源逆變器和高功率調節器，處理高電壓和高功率的電源開關任務。
3. **工業控制**: 適合高壓工業自動化設備，如電機驅動系統和控制系統，提供穩定的功率開關和調節功能。
4. **家電和照明**: 用于高電壓家電設備和照明系統，如空調和高壓燈具，確保可靠的電源管理和安全操作。