### 產品簡介

B25NM50N-VB 是一款高電壓、高性能單極 N 通道 MOSFET，封裝為 TO263。它采用 SJ_Multi-EPI 技術，具有 500V 的漏極源極電壓（VDS）和 30A 的連續漏極電流（ID）。該 MOSFET 的導通電阻（RDS(ON)）在 VGS 為 10V 時為 140mΩ，適合高電壓和高功率應用。閾值電壓（Vth）為 3.5V，VGS 范圍為 ±30V，確保在各種電壓條件下的穩定性和可靠性。

### 詳細參數說明

- **型號**: B25NM50N-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單極 N 通道
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 500V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 140mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 適用領域和模塊示例

B25NM50N-VB 適用于以下領域和模塊：

1. **高電壓電源管理**: 用于高電壓電源轉換器和電源模塊中，提供高電壓耐受能力和穩定的開關性能。
2. **開關電源**: 在高電壓開關電源中作為關鍵開關元件，處理高電壓電流以保證系統穩定運行。
3. **功率逆變器**: 用于功率逆變器系統中，幫助高效地將直流電轉換為交流電，適用于光伏發電和其他高功率應用。
4. **工業控制**: 在各種工業控制系統中作為高電壓開關，提供高效的控制和保護功能。