SuperFET
III MOSFET是安森美半導(dǎo)體的全新高壓超結(jié)（SJ）MOSFET系列，利用均衡技術(shù)實現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進技術(shù)專為最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，提供更高的開關(guān)性能和更高的dv / dt速率而定制。因此，SuperFET III MOSFET非常適用于各種小型化和高效率的電力系統(tǒng)。 700 V @ TJ = 150 C 超低柵極電荷（典型值Qg = 33 nC） 低效輸出電容（典型值Coss（eff。）= 300 pF） 優(yōu)化電容 內(nèi)部柵極電阻：7.0歐姆 典型值。 R =159mΩ 100％雪崩測試 符合RoHS