該器件特別適合為需要2.5V至8V輸入以及2.5A輸出電流能力的便攜式電子設備提供緊湊型功率管理。負載開關集成了一個小型N溝道功率MOSFET(Q1),在一個小型SuperSOT? -6封裝中驅動一個大型P溝道功率MOSFET(Q2)。
特性 |
- V DROP = 0.2V @ V IN = 5V,I L = 2.8A.R (ON) =0.07Ω
V DROP = 0.2 V @ V IN = 2.5V,I L = 1.9A.R (ON) =0.105Ω |
- 控制MOSFET(Q1)包含增強耐靜電放電(ESD)能力的齊納二極管保護(> 6KV人體模型) >
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- 高性能PowerTrench?技術提供了極其出色的熱性能和電氣性能。
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電路圖、引腳圖和封裝圖