此N溝道邏輯電平增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用了飛兆半導(dǎo)體專(zhuān)有的高單元密度、DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專(zhuān)為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。 該器件特別為低電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)，以替代數(shù)字晶體管。 由于不需要偏壓電阻，這一N溝道FET可取代數(shù)個(gè)具有不同偏壓電阻值的數(shù)字晶體管。

• 25 V，0.22 A持續(xù)電流，0.5 A峰值電流。 RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V，RDS(ON) = 4 Ω @ VGS= 4.5 V。
• 柵極驅(qū)動(dòng)電平要求極低，從而可在3V電路中直接運(yùn)行。 VGS(th) < 1.5V。
• 柵-源齊納二極管增強(qiáng)耐靜電放電(ESD)能力。 >6kV人體模型。
• 使用一個(gè)DMOS FET代替多個(gè)NPN數(shù)字晶體管。