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NLAS7222B 模擬開關(guān) USB 2.0 DPDT 4.5 V 帶有使能功能

數(shù)據(jù):

安森美半導(dǎo)體的NLAS7222B和NLAS7222C是使用該公司先進(jìn)的亞微米CMOS技術(shù)生產(chǎn)的一系列模擬開關(guān)電路的一部分,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的性能。 NLAS7222B和NLAS7222C均為2至1端口模擬開關(guān)。它們的寬帶寬和低位到位偏移使它們能夠傳遞具有良好信號完整性的高速差分信號。每個開關(guān)都是雙向的,對輸出端的高速信號幾乎沒有衰減。業(yè)界領(lǐng)先的優(yōu)勢包括傳播延遲小于250 ps,這是由于其低通道電阻和低I / O電容。它們的高通道間串?dāng)_抑制導(dǎo)致最小的噪聲干擾。它們的帶寬足以傳輸高速USB 2.0差分信號(480 Mb / s)。
特性
  • R ON 是典型的在V CC <8.0> <3.3>
  • 低位到位偏斜:通常為50 ps
  • 低串?dāng)_:-30 dB @ 250 MHz
  • 低電流消耗:1.0μA
  • 近零傳播延遲:250 ps
  • 通道接通電容:6.5 pF(典型值)
  • V CC 工作范圍:1.65V至4.5 V
  • > 700 MHz帶寬(或數(shù)據(jù)頻率)
  • 這是無鉛設(shè)備
應(yīng)用 終端產(chǎn)品
  • D信號數(shù)據(jù)路由
  • USB 2.0信號路由
  • 每個交換機(jī)的連續(xù)電流額定值± 50 mA
  • 手機(jī),PDA,數(shù)碼相機(jī)和筆記本
  • 手機(jī),PDA,數(shù)碼相機(jī)和筆記本
  • 8 kV I / O轉(zhuǎn)接至GND ESD保護(hù)

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(1) 相關(guān)資料(2)
元器件購買 NLAS7222B 相關(guān)庫存

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