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電子發燒友網>制造/封裝>電子技術>富士通首推兩款125℃規格的低功耗SiP存儲器

富士通首推兩款125℃規格的低功耗SiP存儲器

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鐵電隨機存儲器FRAM是一種采用鐵電質薄膜作為電容器以儲存數據的內存,即便在沒有電源的情況下仍可保存數據。FRAM主要結合了ROM和RAM的特性,并擁有高速寫入數據、低功耗和高速讀/寫周期的優點
2020-07-30 14:22:20469

富士通微電子推兩款新型消費類FCRAM存儲器芯片

,是業界首推的將工作溫度范圍擴大至125°C的芯片。富士通微電子今日起開始提供這兩款新型FCRAM產品。這兩款低功耗存儲器適用于數字電視、數字視頻攝像機等消費類電子產品的系統級封裝(SiP)。
2020-08-30 09:54:01700

FRAM是一種鐵電存儲器,它的自身優勢是什么

具有優勢。FRAM結合了ROM和RAM的特點,具有高速寫數據,低功耗,高速讀/寫周期等優點。 富士通型號MB85RS2MLY全新的2Mbit FRAM,可在125℃高溫下正常工作,工作電壓可低至1.7V至1.95V,并設有串行外設接口(SPI)。這種全新的FRAM產品是汽車電子控制單元的最
2020-09-27 14:32:311634

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數據非易失性的存儲器

富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器(內存)。FRAM的數據保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器
2021-04-08 15:42:02824

富士通這么多的FRAM都用到了哪些領域之中

與傳統的存儲技術相比,FRAM在需要非易失性、高速讀寫、低功耗、高讀寫耐久等綜合性能的應用領域表現出眾、口碑良好。富士通 FRAM量產20年以來,出貨量更是超過了41億顆!咱們富士通這么多
2021-04-24 10:56:48422

富士通FRAM一路走來,它是如何崛起的

FRAM鐵電存儲器是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點,在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢。那么
2021-04-26 14:31:28544

富士通的非易失性鐵電存儲器FRAM有著廣泛的應用

富士通半導體主要提供高質量、高可靠性的非易失性鐵電存儲器FRAM, 富士通半導體早在1995年已開始研發FRAM存儲器,FRAM應用于智能卡及IC卡等卡片領域、電力儀表及產業設備等產業領域,以及醫療
2021-04-26 15:49:16689

富士通FRAM實現低成本通用智能表計的方案說明

表重要數據的標準元件。富士通FRAM在智能水和氣表中的應用,與智能電表類似,如非易失性與高寫入耐久性確保了準確、可靠的數據記錄。 此外由于水和氣表使用電池供電,FRAM存儲器擁有超低功耗的特性使之備受方案商的青睞。以64Byte數據寫
2021-05-08 15:41:37421

低功耗SRAM存儲器的簡單描述及特征介紹

低功耗SRAM存儲器應用于內有電池供電對功耗非常敏感的產品,是靜態隨機訪問存儲器的一種類別,靜態隨機訪問存儲器(SRAM)作為最重要的半導體存儲器,廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝
2021-06-08 16:49:321933

串行FRAM存儲器64K MB85RS64概述及特點

富士通FRAM是新一代非易失性存儲器,其性能優于E2PROM和閃存等現有存儲器功耗更低,提供更高的速度和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的,但在RAM等其他方面運行。這種突破性的存儲介質用于各種
2021-06-28 15:50:412599

128K串行接口FRAM存儲器MB85RS128B概述及特點

富士通FRAM(鐵電RAM)是新一代非易失性存儲器,性能優于 E2PROM 和閃存等現有存儲器功耗更低,速度更快和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的,但在ram等其他方面運行。這種突破性的存儲
2021-06-28 15:52:461394

富士通FRAM存儲器的詳細介紹

FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器(如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要用于數據保存的備用電池,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗
2021-07-27 10:36:091055

FRAM存儲器都用在了哪里

操作和更低的功耗。加賀富儀艾電子旗下代理品富士通半導體的FRAM器件從開始交付給工業市場已超過21年。因此,富士通FRAM是具有成熟量產制造經驗的高性能和高度可靠的存儲器。 這么優質的存儲器都用在了哪里呢?今天小編就為大家梳理一下FRAM的應該領域。 物聯
2021-10-28 10:26:562565

富士通新品8Mbit FRAM高達100萬億次的寫入耐久性

100萬億讀/寫周期的產品。 ? 與富士通的傳統產品相比,新產品實現了高速運行、約30%的訪問速度和低功耗、10%的工作電流。該存儲器IC是需要高速運行的工業機器中SRAM的理想替代品
2021-12-11 14:46:17579

富士通推出具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA

FRAM 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器 (如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要備用電池來保留數據,并且具有更高的讀/寫耐久性,更快的寫入速度操作和更低的功耗
2022-01-10 15:50:314123

富士通新型Quad SPI接口FRAM MB85RQ8MLX

是一款非易失性存儲器產品,與傳統的非易失性存儲器相比,具有寫入速度快、讀/寫耐久性高、功耗低等優點。 ? 近日富士通半導體推出配備Quad SPI接口的8Mbit?FRAM?MB85RQ8MLX
2022-02-17 15:33:241666

富士通推出12Mbit電阻式隨機存取存儲器MB85AS12MT

富士通半導體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)MB85AS12MT,這是富士通ReRAM產品系列中密度最大的產品。
2022-04-24 16:06:021133

富士通在不同業務場景下的具體變革

富士通近日發布了中文版《Fujitsu Technology and Service Vision 2022(富士通技術與服務愿景,以下簡稱“FT&SV”)》,對富士通面向未來的商業與社會愿景進行了展望。
2022-08-30 10:27:191108

TPS53515低功耗DDR存儲器電源參考設計

電子發燒友網站提供《TPS53515低功耗DDR存儲器電源參考設計.zip》資料免費下載
2022-09-06 16:18:370

AN4777_STM32微控制器低功耗存儲器接口配置啟示

AN4777_STM32微控制器低功耗存儲器接口配置啟示
2022-11-21 17:06:460

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