富士通與亞馬遜云服務(wù)AWS宣布深化合作，共同推出現(xiàn)代化加速聯(lián)合計劃，旨在推動AWS云上遺留應(yīng)用程序的現(xiàn)代化進程。該計劃將于4月1日正式啟動，將富士通的系統(tǒng)集成能力與AWS的專業(yè)服務(wù)相結(jié)合，為運行在本地大型機和UNIX服務(wù)器上的傳統(tǒng)關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用程序提供評估、遷移和現(xiàn)代化服務(wù)。
2024-03-19 10:59:35
221 是2.7V-3.3V.項目測試過程中，發(fā)現(xiàn)在上電掉電的過程中，鐵電存儲器的數(shù)據(jù)無端的被改亂了，鐵電的數(shù)據(jù)被改的面貌全非。我們判斷是電壓低于2.7V時，STM32G070在正常工作，但鐵電已經(jīng)工作異常了，此時修改了數(shù)據(jù)
2024-03-13 08:04:03
嵌入式鐵電存儲器可實現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理，是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
1) 允許一個物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
，斷電后數(shù)據(jù)不會丟失。ROM中的數(shù)據(jù)在制造過程中被永久地寫入芯片中，并且無法從ROM中刪除或修改數(shù)據(jù)。這使得ROM適用于存儲永久性的固定數(shù)據(jù)，如計算機的啟動程序（BIOS）、固件和操作系統(tǒng)。 相較之下，RAM是一種易失性存儲器，當計算機斷電時存儲在RAM中的數(shù)據(jù)會立即丟失。RAM是臨時存儲器，它用
2024-01-25 10:46:28611 只讀存儲器（ROM）是一種計算機存儲設(shè)備，用于存儲固定數(shù)據(jù)和指令，其特點如下： 數(shù)據(jù)固定性：只讀存儲器中的數(shù)據(jù)是在出廠時被編程固化的，用戶無法進行修改。這意味著ROM中的信息是靜態(tài)的、不可
2024-01-17 14:17:39290 當電源斷開時，隨機存取存儲器（RAM）中的數(shù)據(jù)通常會丟失。這是因為RAM是一種易失性存儲器，它必須以恒定的電源供應(yīng)來維持存儲的數(shù)據(jù)。在斷電時，RAM中的電荷會逐漸耗盡，導致其中的數(shù)據(jù)丟失。在這
2024-01-16 16:30:19843 ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
為DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機訪問存儲器）。根據(jù)題目提到的“斷電后會丟失”，我們可以確定RAM屬于易失性存儲器，即斷
2024-01-12 17:27:15513 MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 14:24:03210 
使用 USB存儲器可以方便地存儲數(shù)據(jù)34972A還具有一個內(nèi)置的USB存儲器端口，可便于您使用 U 盤將 BenchLink Data Logger 配置下載到34972A，并在無PC的情況下收集數(shù)據(jù)
2024-01-08 14:33:08
熱電偶、RTD 和熱敏電阻、直流/交流電壓和電流；電阻；頻率和周期非易失存儲器可存儲 5 萬個讀數(shù)，可在斷電時保持數(shù)據(jù)每個通道都有 HI/LO 極限報警功能，以及 4
2023-12-27 15:08:46
富士通嵌入FRAM的RFID射頻芯片MB89R118C的優(yōu)點:? 抗金屬，可在金屬環(huán)境中使用。? 可耐200度高溫。? 高速數(shù)據(jù)寫入：可提高數(shù)據(jù)寫入時的效率。? 穩(wěn)定的通信距離
2023-12-27 13:53:33
要求使用其他存儲設(shè)備，如Flash存儲器，來存儲數(shù)據(jù)。 Flash存儲器是一種非易失性存儲器，能夠長時間保存數(shù)據(jù)，即使在斷電情況下也能保存數(shù)據(jù)。它具有較高的讀寫速度和較低的功耗，適用于FPGA的數(shù)據(jù)存儲需求。 FPGA上的Flash存儲器一般通過SPI（串行
2023-12-15 15:42:51543 FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 如何充分利用單片機（MCU）的非易失性存儲器 單片機（MCU）的非易失性存儲器（NVM）是存儲數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù)，即使在斷電或復位后也不會丟失。為了充分利用MCU的NVM，我們
2023-12-15 10:10:49507 有人說：變頻器能省電。又有人說：變頻器不能省電。現(xiàn)在請問大俠：變頻器真能省電嗎？什么情況下能省電？其省電的依據(jù)是什么？
2023-12-13 09:15:47
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲器，提供非易失性存儲。
2023-12-05 10:09:56303 CONV、SCK和SDO引腳），
在假設(shè)V-REF(1V)、IN+、IN-、VCC(5V)都正常的情況下(不接入外部被測)，SDO引腳輸出的數(shù)據(jù)異常。
具體現(xiàn)象:
輸出的數(shù)據(jù)間歇性地為0，非零的數(shù)跳動范圍
2023-12-04 06:08:38
作簿中的范圍。 VLOOKUP函數(shù)引用的數(shù)據(jù)源在某些情況下需要保留，而在其他情況下則不需要。以下將詳細解釋這些情況。 保留數(shù)據(jù)源的情況： a. 當數(shù)據(jù)源是工作表中的范圍時，通常需要保留數(shù)據(jù)源。這是因為隨著時間的推移，數(shù)據(jù)源可能會發(fā)生變化或更新。如果您保留數(shù)
2023-12-01 10:23:34394 該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲和精確的實時時鐘，本文推薦使用國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統(tǒng)中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲和的實時時
2023-11-27 10:17:05
電能質(zhì)量監(jiān)測系統(tǒng)是集基本電量測量、電能計量、電能質(zhì)量分析、電量監(jiān)視與記錄、事件報警與事件記錄等功能于一體的系統(tǒng)；能精確、可靠地記錄各個電量參數(shù)，提供用電狀態(tài)和配電網(wǎng)質(zhì)量的重要數(shù)據(jù)。所以在存儲器選型上
2023-11-17 10:28:51
MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI無線射頻識別芯片
2023-11-09 13:59:01431 starter在電機合閘使能的情況下，可以在線連接嗎
2023-11-03 08:28:12
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
的非易失性存儲器，既可以進行非易失性數(shù)據(jù)存儲，又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發(fā)板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
數(shù)據(jù)在內(nèi)存的存儲中右對齊是在什么情況下使用
2023-10-15 11:20:02
目前，日本在量子領(lǐng)域的研發(fā)進展落后于中美兩國，但此前已經(jīng)制定發(fā)展規(guī)劃。富士通計劃將量子計算機與超級計算機相結(jié)合，以提高計算能力。未來，富士通將會把量子計算機投入實際應(yīng)用，進行分子構(gòu)型模擬、材料特性分析等
2023-10-09 11:03:15503 相同點？
感覺6116數(shù)據(jù)的存取很簡單呀？設(shè)置成“寫入”狀態(tài)，在地址端0001-0101依次輸入數(shù)據(jù)0001，0010，0011，0100，0101后，把存儲器設(shè)置成“讀出”狀態(tài)就可以看到輸出端
2023-10-07 08:39:25
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
與此同時，富士通還積極投身到全球各項可持續(xù)發(fā)展及碳中和行動項目當中。就在本月，富士通宣布通過參與世界可持續(xù)發(fā)展工商理事會(WBCSD)的碳足跡數(shù)據(jù)共享倡議行動(PACT)，成功實現(xiàn)了整個供應(yīng)鏈中二氧化碳排放量的可視化。
2023-09-22 17:12:49653 對于做快速存儲采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM)就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-09-22 08:01:59496 
RAM中的一部分通常被用作緩存，用于存儲CPU經(jīng)常訪問的數(shù)據(jù)和指令，以提高計算機的性能。緩存能夠以較高的速度提供對這些數(shù)據(jù)的訪問，減少了對較慢的主存儲器（如硬盤）的訪問次數(shù)，從而加快了計算機系統(tǒng)的響應(yīng)速度。
2023-09-21 15:35:032396 存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持數(shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
7個可獨立配置的DMA通道每個通道都支持硬件和軟件觸發(fā) 軟件可配置7個DMA通道的優(yōu)先級非常高 / 高 / 中等 / 低 (在相同優(yōu)先級的情況下由硬件決定) 數(shù)據(jù)源和數(shù)據(jù)傳輸寬度(字節(jié)/半字/字
2023-09-13 08:06:16
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 2023年中國國際服務(wù)貿(mào)易交易會（服貿(mào)會）近日在北京開幕。富士通（中國）信息系統(tǒng)有限公司（以下簡稱“富士通”）副總裁汪波先生受邀出席本次服貿(mào)會，并在9月3日舉行
2023-09-06 17:10:02230 
新能源汽車的核心技術(shù)是大家熟知的動力電池、電池管理系統(tǒng)和整車控制單元。車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加，因此對于高性能非易失性存儲技術(shù)的需求也越來越高，因為當系統(tǒng)在進行資料分析
2023-09-01 10:04:52
樣機卻不能保存經(jīng)過修改后的參數(shù)。
2、經(jīng)過排查程序后，我們在程序中設(shè)置ISPCON的APUEN位為1后，3臺樣機均能正確保存經(jīng)過修改后的參數(shù)。
所以在此想問一問，這個是不是NANO100芯片內(nèi)部的BUG呢? 為何在沒有設(shè)置ISPCON的APUEN位為1的情況下也能擦出和并寫入FLASH存儲器呢？
2023-08-24 08:20:58
富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計算的擴展，客
2023-08-04 11:55:04339 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持數(shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032205 一個可隨時存取數(shù)據(jù)的存儲器，即可讀(取)或?qū)?存)的存儲器，簡稱ram。
2023-07-25 15:28:37641 就需要一塊非易失性存儲芯片來儲存這些數(shù)據(jù)。非易失性存儲器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等，它們在系統(tǒng)掉電的情況下仍可保留所存數(shù)據(jù)，但因其技術(shù)都源于R
2023-07-25 10:31:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12個內(nèi)核時鐘周期。片內(nèi)集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲器。片內(nèi)同時集成4 kB非易失性Flash/EE數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)RAM和2 kB擴
2023-07-14 17:15:06
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲器，分成8字節(jié)大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲器，分成8字節(jié)大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 11:31:16
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 富士通近日發(fā)布了《2023富士通全球可持續(xù)轉(zhuǎn)型調(diào)查報告》。該報告對來自全球9個國家的1,800名企業(yè)高管及決策者進行了調(diào)查， 闡述了可持續(xù)轉(zhuǎn)型(SX)的現(xiàn)狀以及
2023-07-12 17:10:01270 
鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優(yōu)勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 ，非易失性存儲器在計算機關(guān)閉后存儲數(shù)據(jù)仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 半導體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
ROM中存儲的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會丟失，因此也被稱為非易失性存儲器。而RAM是易失性存儲器，當斷電時，其中的數(shù)據(jù)將會丟失。
2023-06-20 16:38:442016 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
RAID控制卡的日志存儲器存放重要數(shù)據(jù)，如日志和數(shù)據(jù)寫入完成、奇偶校驗寫入、錯誤日志等。在斷電的情況下，控制器查詢?nèi)罩緝?nèi)存，以了解從哪里開始恢復。
2023-06-12 17:11:11323 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
點擊上方“ 富士通中國 ”關(guān)注我們 富士通株式會社（以下簡稱“富士通”）與微軟公司（以下簡稱“微軟”）宣布簽署為期五年的戰(zhàn)略合作協(xié)議，進一步擴大雙方現(xiàn)有合作。該協(xié)議將涉及兩家公司的投資，以推動富士通
2023-06-05 19:45:01379 我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
? 富士通將利用在不同行業(yè)的先進技術(shù)、技能和知識提供以人為本的數(shù)字服務(wù)、數(shù)據(jù)驅(qū)動的應(yīng)變能力和互聯(lián)互通的生態(tài)系統(tǒng)，以推動可持續(xù)轉(zhuǎn)型。——富士通（中國）信息系統(tǒng)有限公司副總裁 汪波 近日，以“智行天下
2023-05-26 10:58:24495 上的電荷來存儲信息，一旦掉電信息會全部的丟失，由于柵極會漏電，所以每隔一定的時間就需要一個刷新機構(gòu)給這些柵電容補充電荷，并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補充電荷，這個就叫動態(tài)刷新，所以稱其為動態(tài)隨機存儲器
2023-05-19 15:59:37
是易失性存儲介質(zhì)，在系統(tǒng)停電或故障的情況下，它們無法維護存儲的數(shù)據(jù)。
在為嵌入式應(yīng)用程序選擇存儲設(shè)備時，不僅要考慮存儲介質(zhì)的類型，還要考慮存儲容量、速度、耐用性（壽命）和成本。每種存儲技術(shù)都有其獨特
2023-05-18 14:13:37
在F407板載uart用完的情況下，怎么和PC交互？能主動收發(fā)數(shù)據(jù)
2023-05-12 15:41:12
單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
富士通電子芯片MB89R118C使用CLRC66301HN只讀取數(shù)據(jù)區(qū)不寫入數(shù)據(jù)，請告知
2023-04-23 07:19:24
PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元，對標富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無污染。
2023-04-20 11:29:57224 51單片機外擴數(shù)據(jù)存儲器最大的容量是多少？可以達到50MB嗎？用的是什么芯片？
2023-04-19 16:34:36
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
存儲設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量。快速的寫入速度和無限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
內(nèi)部引導模式。當我們嘗試通過串行下載程序?qū)θ劢z進行編程時，出現(xiàn)錯誤，提示未找到外部存儲器。我們?nèi)绾卧诓蛔x取 boot_cfc2[2:0] 并連接到外部存儲器的情況下對保險絲進行編程？
2023-04-03 07:03:34
存儲器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存儲器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
64 K（8 K×8）位I2C存儲器FRAM
2023-03-27 13:39:18
我目前正在嘗試防止臨時對稱密鑰在重新啟動后保留在內(nèi)存中。我的巧妙計劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時歸零）對它們進行異或，我在重啟時將其設(shè)置為隨機數(shù)。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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