實時數據處理的需求在飛速增長，在各行各業均已得到證實。而我們同時也看到，各行業、企事業單位對于實時數據處理的需求，與其目前的項目開發方式和配套工具不適配的問題也在逐漸凸顯。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產品。目前已實現量產產品。

在不斷變化的環境中，隨著傳感器信息數據量的增加和邊緣計算的擴展，客戶提出了許多要求，他們希望增加讀/寫周期、縮短數據寫入時間并提高存儲密度。這款新產品是為了滿足對現有 EEPROM 不滿意的客戶的要求而提供的解決方案。

MB85RS4MT 非常適合需要實時或頻繁數據記錄的各種應用，例如行車/導航記錄儀、工業機器人、計算機數控 (CNC) 機床、測量設備、智能電表和消費設備。

MB85RS4MT封裝

4Mbit FeRAM 產品 MB85RS4MT是富士通半導體的串行外設接口 (SPI) 產品 FeRAM 系列中密度最高的。富士通半導體近20年來量產的FeRAM非易失性存儲器產品具有高讀寫耐久性、高速寫入操作和低功耗等特點。

該 FeRAM 產品可保證 10 萬億次讀/寫周期，約為競爭性非易失性存儲器 EEPROM 的 1000 萬倍。

因此，即使MB85RS4MT用于邊緣計算中傳感器信息的頻繁數據記錄的存儲器，保證的讀/寫周期限制也不會成為客戶產品設計的瓶頸。（圖1）

圖1：讀/寫周期比較

FeRAM 產品還具有高速寫入操作的特點，通過覆蓋序列寫入數據，無需擦除操作。而傳統的非易失性存儲器（如 EEPROM 和閃存）除了正常的寫入操作之外還需要額外的時間進行擦除操作。

這種快速寫入操作有助于保護數據免受突然電壓下降（例如寫入期間斷電）的影響。（圖2）

圖2：寫入時間比較（電壓下降時）

由于 MB85RS4MT 在 1.8V 至 3.6V 的寬電源電壓范圍內工作，因此它可與其他工作電壓為 1.8V 或 3.6V 的外圍電子元件一起用于客戶端產品。其工作電流非常小，1MHz工作時最大工作電流為250μA，最大待機電流為50μA。這意味著，該 FeRAM 產品由于其低工作電壓和低工作電流而具有低功耗的優勢。

FeRAM 產品采用行業標準的 8 引腳 SOP 封裝，可以輕松替換 8 引腳 SOP 中的現有 EEPROM。這使得客戶能夠改用 FeRAM 產品，而無需對最終產品中的主板進行重大設計更改。

MB85RS4MT的主要規格

關于富士通半導體存儲器解決方案有限公司富士通半導體存儲器解決方案有限公司（原富士通半導體存儲事業部）成立于2020年3月，可為客戶提供存儲器產品和各種解決方案，主要是基于鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），這是一種高質量、高可靠性的非易失性存儲器。作為下一代存儲器，富士通半導體存儲器解決方案已經開始批量生產ReRAM（電阻式隨機存取存儲器），它在讀取數據時需要更少的功率，是小型可穿戴設備的理想選擇，同時還在開發以碳納米管為材料的非易失性存儲器（NRAM）。更多詳情請訪問：https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/feram/。

關于加賀富儀艾電子（上海）有限公司

加賀富儀艾電子（上海）有限公司原為富士通電子，其業務自2020年12月并入加賀集團，旨在為客戶提供更好的優質產品和服務。在深圳、大連等地均設有分公司，負責統籌加賀富儀艾電子在中國的銷售業務。加賀富儀艾電子（上海）有限公司的主要銷售產品包括Custom SoCs (ASICs), 代工服務，專用標準產品(ASSPs)，鐵電隨機存儲器，繼電器，GaN（氮化鎵），MCU和電源功率器件，它們是以獨立產品及配套解決方案的形式提供給客戶，并廣泛應用于高性能光通信網絡設備、手持移動終端、影像設備、汽車、工業控制、家電、穿戴式設備、醫療電子、電力電表、安防等領域。更多詳情請訪問：https://www.kagafei.com.cn。

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